公开(公告)号：DE102019202857A1

公开(公告)日：2019-10-02

申请号：DE102019202857

申请日：2019-03-04

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GAO QUN ,  NASSAR CHRISTOPHER ,  KRISHNAMURTHY SUGIRTHA ,  FERRER LUPPI DOMINGO ANTONIO ,  SPORRE JOHN ,  SIDDIQUI SHAHAB ,  BAUMERT BETH ,  ZAINUDDIN ABU ,  LIU JINPING ,  LEE TAE JEONG ,  PANTISANO LUIGI ,  LAZAR HEATHER ,  ZANG HUI

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/285 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: Es werden ein Verfahren zum Steuern der Gate-Länge innerhalb einer FinFET-Vorrichtung, um das Leistungsvermögen zu erhöhen, und die sich ergebende Vorrichtung bereitgestellt. Ausführungsformen umfassen ein Bilden eines vertikalen Gates, das sich über eine Mehrzahl von Finnen erstreckt; ein Abscheiden einer entsprechenden Oxidschicht über jedem von der Mehrzahl von Skirt-Bereichen, die an entsprechenden Schnittpunkten des vertikalen Gates mit der Mehrzahl von Finnen gebildet sind; und ein Oxidieren von jeder Oxidschicht, um eine Mehrzahl von oxidierten Gate-Skirts zu bilden.

公开(公告)号：DE102019208420A1

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：DE102019208420

申请日：2019-06-11

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： PENG JIANWEI ,  LIM SANG WOO ,  STOKER MATTHEW WAHLQUIST ,  LIU HUANG ,  LIU JINPING

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: Es werden ein Verfahren zum Bilden einer Logik- oder Speicherzelle mit einer Epi-RSD-Breite von mehr als 1,3 × Finnenabstand und die resultierende Vorrichtung bereitgestellt. Ausführungsformen umfassen eine Vorrichtung, die einen RSD-Bereich umfasst, der auf jeder von einer Vielzahl von Finnen über einem Substrat ausgebildet ist, wobei das RSD eine Breite, die größer ist als 1,3 × Finnenabstand, ein auf dem RSD ausgebildetes TS und eine über dem TS ausgebildete ILD aufweist.

公开(公告)号：DE102019204737A1

公开(公告)日：2019-11-07

申请号：DE102019204737

申请日：2019-04-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHU JIEHUI ,  ECONOMIKOS LAERTIS ,  WU XUSHENG ,  ZHANG JOHN ,  HUANG HAIGOU ,  ZHAN HUI ,  HAN TAO ,  WANG HAITING ,  LIU JINPING ,  ZANG HUI

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: In Verbindung mit einem Austausch-Metall-Gate (RMG) -Prozess zur Bildung eines Finnen-Feldeffekttransistors (FinFET) nutzen Gate-Isolationsverfahren und zugehörige Strukturen die Bildung von unterschiedlichen schmalen und breiten Gateschnittbereichen in einem Opfergate. Die Bildung eines schmalen Gateschnitts zwischen eng beabstandeten Finnen kann das Ausmaß des Ätzschadens an dielektrischen Zwischenschichtschichten benachbart zu dem schmalen Gateschnitt verringern, indem die Abscheidung solcher dielektrischen Schichten bis nach der Bildung der schmalen Gateschnittöffnung verzögert wird. Die Verfahren und resultierenden Strukturen verringern auch die Neigung zu Kurzschlüssen zwischen später gebildeten benachbarten Gates.

公开(公告)号：DE102018218457A1

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：DE102018218457

申请日：2018-10-29

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHU JIEHUI ,  PARK CHANG SEO ,  YAMAGUCHI SHIMPEI ,  HAN TAO ,  YANG YONG MO ,  LIU JINPING ,  YANG HYUCK SOO

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: Ein hierin beschriebenes anschauliches Verfahren umfasst unter anderem ein Bilden einer Opfergatestruktur über einem Halbleitersubstrat, wobei die Opfergatestruktur eine Opfergateisolationsschicht und ein Opfergateelektrodenmaterial umfasst, ein Durchführen eines ersten Gate-Schnitt-Ätzprozesses, um dadurch eine Öffnung in dem Opfergateelektrodenmaterial zu bilden und einen internen Seitenwandabstandshalter in der Öffnung zu bilden. In diesem Beispiel umfasst das Verfahren auch nach dem Bilden des internen Seitenwandabstandshalters ein Durchführen eines zweiten Gate-Schnitt-Ätzprozesses durch die Öffnung, wobei der zweite Gate-Schnitt-Ätzprozess angepasst ist, um das Opfergateelektrodenmaterial zu bilden, wobei ein oxidierender Ausheizprozess durchgeführt wird und ein isolierendes Material wenigstens in der Öffnung gebildet wird.

公开(公告)号：DE102019208027A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102019208027

申请日：2019-06-03

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHU JIEHUI ,  ZHANG JOHN H ,  LIU JINPING

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

Abstract: Systeme und Verfahren zum Abscheiden eines Materials durch Atomschichtabscheidung. Eine erste Gasverteilungseinheit ist konfiguriert, um einen ersten Precursor für eine erste Zone innerhalb einer Reaktionskammer bereitzustellen. Eine zweite Gasverteilungseinheit ist konfiguriert, um einen zweiten Precursor für eine zweite Zone innerhalb der Reaktionskammer bereitzustellen. Ein Substratträger ist angeordnet, um die Substrate innerhalb der Reaktionskammer zu halten. Der Substratträger ist konfiguriert, um die Substrate in Bezug auf die Reaktionskammer linear von der ersten Zone in die zweite Zone als Teil eines zyklischen Abscheidungszyklus eines Atomschichtabscheidungsprozesses zu bewegen, der den Film auf jedem der Substrate abscheidet, die vom Substratträger gehalten werden.

