公开(公告)号：DE102012205298A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：DE102012205298

申请日：2012-03-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PRINDLE CHRISTOPHER ,  GROSCHOPF JOHANNES ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: In einem Austauschgateverfahren wird das dielektrische Material für das laterale Einschließen der Gateelektrodenstrukturen in Form eines ersten dielektrischen Zwischenschichtmaterials mit guten Spaltfülleigenschaften und in Form eines zweiten dielektrischen Zwischenschichtmaterials bereitgestellt, das für einen hohen Ätzwiderstand und eine hohe Robustheit während eines Einebnungsprozesses sorgt. Auf diese Weise kann eine unerwünschte Materialerosion beim Ersetzen des Platzhaltermaterials vermieden werden, woraus sich ein reduzierter Ausbeuteverlust und eine bessere Bauteilgleichmäßigkeit ergeben.

公开(公告)号：DE102012213880B4

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：DE102012213880

申请日：2012-08-06

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEMPEL KLAUS ,  PRINDLE CHRISTOPHER ,  STEPHAN ROLF

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/283 ,  H01L27/092

Abstract: Verfahren, das umfasst: Bilden einer ersten Schicht (261a) in einer Gateöffnung (260o) einer ersten Gateelektrodenstruktur (260a) eines ersten Transistors (250a) und in einer Gateöffnung (260o) einer zweiten Gateelektrodenstruktur (260b) eines zweiten Transistors (250b), wobei die erste Schicht (261a) ein erstes metallenthaltendes Material aufweist; konformes Bilden einer zweiten Schicht (261b) eines metallenthaltenden Elektrodenmaterials mit einer ersten Dicke in der Gateöffnung (260o) der ersten Gateelektrodenstruktur (260a) des ersten Transistors (250a) und in der Gateöffnung (260o) der zweiten Gateelektrodenstruktur (260b) des zweiten Transistors (250b); Bilden eines Opfermaterials (204b) selektiv an einer Unterseite der Gateöffnung (260o) der zweiten Gateelektrodenstruktur (260b), wobei das Opfermaterial (204b) eine zweite Dicke (204t) besitzt, die kleiner ist als das Dreifache der ersten Dicke; Entfernen eines Bereichs der zweiten Schicht (261b) des metallenthaltenden Elektrodenmaterials aus der Gateöffnung der ersten Gateelektrodenstruktur (260a) während das Opfermaterial (204b) als eine Ätzmaske so verwendet wird, dass die zweite Schicht aus metallenhaltendem Elektrodenmaterial (261b) mit der ersten Dicke an der Unterseite der Gateöffnung der zweiten Gateelektrodenstruktur (250b) bewahrt wird; Entfernen des Opfermaterials (204b) aus der Gateöffnung der zweiten Gateelektrodenstruktur (260b); und Bilden eines leitenden Füllmaterials (262) in der Gateöffnung der ersten und der zweiten Gateelektrodenstruktur (260a, 260b).

公开(公告)号：DE102012205298B4

公开(公告)日：2013-09-05

申请号：DE102012205298

申请日：2012-03-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PRINDLE CHRISTOPHER ,  GROSCHOPF JOHANNES ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: In einem Austauschgateverfahren wird das dielektrische Material für das laterale Einschließen der Gateelektrodenstrukturen in Form eines ersten dielektrischen Zwischenschichtmaterials mit guten Spaltfülleigenschaften und in Form eines zweiten dielektrischen Zwischenschichtmaterials bereitgestellt, das für einen hohen Ätzwiderstand und eine hohe Robustheit während eines Einebnungsprozesses sorgt. Auf diese Weise kann eine unerwünschte Materialerosion beim Ersetzen des Platzhaltermaterials vermieden werden, woraus sich ein reduzierter Ausbeuteverlust und eine bessere Bauteilgleichmäßigkeit ergeben.

公开(公告)号：DE102012213880A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：DE102012213880

申请日：2012-08-06

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEMPEL KLAUS ,  PRINDLE CHRISTOPHER ,  STEPHAN ROLF

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Metallgateelektrodenstrukturen mit großem &egr; auf der Grundlage eines Austauschgateverfahrens werden die Füllbedingungen beim Einfüllen des gut leitenden Elektrodenmetalls, etwa von Aluminium, verbessert, indem das abschließende Austrittsarbeitsmetall, beispielsweise ein Titannitridmaterial, in p-Kanaltransistoren entfernt wird, wobei lediglich ein gut definierte Unterseitenschicht bewahrt wird.