公开(公告)号：DE102018206687A1

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：DE102018206687

申请日：2018-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： DUENKEL STEFAN ,  ILLGEN RALF ,  RICHTER RALF ,  JANSEN SOEREN

IPC: H01L27/11507 ,  H01L27/11585

Abstract: Die vorliegende Offenbarung stellt Speicherelemente, etwa Speichertransistoren, bereit, in denen mindestens ein Speichermechanismus auf der Grundlage eines ferroelektrischen Materialien bereitgestellt wird, das in der vergrabenen isolierenden Schicht einer SOI-Transistorarchitektur ausgebildet ist. In weiteren anschaulichen Ausführungsformen wird ein weiterer Speichermechanismus in der Gateelektrodenstruktur eingerichtet, wodurch eine erhöhte Gesamtinformationsdichte geschaffen wird. In einigen anschaulichen Ausführungsformen wird der Speichermechanismus in der Gateelektrodenstruktur in Form eines ferroelektrischen Materials vorgesehen.