公开(公告)号：DE102009046750B4

公开(公告)日：2019-02-14

申请号：DE102009046750

申请日：2009-11-17

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KIESEL AXEL ,  GROSCHOPF JOHANNES

IPC: H01L21/302 ,  B24B37/04 ,  B24D13/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: Polierkissen für eine elektrochemische Einebnungsanlage, wobei das Polierkissen umfasst:eine strukturierte Kissenoberfläche, die gegen eine zu behandelnde Substratoberfläche zu drücken ist, wobei die strukturierte Kissenoberfläche elektrisch leitende erhabene Bereiche aufweist (111p);mehrere erste Elektrolytströmungskanäle (114), die in der strukturierten Kissenoberfläche gebildet sind, wobei jeder der mehreren ersten Elektrolytströmungskanäle an einem Rand der strukturierten Kissenoberfläche mündet; undmehrere zweite Elektrolytströmungskanäle (114a), die konzentrisch angeordnet sind und mehrere Segmente (110A, 110B, 110C, 110D) bilden, wobei jedes Segment (110A, 110B, 110C, 110D) durch entsprechende zum Rand verlaufende erste Elektrolytströmungskanäle (114) lateral begrenzt ist und strömungsmäßig mit einem einzelnen der entsprechenden begrenzenden Elektrolytströmungskanäle (114) verbunden ist und durch einen elektrisch leitenden erhabenen Bereich (111p) und einen weiteren der ersten Elektrolytströmungskanäle (114) abgetrennt ist.

公开(公告)号：DE102009043328B4

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：DE102009043328

申请日：2009-09-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  RICHTER RALF ,  STEFFEN KATJA ,  GROSCHOPF JOHANNES ,  SELIGER FRANK ,  OTT ANDREAS ,  HEINZ MANFRED ,  WEI ANDY

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06

Abstract: Halbleiterbauelement (100) mit: einem Transistorelement (150) mit einer Gateelektrodenstruktur (110a), die ein Gatedielektrikumsmaterial (111) mit großem ε und ein metallenthaltendes Elektrodenmaterial (118) aufweist, das über dem Gatedielektrikumsmaterial (111) mit großem ε gebildet ist; und einem Widerstand (110b) mit einem Halbleitermaterial (113) mit einem oberen Bereich (113u) und einem unteren Bereich (113l), wobei der obere Bereich (113u) eine elektrische inerte Substanzsorte (104b) aufweist, so dass der obere Bereich (113u) im Vergleich zu dem unteren Bereich (113l) einen erhöhten Ätzwiderstand besitzt.

公开(公告)号：DE102009031113B4

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：DE102009031113

申请日：2009-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEMPEL KLAUS ,  PRESS PATRICK ,  SCHROEDER VIVIEN ,  REIMER BERTHOLD ,  GROSCHOPF JOHANNES

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/283 ,  H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3205

公开(公告)号：DE102010028461B4

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：DE102010028461

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GROSCHOPF JOHANNES ,  HUESELITZ RICO ,  KITSCHE MARCO ,  STEFFEN KATJA

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/336

Abstract: Verfahren zum Einebnen einer Oberfläche eines Halbleiterbauelements in Anwesenheit mindestens zweier unterschiedlicher dielektrischer Materialien, wobei die mindestens zwei unterschiedlichen dielektrischen Materialien Siliziumoxid und Siliziumnitrid umfassen, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen einer ersten Lösung in einer Fertigungsumgebung, wobei die erste Lösung einen ersten pH-Wert aufweist und abreibende Teilchen enthält; Bereitstellen einer zweiten Lösung in der Fertigungsumgebung, wobei die zweite Lösung eine Säure enthält; Erzeugen einer Schleifmittellösung in der Fertigungsumgebung aus mindestens der ersten und der zweiten Lösung, wobei die Schleifmittellösung einen zweiten pH-Wert besitzt, der kleiner ist als der erste pH-Wert, wobei der zweite pH-Wert zu einer Annäherung von Abtragsraten der mindestens zwei unterschiedlichen dielektrischen Materialien bei einem gegebenen Anteil für die abreibenden Teilchen in der Schleifmittellösung führt, so dass eine Ausgewogenheit der Abtragsraten eingestellt wird, durch Einstellung des zweiten pH-Werts auf einen Wert zwischen 6,5 und 8 eines Anteils der abreibenden Teilchen auf einen Wert zwischen 6 Gewichtsprozent und 9 Gewichtsprozent; und Ausführen eines Einebnungsprozesses in der Fertigungsumgebung unter Anwendung der in der Fertigungsumgebung erzeugten Schleifmittellösung.

公开(公告)号：DE102009043328A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：DE102009043328

申请日：2009-09-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  RICHTER RALF ,  STEFFEN KATJA ,  GROSCHOPF JOHANNES ,  SELIGER FRANK ,  OTT ANDREAS ,  HEINZ MANFRED ,  WEI ANDY

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: In einem Austauschgateverfahren wird das Polysiliziummaterial während eines nasschemischen Ätzprozesses effizient entfernt, während das Halbleitermaterial in den Widerstandsstrukturen im Wesentlichen beibehalten wird. Zu diesem Zweck wird eine Substanzsorte, etwa Xenon, in das Halbleitermaterial der Widerstandsstruktur eingebaut, wodurch dem Halbleitermaterial ein deutlich erhöhter Ätzwiderstand verliehen wird. Das Xenon kann in einer beliebigen geeigneten Fertigungsphase eingebaut werden.

