公开(公告)号：DE102009043328B4

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：DE102009043328

申请日：2009-09-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  RICHTER RALF ,  STEFFEN KATJA ,  GROSCHOPF JOHANNES ,  SELIGER FRANK ,  OTT ANDREAS ,  HEINZ MANFRED ,  WEI ANDY

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/265 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06

Abstract: Halbleiterbauelement (100) mit: einem Transistorelement (150) mit einer Gateelektrodenstruktur (110a), die ein Gatedielektrikumsmaterial (111) mit großem ε und ein metallenthaltendes Elektrodenmaterial (118) aufweist, das über dem Gatedielektrikumsmaterial (111) mit großem ε gebildet ist; und einem Widerstand (110b) mit einem Halbleitermaterial (113) mit einem oberen Bereich (113u) und einem unteren Bereich (113l), wobei der obere Bereich (113u) eine elektrische inerte Substanzsorte (104b) aufweist, so dass der obere Bereich (113u) im Vergleich zu dem unteren Bereich (113l) einen erhöhten Ätzwiderstand besitzt.

公开(公告)号：DE102011079833A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：DE102011079833

申请日：2011-07-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： OSTERMAY INA ,  KRONHOLZ STEPHAN ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/78

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Halbleiterbauelemente werden verformungsinduzierende Halbleitermaterialien in die aktiven Gebiete auf der Grundlage von Aussparungen eingebaut, die mittels kristallographisch anisotroper Ätzverfahren hergestellt werden. Um die gewünschte Gleichmäßigkeit für den epitaktischen Aufwachsvorgang und der Transistoreigenschaften zu erreichen, wird eine vergrabene Ätzstoppschicht in den aktiven Gebieten vorgesehen. Beispielsweise kann die vergrabene Ätzstoppschicht unter Anwendung eines Implantationsprozesses eingebaut werden.

公开(公告)号：DE102009047891A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：DE102009047891

申请日：2009-09-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： BEYER SVEN ,  HEMPEL KLAUS ,  OTT ANDREAS ,  KRUEGEL STEPHAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: In einem Austauschgateverfahren wird eine verbesserte Querschnittsform der Gateöffnung erreicht, indem ein Materialabtragungsprozess in einer Zwischenphase des Entfernens des Platzhaltermaterials angewendet wird. Folglich kann der verbleibende Teil des Platzhaltermaterials effizient die darunterliegenden empfindlichen Materialien, etwa das dielektrische Material mit großem ε, schützen, wenn die Prozesssequenz zur Verrundung der Ecken ausgeführt wird.

公开(公告)号：DE102012205298A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：DE102012205298

申请日：2012-03-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PRINDLE CHRISTOPHER ,  GROSCHOPF JOHANNES ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: In einem Austauschgateverfahren wird das dielektrische Material für das laterale Einschließen der Gateelektrodenstrukturen in Form eines ersten dielektrischen Zwischenschichtmaterials mit guten Spaltfülleigenschaften und in Form eines zweiten dielektrischen Zwischenschichtmaterials bereitgestellt, das für einen hohen Ätzwiderstand und eine hohe Robustheit während eines Einebnungsprozesses sorgt. Auf diese Weise kann eine unerwünschte Materialerosion beim Ersetzen des Platzhaltermaterials vermieden werden, woraus sich ein reduzierter Ausbeuteverlust und eine bessere Bauteilgleichmäßigkeit ergeben.

公开(公告)号：DE102011079833B4

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：DE102011079833

申请日：2011-07-26

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： OSTERMAY INA ,  KRONHOLZ STEPHAN ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/04

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Halbleiterbauelemente werden verformungsinduzierende Halbleitermaterialien in die aktiven Gebiete auf der Grundlage von Aussparungen eingebaut, die mittels kristallographisch anisotroper Ätzverfahren hergestellt werden. Um die gewünschte Gleichmäßigkeit für den epitaktischen Aufwachsvorgang und der Transistoreigenschaften zu erreichen, wird eine vergrabene Ätzstoppschicht in den aktiven Gebieten vorgesehen. Beispielsweise kann die vergrabene Ätzstoppschicht unter Anwendung eines Implantationsprozesses eingebaut werden.

公开(公告)号：DE102011005642B4

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：DE102011005642

申请日：2011-03-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LEHR MATTHIAS ,  HOHAGE JOERG ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/50

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Metallisierungssysteme auf der Grundlage von Kupfer erhält die abschließende Metallisierungsschicht Kontaktgebiete auf der Grundlage von Kupfer, deren Oberfläche auf der Grundlage einer speziellen Schutzschicht passiviert wird, die somit das Strukturieren des Passivierungsschichtstapels vor dem Transportieren des Bauelements zu einer entfernten Fertigungsstelle ermöglicht. Somit kann die geschützte Kontaktoberfläche effizient in der entfernten Fertigungsstätte auf der Grundlage eines effizienten nicht maskierten nasschemischen Ätzprozesses wieder freigelegt werden.

