公开(公告)号：DE102018203377B4

公开(公告)日：2019-11-21

申请号：DE102018203377

申请日：2018-03-07

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHANG XUNYUAN ,  XIE RUILONG ,  QI YI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/06

Abstract: Verfahren, umfassend:ein Bilden einer Mehrzahl von strukturierten Hartmaskenstapeln (22a, 22b, 22c, 22d) mit wenigstens einer Halbleiterschicht (18) und einer Deckschicht (20);ein Entfernen eines Abschnitts eines ersten strukturierten Hartmaskenstapels (22c) und eines Rands eines benachbarten Hartmaskenstapels (22b) der Mehrzahl von strukturierten Hartmaskenstapeln (22a, 22b, 22c, 22d); undein selektives Wachsen eines Materials (32) auf dem Rand des benachbarten Hartmaskenstapels (22b).

公开(公告)号：DE102017208398A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102017208398

申请日：2017-05-18

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHANG XUNYUAN ,  MONT FRANK W ,  RYAN ERROL TODD

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Es werden Vorrichtungen und Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungsvorrichtungen zur Bildung von niederohmschen Zwischenverbindungen mit verbesserter Haftung bereitgestellt. Ein Verfahren umfasst zum Beispiel: ein Erhalten einer Halbleiterzwischenverbindungsvorrichtung als Zwischenprodukt mit einem Substrat, einer Deckschicht und einer dielektrischen Matrix, umfassend eine Menge aus Gräben und eine Menge aus Durchkontaktierungen; ein Abscheiden eines Metallzwischenverbindungsmaterials direkt über und in Kontakt zu einer oberseitigen Oberfläche der dielektrischen Matrix, wobei das Metallzwischenverbindungsmaterial die Menge an Gräben und die Menge an Durchkontaktierungen füllt; ein Abscheiden einer Barrierenschicht über eine oberseitigen Oberfläche der Vorrichtung; ein Ausheizen der Barrierenschicht, um die Barrierenschicht zu einer Bodenfläche des Metallzwischenverbindungsmaterials zu diffundieren; ein Einebnen einer oberseitigen Oberfläche der Zwischenprodukt-Halbleiterzwischenverbindungsvorrichtung; und ein Abscheiden einer dielektrischen Abdeckung über der Halbeiterzwischenverbindungsvorrichtung als Zwischenprodukt.

公开(公告)号：DE102013200048A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：DE102013200048

申请日：2013-01-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： TANWAR KUNALJEET ,  ZHANG XUNYUAN ,  HE MING

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283

Abstract: Es werden Verfahren zum Herstellen integrierter Schaltungen bereitgestellt. Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung ein Abscheiden einer eine Ebene festlegenden dielektrischen Schicht. Gemäß dem Verfahren wird die dielektrische Schicht geätzt, um Gräben zu bilden. Dann wird eine die dielektrische Schicht überlagernde Ruthenium umfassende Schicht abgeschieden. Die Gräben werden mit einem Kupfer umfassenden Metall gefüllt. Das Verfahren umfasst ein Ausnehmen des Kupfer umfassenden Metalls in jedem Graben, um zwischen dem Kupfer umfassenden Metall und der Ebene einen Bereich festzulegen. Der Bereich wird mit einer Deckschicht gefüllt. Die Schichten werden dann wenigstens bis zu der Ebene planarisiert.

公开(公告)号：DE102012216153A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：DE102012216153

申请日：2012-09-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHANG XUNYUAN ,  KIM HOON

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/485

Abstract: Es werden Halbleiterbauelemente mit Kupferverbindungen und Verfahren zu deren Herstellung bereitgestellt. In einer Ausführungsform wird ein Halbleiterbauelement mit einer Kupferverbindung auf einem Substrat, etwa einem FEOL-bearbeiteten Substrat hergestellt. Das Verfahren umfasst das Bilden einer Kupferschicht auf einem Substrat. Die Kupferschicht ist aus Körnern aufgebaut. Die Kupferschicht wird modifiziert derart, dass die modifizierte Kupferschicht eine mittlere Korngröße besitzt, die größer ist als ungefähr 0,05 μm. In dem Verfahren wird die modifizierte Kupferschicht geätzt, so dass eine Leitung entlang des Substrats und eine Kontaktdurchführung, die sich von der Leitung aus nach oben erstreckt, erzeugt werden.

