公开(公告)号：DE102019200988A1

公开(公告)日：2019-09-12

申请号：DE102019200988

申请日：2019-01-28

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SIDDIQUI SHARIQ ,  YOU HAN ,  ZHANG XUNYUAN ,  GALATAGE ROHIT ,  QUON ROGER A ,  PENNY CHRISTOPHER J

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf Halbleiterstrukturen und insbesondere auf Metall-Isolator-Metall-Kondensatorvorrichtungen und Herstellungsverfahren. Das Verfahren umfasst: ein Abscheiden einer Bodenplatte; ein Abscheiden eines dielektrischen Films über der Bodenplatte; ein Aussetzen des dielektrischen Films einem Gas; ein Härten des dielektrischen Films; und ein Abscheiden einer oberen Platte über dem dielektrischen Film.