公开(公告)号：DE102011005642A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：DE102011005642

申请日：2011-03-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LEHR MATTHIAS ,  HOHAGE JOERG ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/50

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Metallisierungssysteme auf der Grundlage von Kupfer erhält die abschließende Metallisierungsschicht Kontaktgebiete auf der Grundlage von Kupfer, deren Oberfläche auf der Grundlage einer speziellen Schutzschicht passiviert wird, die somit das Strukturieren des Passivierungsschichtstapels vor dem Transportieren des Bauelements zu einer entfernten Fertigungsstelle ermöglicht. Somit kann die geschützte Kontaktoberfläche effizient in der entfernten Fertigungsstätte auf der Grundlage eines effizienten nicht maskierten nasschemischen Ätzprozesses wieder freigelegt werden.

公开(公告)号：DE102010063772A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE102010063772

申请日：2010-12-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： KRONHOLZ STEPHAN ,  OTT ANDREAS ,  OSTERMAY INA

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: Bei der Herstellung komplexer Transistoren, die eine eingebettete Halbleiterlegierung erfordern, werden die Aussparungen mit erhöhter Gleichmäßigkeit auf der Grundlage beispielsweise kristallographisch anisotroper Ätzschritte hergestellt, indem eine gleichmäßige Oxidschicht geschaffen wird, um damit prozessabhängige Schwankungen oder Wartezeitschwankungen auszugleichen. Die gleichmäßige Oxidschicht kann auf der Grundlage eines APC-Steuerungsschemas hergestellt werden.

公开(公告)号：DE102009043328A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：DE102009043328

申请日：2009-09-30

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： HEINRICH JENS ,  RICHTER RALF ,  STEFFEN KATJA ,  GROSCHOPF JOHANNES ,  SELIGER FRANK ,  OTT ANDREAS ,  HEINZ MANFRED ,  WEI ANDY

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: In einem Austauschgateverfahren wird das Polysiliziummaterial während eines nasschemischen Ätzprozesses effizient entfernt, während das Halbleitermaterial in den Widerstandsstrukturen im Wesentlichen beibehalten wird. Zu diesem Zweck wird eine Substanzsorte, etwa Xenon, in das Halbleitermaterial der Widerstandsstruktur eingebaut, wodurch dem Halbleitermaterial ein deutlich erhöhter Ätzwiderstand verliehen wird. Das Xenon kann in einer beliebigen geeigneten Fertigungsphase eingebaut werden.

公开(公告)号：DE102007041207B4

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：DE102007041207

申请日：2007-08-31

Applicant: GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MOD 1 ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： WEI ANDY ,  WAITE ANDREW ,  TRENTZSCH MARTIN ,  GROSCHOPF JOHANNES ,  GRASSHOFF GUNTER ,  OTT ANDREAS

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: Verfahren mit: Bilden eines ersten Transistors (350n, 350p) mit einer ersten Gateelektrodenstruktur (310) über einem ersten Bauteilgebiet, wobei der erste Transistor (350n, 350p) Metallsilizidgebiete (316) aufweist, die in den Source- und Draingebieten gebildet sind; Bilden eines zweiten Transistors (350n, 350p) mit einer zweiten Gateelektrodenstruktur (310) über einem zweiten Bauteilgebiet, wobei der zweite Transistor (350n, 350p) Metallsilizidgebiete (316) aufweist, die in den Source- und Draingebieten gebildet sind; Bilden einer Ätzstoppschicht (320) und einer Opferschicht (319) über dem ersten Transistor (350n, 350p) und dem zweiten Transistor (350n, 350p) nach dem Bilden der Metallsilizidgebiete (316) in dem ersten und dem zweiten Transistor; Ersetzen der ersten Gateelektrodenstruktur (310) durch eine erste Austauschgatestruktur (310a) mit einem dielektrischen Material mit großem &egr; (323) und einem ersten metallenthaltenden Gateelektrodenmaterial (324), während der zweite Transistor durch eine Maske (321) abgedeckt ist; Entfernen der zweiten Gateelektrodenstruktur (310) auf der Grundlage eines selektiven Ätzprozesses (325), während die erste Austauschgateelektrodenstruktur ebenfalls der Einwirkung des selektiven Ätzprozesses (325) ausgesetzt ist; Bilden einer zweiten Austauschgateelektrodenstruktur mit einem Material mit großem &egr; und einem zweiten metallenthaltenden Gateelektrodenmaterial (326); und Entfernen der Opferschicht (319) über dem ersten Transistor und dem zweiten Transistor unter Anwendung der Ätzstoppschicht (320) als Ätzstopp.