公开(公告)号：DE102013214441B4

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：DE102013214441

申请日：2013-07-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： RYAN VIVIAN W ,  KIM HOON ,  ZHANG XUNYUAN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Verfahren, umfassend:Bilden einer Vertiefung (40) in einer dielektrischen Schicht (20) eines Substrats (25);Bilden einer ersten Übergangsmetallschicht (60) in der Vertiefung an Eckabschnitten (70) der Vertiefung (40),Bilden einer zweiten Übergangsmetallschicht (80) in der Vertiefung (40) über der ersten Übergangsmetallschicht (60), um die Vertiefung (40) zu beschichten;Füllen der Vertiefung(40) mit einer Füllschicht (90),Ausglühen des Substrats, wobei die erste Übergangsmetallschicht (60) und die zweite Übergangsmetallschicht (80) während des Ausglühens einen Legierungsbereich (100) neben den Eckabschnitten (70) bilden, wobei der Legierungsbereich eine verringerte Benetzbarkeit für ein Füllschichtmaterial als das zweite Übergangsmetall aufweist; undPolieren des Substrats (25), um Teile der Füllschicht (90) zu entfernen, die sich über der Vertiefung (40) erstrecken,wobei das erste Übergangsmetall (60) an Seitenwand- und in Bodenbereichen der Vertiefung (40) fehlt.

公开(公告)号：DE102018200438A1

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：DE102018200438

申请日：2018-01-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LICAUSI NICHOLAS V ,  ZHANG XUNYUAN

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere voll ausgerichtete Via-Strukturen und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: eine Mehrzahl von leitfähigen Strukturen mit kleinster Grundregel, die in einem dielektrischen Material gebildet sind, wobei jedes ein ausgenommenes leitfähiges Material umfasst; wenigstens eine in dem dielektrischen Material gebildete leitfähige Struktur, die breiter ist als die Mehrzahl von leitfähigen Strukturen mit kleinster Grundregel; eine Ätzstoppschicht über einer Oberfläche der dielektrischen Schicht mit Öffnungen, um das leitfähige Material der wenigstens einen leitfähigen Struktur und das ausgenommene leitfähige Material einer ausgewählten leitfähigen Struktur mit kleinster Grundregel freizulegen; und ein oberes leitfähiges Material, welches bezüglich der wenigstens einen leitfähigen Struktur und der ausgewählten leitfähigen Struktur mit kleinster Grundregel durch die Öffnungen der Ätzstoppschicht ausgerichtet ist und damit in direktem elektrischen Kontakt steht.

公开(公告)号：DE102018205693A1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：DE102018205693

申请日：2018-04-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHANG XUNYUAN ,  LAW SHAO BENG

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Verfahren zum Bilden von selbstausgerichteten Schnitten und Strukturen gebildet durch selbstausgerichtete Schnitte. Eine Dielektrikumsschicht wird auf einer Metallhartmaskenschicht gebildet und auf der Dielektrikumsschicht wird ein Dorn gebildet. Es wird ein Schnitt gebildet, der sich durch die Dielektrikumsschicht zu der Metallhartmaskenschicht erstreckt. Ein Abschnitt einer Metallschicht wird auf einen Bereich der Metallhartmaskenschicht gebildet, die durch den Schnitt in der Dielektrikumsschicht freigelegt wird. Auf einer vertikalen Seitenwand des Doms wird ein Abstandshalter gebildet, nachdem die Metallschicht gebildet wird.

公开(公告)号：DE102017208466A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102017208466

申请日：2017-05-19

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHANG XUNYUAN ,  MONT FRANK W ,  RYAN ERROL TODD

