公开(公告)号：DE102016218697A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：DE102016218697

申请日：2016-09-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： XIE RUILONG ,  LABONTE ANDRE ,  KNORR ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Ein 3-dimensionaler Transistor umfasst ein Halbleitersubstrat, einen Fin, der mit dem Substrat gekoppelt ist, wobei der Fin ein aktives Gebiet entlang eines oberseitigen Bereichs davon umfasst, wobei das aktive Gebiet Source, Drain und ein Kanalgebiet dazwischen umfasst. Der Transistor umfasst ferner ein Gate, das über dem Kanalgebiet angeordnet ist, und einen Gatekontakt, der in dem aktiven Gebiet angeordnet ist, wobei kein Bereich davon mit Source oder Drain elektrisch gekoppelt ist. Der Transistor wird durch Entfernen eines Bereichs des Source/Drain-Kontakts erreicht, der während der Herstellung unterhalb des Gatekontakt angeordnet ist.