公开(公告)号：DE102014223911A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：DE102014223911

申请日：2014-11-25

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： FRONHEISER JODY A ,  KRISHNAN BHARAT V ,  AKARVARDAR MURAT KEREM ,  BENTLEY STEVEN ,  JACOB AJEY POOVANNUMMOOTTIL ,  LIU JINPING

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04

Abstract: Eine hierin offenbarte anschauliche Vorrichtung umfasst einen Fin, der in einem Halbleitersubstrat mit einer Kristallstruktur festgelegt ist, wobei wenigstens eine Seitenwand des Fins in einer im Wesentlichen -Kristallrichtung des Substrats angeordnet ist, eine Gatestruktur, die um den Fin angeordnet ist, einen äußersten Seitenwandabstandshalter, der an gegenüberliegenden Seiten der Gatestruktur angeordnet ist, und ein Epi-Halbleitermaterial, das um Bereiche des Fins gebildet ist, die seitlich außerhalb des äußersten Seitenwandabstandshalters in den Source-/Drainbereichen der Vorrichtung angeordnet sind, wobei das Epi-Halbleitermaterial entlang der Seitenwände des Fins eine im Wesentlichen gleichförmige Dicke aufweist.

公开(公告)号：DE102019205807A1

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：DE102019205807

申请日：2019-04-24

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHU JIEHUI ,  BRUNCO DAVID PAUL ,  LIU PEI ,  SIDDIQUI SHARIQ ,  LIU JINPING

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L21/288 ,  H01L29/78

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Bilden von Kontakten über aktiven Gates bereitgestellt. Ausführungsformen umfassen ein Bilden von ersten und zweiten Gatestrukturen über einem Abschnitt einer Finne; ein Bilden eines ersten und eines zweiten RSD an einem Abschnitt der Finne zwischen den ersten Gatestrukturen bzw. zwischen der ersten und der zweiten Gatestruktur; ein Bilden von TS-Strukturen über dem ersten und zweiten RSD; ein Bilden einer ersten Deckschicht über den ersten und zweiten Gatestrukturen oder über den TS-Strukturen; ein Bilden eines Metalloxid-Liners über dem Substrat und den Gräben; ein Füllen der Gräben mit einer zweiten Deckschicht; ein Bilden einer ILD-Schicht über dem Substrat; ein Bilden eines CA durch einen ersten Abschnitt der ILD und der Metalloxidschicht bis zu den TS-Strukturen über dem zweiten RSD; und ein Bilden eines CB durch einen zweiten Abschnitt der ILD und der Metalloxidschicht bis zu den ersten Gatestrukturen.

公开(公告)号：DE102019204020A1

公开(公告)日：2019-10-24

申请号：DE102019204020

申请日：2019-03-25

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHU JIEHUI ,  ZHANG XIAOQIANG ,  YIN HAIZHOU ,  CHAE MOOSUNG M ,  LIU JINPING ,  ZANG HUI

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/60

Abstract: Verbindungsstrukturen und Verfahren zum Herstellen einer Verbindungsstruktur. Eine erste Zwischenverbindung und eine zweite Zwischenverbindung erstrecken sich in einer ersten Richtung in einer dielektrischen Zwischenschicht und sind voneinander beabstandet. Eine dritte Zwischenverbindung ist in der dielektrischen Zwischenschicht angeordnet, um die erste Zwischenverbindung mit der zweiten Zwischenverbindung zu verbinden. Die erste Zwischenverbindung und die zweite Zwischenverbindung weisen eine erste Breite auf und die dritte Zwischenverbindung weist eine zweite Breite auf, die kleiner ist als die erste Breite.

公开(公告)号：DE102019201288A1

公开(公告)日：2019-09-12

申请号：DE102019201288

申请日：2019-02-01

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： GU MAN ,  HAN TAO ,  HONG JUNSIC ,  SHU JIEHUI ,  SIRMAN ASLI ,  ADAMS CHARLOTTE ,  LIU JINPING ,  TABAKMAN KEITH

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78

Abstract: Es werden ein Verfahren zum Bilden eines stabilen Low-k-Seitenwandabstandshalters, wobei ein oberer Abschnitt des Abstandshalters einer thermischen Behandlung und Plasma-Behandlung vor nachfolgenden Prozessen unterzogen wird und die sich ergebende Vorrichtung bereitgestellt. Ausführungsformen umfassen ein Bereitstellen eines Paares von Gates, die durch einen tiefen Graben über einem Substrat getrennt sind, eine EPI-Schicht am Boden des tiefen Grabens und eines Low-k-Seitenwandabstandshalters auf jeder gegenüberliegenden Seitenwand des Paares; ein Bilden einer Maskenschicht am Boden des tiefen Grabens, wobei ein oberer Abschnitt der Low-k-Seitenwandabstandshalter freiliegt; und ein Behandeln des oberen Abschnitts der Low-k-Seitenwandabstandshalter mit einer thermischen Behandlung und Plasma-Behandlung.