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Es werden Vorrichtungen und Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungsvorrichtungen zur Bildung von niederohmschen Zwischenverbindungen bereitgestellt. Ein Verfahren umfasst zum Beispiel: ein Erhalten einer Halbleiterzwischenverbindungsvorrichtung als Zwischenprodukt mit einem Substrat, einer Deckschicht und einer dielektrischen Matrix, umfassend eine Menge aus Gräben und eine Menge aus Durchkontaktierungen; ein Abscheiden einer Barrierenschicht entlang einer oberseitigen Oberfläche der Halbleiterzwischenverbindungsvorrichtung; ein Abscheiden und Ausheizen eines Metallzwischenverbindungsmaterials über einer oberseitigen Oberfläche der Barrierenschicht, wobei das Metallzwischenverbindungsmaterial die Menge an Gräben und die Menge an Durchkontaktierungen füllt; ein Einebnen einer oberseitigen Oberfläche der Zwischenprodukt-Halbleiterzwischenverbindungsvorrichtung; ein Freilegen eines Abschnitts der Barrierenschicht zwischen der Menge an Gräben und der Menge an Durchkontaktierungen; und ein Abscheiden einer dielektrischen Abdeckung. Es wird auch eine Zwischenproduktvorrichtung offenbart, die durch das Verfahren gebildet wird.

公开(公告)号：DE102018200438B4

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：DE102018200438

申请日：2018-01-12

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LICAUSI NICHOLAS V ,  ZHANG XUNYUAN

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: Struktur (10, 10'), umfassend:eine Mehrzahl von in einem dielektrischen Material (12) gebildeten leitfähigen Strukturen (14a, 14b) mit minimaler Strukturgröße, die jeweils ein vertieft liegendes leitfähiges Material (18) umfassen;wenigstens eine in dem dielektrischen Material (12) gebildete leitfähige Struktur (14c), die breiter ist als die Mehrzahl von leitfähigen Strukturen (14a, 14b) mit minimaler Strukturgröße und ein leitfähiges Material (24) umfasst, wobei das leitfähige Material (24) zu dem dielektrischen Material (12) eben ist;eine Ätzstoppschicht (28) über einer Oberfläche des dielektrischen Materials (12) mit Öffnungen zum Freilegen des leitfähigen Materials (24) der wenigstens einen leitfähigen Struktur (14c) und des vertieft liegenden leitfähigen Materials (18) von einer aus der Mehrzahl von leitfähigen Strukturen (14a, 14b) mit minimaler Strukturgröße ausgewählten leitfähigen Struktur (14b) mit minimaler Strukturgröße; undobere Verbindungsstrukturen (32a, 32b), die durch die Öffnungen der Ätzstoppschicht (28) voll ausgerichtet sind zu und in direktem elektrischen Kontakt stehen mit der wenigstens einen leitfähigen Struktur (14c) und dem vertieft liegenden leitfähigen Material (18) der ausgewählten leitfähigen Struktur (14b) mit minimaler Strukturgröße.

公开(公告)号：DE102013200048B4

公开(公告)日：2020-02-20

申请号：DE102013200048

申请日：2013-01-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： TANWAR KUNALJEET ,  ZHANG XUNYUAN ,  HE MING

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung (10), umfassend:Abscheiden einer dielektrischen Schicht (12) derart, dass die dielektrische Schicht (12) eine Oberfläche (14) aufweist, die eine Ebene (16) festlegt;Ätzen der dielektrischen Schicht (12), um Gräben (20) zu bilden;Abscheiden einer Ruthenium umfassenden Schicht (40), die die Gräben (20) und die Oberfläche (14) der dielektrischen Schicht (12) überlagert;Füllen der Gräben (20) mit einem Kupfer umfassenden Metall (50), wobei das Füllen der Gräben (20) mit dem Kupfer umfassenden Metall (50) ein Abscheiden des Kupfer umfassenden Metalls (50) umfasst, das die Ruthenium umfassende Schicht (40) überlagert;Ausnehmen des Kupfer umfassenden Metalls (50) in jedem Graben (20), um zwischen dem Kupfer umfassenden Metall (50) und der Ebene (16) einen Bereich (60) zu bilden, während die Ruthenium umfassende Schicht (40) zwischen den Gräben (20) die Oberfläche (14) der dielektrischen Schicht (12) bedeckt;Füllen des Bereichs (60) mit einer Deckschicht (70); undPlanarisieren der Schichten bis wenigstens zu der Ebene (16), die durch die dielektrische Schicht (16) festgelegt wird,wobei das Verfahren vor dem Ausnehmen des Kupfer umfassenden Metalls (50) ferner ein Planarisieren des Kupfer umfassenden Metalls (50) bis zu der Ruthenium umfassenden Schicht (40) umfasst.