公开(公告)号：DE112012000850B4

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：DE112012000850

申请日：2012-01-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PONOTH SHOM ,  HORAK DAVID V ,  KOBURGER III CHARLES W ,  YANG CHIH-CHAO

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren, das aufweist: Bilden einer Öffnung (311) im Innern einer dielektrischen Schicht (201), wobei die dielektrische Schicht auf einer Oberseite eines Substrats (101) ausgebildet wird und die Öffnung einen Kanalbereich (102) eines Transistors (110) in dem Substrat freilegt; Abscheiden einer Austrittsarbeitsschicht (401), die die Öffnung auskleidet und den Kanalbereich bedeckt; Ausbilden eines Gate-Leiters (610), der einen ersten Abschnitt (411) der Austrittsarbeitsschicht bedeckt, wobei sich der erste Abschnitt der Austrittsarbeitsschicht auf der Oberseite des Kanalbereichs befindet; und Entfernen eines zweiten Abschnitts der Austrittsarbeitsschicht, wobei der zweite Abschnitt der Austrittsarbeitsschicht den ersten Abschnitt der Austrittsarbeitsschicht umgibt, wobei das Entfernen des zweiten Abschnitts der Austrittsarbeitsschicht den ersten Abschnitt der Austrittsarbeitsschicht gegenüber der verbleibenden Austrittsarbeitsschicht (412) isoliert.