公开(公告)号：DE102018222690A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：DE102018222690

申请日：2018-12-21

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ADUSUMILLI SIVA P ,  STAMPER ANTHONY K ,  SCHUTZ LAURA J ,  LUCE CAMERON E

IPC: H01L21/76 ,  H01L27/085 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere versiegelte Hohlraumstrukturen mit einer ebenen Oberfläche und Verfahren zur Herstellung. Die Struktur umfasst eine Aussparung, die in einem Substratmaterial gebildet ist und die eine Krümmung an ihrem oberen Ende aufweist. Die Aussparung ist mit einem epitaktischen Material bedeckt, das eine ebene obere Oberfläche aufweist.