公开(公告)号：DE102016218697A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：DE102016218697

申请日：2016-09-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： XIE RUILONG ,  LABONTE ANDRE ,  KNORR ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein 3-dimensionaler Transistor umfasst ein Halbleitersubstrat, einen Fin, der mit dem Substrat gekoppelt ist, wobei der Fin ein aktives Gebiet entlang eines oberseitigen Bereichs davon umfasst, wobei das aktive Gebiet Source, Drain und ein Kanalgebiet dazwischen umfasst. Der Transistor umfasst ferner ein Gate, das über dem Kanalgebiet angeordnet ist, und einen Gatekontakt, der in dem aktiven Gebiet angeordnet ist, wobei kein Bereich davon mit Source oder Drain elektrisch gekoppelt ist. Der Transistor wird durch Entfernen eines Bereichs des Source/Drain-Kontakts erreicht, der während der Herstellung unterhalb des Gatekontakt angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102013200543A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：DE102013200543

申请日：2013-01-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： XIE RUILONG ,  CAI XIUYU ,  MILLER ROBERT JAMES ,  KNORR ANDREAS

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092

Abstract: Offenbart werden hier Verfahren zum Bilden von Austausch-Gate-Strukturen. Bei einem Beispiel beinhaltet das Verfahren ein Bilden einer Opfer-Gate-Struktur über einem Halbleitersubstrat, ein Entfernen der Opfer-Gate-Struktur zum hierdurch erfolgenden Festlegen eines Gate-Hohlraumes, ein Bilden einer Schicht aus Isoliermaterial in dem Gate-Hohlraum und ein Bilden einer Schicht aus Metall im Inneren des Gate-Hohlraumes über der Schicht aus Isoliermaterial. Das Verfahren beinhaltet des Weiteren ein Bilden eines Opfermaterials in dem Gate-Hohlraum zum so erfolgenden Bedecken eines Abschnittes der Schicht aus Metall und hierdurch erfolgenden Festlegen eines freiliegenden Abschnittes der Schicht aus Material, ein Durchführen eines Ätzprozesses an dem freiliegenden Abschnitt der Schicht aus Material zum hierdurch erfolgenden Entfernen des freiliegenden Abschnittes der Schicht aus Metall aus dem Inneren des Gate-Hohlraumes und ein nach dem Durchführen des Ätzprozesses erfolgendes Entfernen des Opfermaterials und Bilden eines leitfähigen Materials über dem verbleibenden Abschnitt der Schicht aus Metall.