公开(公告)号：DE102017208398A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102017208398

申请日：2017-05-18

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHANG XUNYUAN ,  MONT FRANK W ,  RYAN ERROL TODD

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

Abstract: Es werden Vorrichtungen und Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungsvorrichtungen zur Bildung von niederohmschen Zwischenverbindungen mit verbesserter Haftung bereitgestellt. Ein Verfahren umfasst zum Beispiel: ein Erhalten einer Halbleiterzwischenverbindungsvorrichtung als Zwischenprodukt mit einem Substrat, einer Deckschicht und einer dielektrischen Matrix, umfassend eine Menge aus Gräben und eine Menge aus Durchkontaktierungen; ein Abscheiden eines Metallzwischenverbindungsmaterials direkt über und in Kontakt zu einer oberseitigen Oberfläche der dielektrischen Matrix, wobei das Metallzwischenverbindungsmaterial die Menge an Gräben und die Menge an Durchkontaktierungen füllt; ein Abscheiden einer Barrierenschicht über eine oberseitigen Oberfläche der Vorrichtung; ein Ausheizen der Barrierenschicht, um die Barrierenschicht zu einer Bodenfläche des Metallzwischenverbindungsmaterials zu diffundieren; ein Einebnen einer oberseitigen Oberfläche der Zwischenprodukt-Halbleiterzwischenverbindungsvorrichtung; und ein Abscheiden einer dielektrischen Abdeckung über der Halbeiterzwischenverbindungsvorrichtung als Zwischenprodukt.

公开(公告)号：DE102018200665A1

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：DE102018200665

申请日：2018-01-17

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MONT FRANK W ,  RYAN KEVIN J ,  SIDDIQUI SHARIQ ,  PEETHALA CORNELIUS B

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/461

Abstract: Aspekte der vorliegenden Erfindung stellen ein Verfahren zum Reinigen einer Halbleitervorrichtung bereit. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit einer freiliegenden Kobaltoberfläche und ein Spülen der freiliegenden Kobaltoberfläche mit Kathodenwasser mit einem pH größer 9 und einem Redoxpotential kleiner 0,0.

公开(公告)号：DE102017208466A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：DE102017208466

申请日：2017-05-19

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ZHANG XUNYUAN ,  MONT FRANK W ,  RYAN ERROL TODD

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Es werden Vorrichtungen und Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungsvorrichtungen zur Bildung von niederohmschen Zwischenverbindungen bereitgestellt. Ein Verfahren umfasst zum Beispiel: ein Erhalten einer Halbleiterzwischenverbindungsvorrichtung als Zwischenprodukt mit einem Substrat, einer Deckschicht und einer dielektrischen Matrix, umfassend eine Menge aus Gräben und eine Menge aus Durchkontaktierungen; ein Abscheiden einer Barrierenschicht entlang einer oberseitigen Oberfläche der Halbleiterzwischenverbindungsvorrichtung; ein Abscheiden und Ausheizen eines Metallzwischenverbindungsmaterials über einer oberseitigen Oberfläche der Barrierenschicht, wobei das Metallzwischenverbindungsmaterial die Menge an Gräben und die Menge an Durchkontaktierungen füllt; ein Einebnen einer oberseitigen Oberfläche der Zwischenprodukt-Halbleiterzwischenverbindungsvorrichtung; ein Freilegen eines Abschnitts der Barrierenschicht zwischen der Menge an Gräben und der Menge an Durchkontaktierungen; und ein Abscheiden einer dielektrischen Abdeckung. Es wird auch eine Zwischenproduktvorrichtung offenbart, die durch das Verfahren gebildet wird.