公开(公告)号：DE102019205807A1

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE102019205807

申请日：2019-04-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHU JIEHUI ,  BRUNCO DAVID PAUL ,  LIU PEI ,  SIDDIQUI SHARIQ ,  LIU JINPING

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/288 ,  H01L29/78

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Bilden von Kontakten über aktiven Gates bereitgestellt. Ausführungsformen umfassen ein Bilden von ersten und zweiten Gatestrukturen über einem Abschnitt einer Finne; ein Bilden eines ersten und eines zweiten RSD an einem Abschnitt der Finne zwischen den ersten Gatestrukturen bzw. zwischen der ersten und der zweiten Gatestruktur; ein Bilden von TS-Strukturen über dem ersten und zweiten RSD; ein Bilden einer ersten Deckschicht über den ersten und zweiten Gatestrukturen oder über den TS-Strukturen; ein Bilden eines Metalloxid-Liners über dem Substrat und den Gräben; ein Füllen der Gräben mit einer zweiten Deckschicht; ein Bilden einer ILD-Schicht über dem Substrat; ein Bilden eines CA durch einen ersten Abschnitt der ILD und der Metalloxidschicht bis zu den TS-Strukturen über dem zweiten RSD; und ein Bilden eines CB durch einen zweiten Abschnitt der ILD und der Metalloxidschicht bis zu den ersten Gatestrukturen.

公开(公告)号：DE102019200988A1

公开(公告)日：2019-09-12

申请号：DE102019200988

申请日：2019-01-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SIDDIQUI SHARIQ ,  YOU HAN ,  ZHANG XUNYUAN ,  GALATAGE ROHIT ,  QUON ROGER A ,  PENNY CHRISTOPHER J

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf Halbleiterstrukturen und insbesondere auf Metall-Isolator-Metall-Kondensatorvorrichtungen und Herstellungsverfahren. Das Verfahren umfasst: ein Abscheiden einer Bodenplatte; ein Abscheiden eines dielektrischen Films über der Bodenplatte; ein Aussetzen des dielektrischen Films einem Gas; ein Härten des dielektrischen Films; und ein Abscheiden einer oberen Platte über dem dielektrischen Film.

公开(公告)号：DE102018200665A1

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：DE102018200665

申请日：2018-01-17

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： MONT FRANK W ,  RYAN KEVIN J ,  SIDDIQUI SHARIQ ,  PEETHALA CORNELIUS B

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/461

Abstract: Aspekte der vorliegenden Erfindung stellen ein Verfahren zum Reinigen einer Halbleitervorrichtung bereit. Das Verfahren umfasst ein Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit einer freiliegenden Kobaltoberfläche und ein Spülen der freiliegenden Kobaltoberfläche mit Kathodenwasser mit einem pH größer 9 und einem Redoxpotential kleiner 0,0.