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    Verfahren zur Herstellung von FinFET-Vorrichtungen mit alternativen Kanalmaterialien
    2.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von FinFET-Vorrichtungen mit alternativen Kanalmaterialien 未知

    公开(公告)号：DE102013209110A1

    公开(公告)日：2013-11-21

    申请号：DE102013209110

    申请日：2013-05-16

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： MASZARA WITOLD P ,  JACOB AJEY P ,  LICAUSI NICHOLAS V ,  FRONHEISER JODY A ,  AKARVARDAR KEREM

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L21/84 ,  H01L29/267

    Abstract: Ein hierin angegebenes veranschaulichendes Verfahren umfasst ein Durchführen eines ersten Ätzprozesses durch eine strukturierte Hartmaskenschicht, um mehrere voneinander beabstandete Gräben in einem Substrat festzulegen, die für die Vorrichtung einen ersten Teil eines Grats festlegen, Bilden einer Schicht aus isolierendem Material in den Gräben und Durchführen eines Planarisierungsprozesses an der Schicht aus isolierendem Material, um die strukturierte Hartmaske freizulegen, Durchführen eines zweiten Ätzprozesses, um die Hartmaskenschicht zu entfernen und in der Schicht aus isolierendem Material eine Vertiefung festzulegen, Bilden eines zweiten Teils des Grats in der Vertiefung, wobei der zweite Teil des Grats aus einem halbleitenden Material besteht, das von dem des Substrats verschieden ist, und Durchführen eines dritten Ätzprozesses an der Schicht aus isolierendem Material, so dass sich eine obere Fläche des isolierenden Materials unterhalb einer oberen Fläche des zweiten Teils des Grats befindet.

    Verfahren zum Bilden von Austauschfins für eine FinFET-Halbleitervorrichtung unter Durchführung eines Austauschaufwachsprozesses
    3.
    发明专利
    Verfahren zum Bilden von Austauschfins für eine FinFET-Halbleitervorrichtung unter Durchführung eines Austauschaufwachsprozesses 未知

    公开(公告)号：DE102014211026B4

    公开(公告)日：2019-04-25

    申请号：DE102014211026

    申请日：2014-06-10

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： JACOB AJEY P ,  AKARVARDAR MURAT K ,  FRONHEISER JODY ,  MASZARA WITOLD P

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78

    Abstract: Verfahren, umfassend:Bilden eines Grabens (17) in einer Schicht aus isolierendem Material (22), das über einem Substrat angeordnet ist, welches ein erstes Halbleitermaterial umfasst, wobei der Graben eine Oberfläche (20S) des Substrats freilegt, wobei der Graben am Boden des Grabens eine Breite (17W) aufweist, die kleiner oder gleich 20 nm ist, und eine Tiefe (17D) aufweist, die kleiner oder gleich 60 nm ist, und ein Aspektverhältnis aufweist, das kleiner als 3.5 ist; undDurchführen eines epitaktischen Abscheidungsprozesses zum Bilden eines stabilen Austauschfinmaterials über der freiliegenden Oberfläche des Substrats,wobei der Austauschfin eine Höhe aufweist, die 60 nm oder weniger beträgt, und der Austauschfin entlang einer Kristallebene voll verspannt ist, die einer axialen Längenrichtung des Austauschfins entspricht,wobei der Austauschfin ein zweites Halbleitermaterial umfasst, das von dem ersten Halbleitermaterial verschieden ist,wobei das Austauschfinmaterial über seine gesamte Höhe eine Defektdichte von 10Defekte/cmoder weniger aufweist, undwobei die Höhe des Austauschfins größer ist als eine uneingeschränkte stabile kritische Dicke des zweiten Halbleitermaterials.

    Verfahren zur Herstellung von FinFET-Vorrichtungen mit alternativen Kanalmaterialien
    6.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von FinFET-Vorrichtungen mit alternativen Kanalmaterialien 未知

    公开(公告)号：DE102013209110B4

    公开(公告)日：2015-05-07

    申请号：DE102013209110

    申请日：2013-05-16

    Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

    Inventor： MASZARA WITOLD P ,  JACOB AJEY P ,  LICAUSI NICHOLAS V ,  FRONHEISER JODY A ,  AKARVARDAR KEREM

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L21/84 ,  H01L29/267

    Abstract: Verfahren zum Bilden einer FinFET-Vorrichtung, das umfasst: Bilden einer strukturierten Hartmaskenschicht über einem Substrat, das aus einem ersten halbleitenden Material besteht; Durchführen eines ersten Ätzprozesses durch die strukturierte Hartmaskenschicht, um mehrere voneinander beabstandete Gräben festzulegen, die für die Vorrichtung einen ersten Teil eines Grats, der aus dem ersten Halbleitermaterial besteht, festlegen; Bilden einer Schicht aus isolierendem Material in den Gräben, wobei die Schicht aus isolierendem Material die Gräben und die strukturierte Hartmaskenschicht überfüllt; Durchführen eines Planarisierungsprozesses an der Schicht aus isolierendem Material, bei dem die strukturierte Hartmaskenschicht, die oberhalb des ersten Teils des Grats angeordnet ist, freigelegt wird; Durchführen eines zweiten Ätzprozesses, um das Hartmaskenmaterial, das über dem ersten Teil des Grats angeordnet ist, zu entfernen und dadurch eine obere Fläche des ersten Teils des Grats freizulegen und eine Vertiefung in der Schicht aus isolierendem Material oberhalb des ersten Teils des Grats festzulegen; Bilden eines zweiten Teils des Grats innerhalb der Vertiefung auf der oberen Fläche des ersten Teils des Grats, wobei der zweite Teil des Grats aus einem zweiten halbleitenden Material besteht, das von dem ersten halbleitenden Material verschieden ist; und Durchführen eines dritten Ätzprozesses an der Schicht aus isolierendem Material, so dass eine obere Fläche des isolierenden Materials sich unterhalb einer oberen Fläche des zweiten Teils des Grats befindet, nachdem der dritte Ätzprozess durchgeführt wurde.

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