公开(公告)号：DE102012205298A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：DE102012205298

申请日：2012-03-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PRINDLE CHRISTOPHER ,  GROSCHOPF JOHANNES ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: In einem Austauschgateverfahren wird das dielektrische Material für das laterale Einschließen der Gateelektrodenstrukturen in Form eines ersten dielektrischen Zwischenschichtmaterials mit guten Spaltfülleigenschaften und in Form eines zweiten dielektrischen Zwischenschichtmaterials bereitgestellt, das für einen hohen Ätzwiderstand und eine hohe Robustheit während eines Einebnungsprozesses sorgt. Auf diese Weise kann eine unerwünschte Materialerosion beim Ersetzen des Platzhaltermaterials vermieden werden, woraus sich ein reduzierter Ausbeuteverlust und eine bessere Bauteilgleichmäßigkeit ergeben.

公开(公告)号：DE102010029527B4

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：DE102010029527

申请日：2010-05-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： WEI ANDY ,  SCHROEDER VIVIEN ,  SCHEIPER THILO ,  WERNER THOMAS ,  GROSCHOPF JOHANNES

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: Verfahren mit: Bilden einer ersten Maskenschicht über einer Halbleiterschicht eines Halbleiterbauelements, wobei die Maskenschicht eine Gateöffnung aufweist, die eine laterale Größe und Lage einer Gateelektrode festlegt; Bilden einer zweiten Maskenschicht in der Gateöffnung, wobei die zweite Maskenschicht mehrere Maskenstrukturelemente aufweist, die eine laterale Größe und Lage mehrerer Stege festlegen, die in der Halbleiterschicht zu bilden sind; Ausführen eines Ätzprozesses unter Anwendung der ersten und der zweiten Maskenschicht, um die Stege in einem Teil der Halbleiterschicht zu erzeugen; Bilden eines dielektrischen Materials in der Gateöffnung nach dem Erzeugen der mehreren Stege, um eine elektrisch wirksame Höhe der mehreren Stege einzustellen; und Bilden einer Gateelektrodenstruktur in der Gateöffnung nach dem Entfernen der zweiten Maskenschicht, wobei die Gateelektrodenstruktur die Gateelektrode aufweist und in Verbindung mit den mehreren Stegen steht.

公开(公告)号：DE102010028461A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：DE102010028461

申请日：2010-04-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GROSCHOPF JOHANNES ,  HUESELITZ RICO ,  KITSCHE MARCO ,  STEFFEN KATJA

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/336

Abstract: Für komplexe CMP-Prozesse, in denen das Abtragen unterschiedlicher dielektrischer Materialien erforderlich ist, möglicherweise in Anwesenheit eines Polysiliziummaterials, wird ein Schleifmittelmaterial am Punkt der Verwendung angepasst, indem ein geeigneter pH-Wert ausgewählt wird und indem eine Agglomeration der abreibenden Teilchen vermieden wird. Die in-situ-Präparation des Schleifmittelmaterials ermöglicht ferner eine sehr dynamische Anpassung der Abtragungsbedingungen, wenn beispielsweise das Polysiliziummaterial von Gateelektrodenstrukturen in Austauschgateverfahren freigelegt wird.

公开(公告)号：DE112005000512B4

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：DE112005000512

申请日：2005-02-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BONSER DOUGLAS J ,  GROSCHOPF JOHANNES ,  DAKSHINA-MURTHY SRIKANTESWARA ,  PELLERIN JOHN G ,  CHEEK JON D

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3105

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Nitridpolierstoppschicht (52) mit einer Dicke von nicht mehr als 40 nm über einem Halbleitersubstrat (50); Bilden einer Öffnung in der Nitridpolierstoppschicht (52) und eines Grabens (53) in dem Halbleitersubstrat (50); Füllen des Grabens (53) mit isolierendem Material, wobei Überschussmaterial auf der Nitridpolierstoppschicht (52) gebildet wird; und Bilden einer planaren oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (50) durch Polieren der oberen Oberfläche des Halbleitersubstrats (50), wobei an der Nitridpolierstoppschicht (52) angehalten wird, wodurch ein flaches Grabenisolationsgebiet (70) gebildet wird; und anschließend Implantieren von Dotierstoffionen durch die Nitridpolierstoppschicht (52), wodurch dotierte Gebiete (80) in dem Halbleitersubstrat (50) benachbart zu dem flachen Grabenisolationsgebiet (70) gebildet werden.

公开(公告)号：DE102009031113A1

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：DE102009031113

申请日：2009-06-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEMPEL KLAUS ,  PRESS PATRICK ,  SCHROEDER VIVIEN ,  REIMER BERTHOLD ,  GROSCHOPF JOHANNES

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/283 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3205

Abstract: In einem Austausch-Gate-Verfahren wird das Opfergatematerial auf der Grundlage einer besseren Prozessgleichmäßigkeit freigelegt, etwa während eines nasschemischen Ätzschrittes oder während eines CMP-Prozesses, indem ein modifizierter Bereich in dem dielektrischen Zwischenschichtmaterial mittels Ionenimplantation gebildet wird. Folglich kann der geschädigte Bereich mit einer höheren Abtragsrate abgetragen werden, wobei das Erzeugen von Polykontaminationsstoffen vermieden wird, wenn ein Ätzprozess angewendet wird, oder wobei eine Nachplolierzeit vermieden wird, wenn ein CMP-Prozess eingesetzt wird.