公开(公告)号：DE102019203446A1

公开(公告)日：2019-10-24

申请号：DE102019203446

申请日：2019-03-14

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SIDDIQUI SHAHAB ,  PARVANEH HAMED ,  PARK MIRA ,  LEVESQUE ANNIE ,  YANG YINXIAO ,  MI HONGYI ,  SIRMAN ASLI

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Es werden ein Verfahren zum Reinigen einer Low-k-Abstandshalterausnehmung durch ein Niederenergie-RF-Plasma bei einer bestimmten Substrattemperatur für ein fehlerfreies epitaktisches Wachstum von Si, SiGe, Ge, III-V und III-N und die resultierende Vorrichtung bereitgestellt. Ausführungsformen umfassen ein Bereitstellen eines Substrats mit einer Low-k-Abstandshalterausnehmung; ein Reinigen der Low-k-Abstandshalterausnehmung mit einem Niederenergie-RF-Plasma bei einer Substrattemperatur zwischen Raumtemperatur und 600°C; und ein Bilden eines epitaktischen Films oder eines RSD in der Low-k-Abstandshalterausnehmung nach der Niederenergie-RF-Plasmareinigung.

公开(公告)号：DE102019202857A1

公开(公告)日：2019-10-02

申请号：DE102019202857

申请日：2019-03-04

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GAO QUN ,  NASSAR CHRISTOPHER ,  KRISHNAMURTHY SUGIRTHA ,  FERRER LUPPI DOMINGO ANTONIO ,  SPORRE JOHN ,  SIDDIQUI SHAHAB ,  BAUMERT BETH ,  ZAINUDDIN ABU ,  LIU JINPING ,  LEE TAE JEONG ,  PANTISANO LUIGI ,  LAZAR HEATHER ,  ZANG HUI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/285 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: Es werden ein Verfahren zum Steuern der Gate-Länge innerhalb einer FinFET-Vorrichtung, um das Leistungsvermögen zu erhöhen, und die sich ergebende Vorrichtung bereitgestellt. Ausführungsformen umfassen ein Bilden eines vertikalen Gates, das sich über eine Mehrzahl von Finnen erstreckt; ein Abscheiden einer entsprechenden Oxidschicht über jedem von der Mehrzahl von Skirt-Bereichen, die an entsprechenden Schnittpunkten des vertikalen Gates mit der Mehrzahl von Finnen gebildet sind; und ein Oxidieren von jeder Oxidschicht, um eine Mehrzahl von oxidierten Gate-Skirts zu bilden.