公开(公告)号：DE102018221806A1

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：DE102018221806

申请日：2018-12-14

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： LICAUSI NICHOLAS V ,  LAW SHAO BENG ,  SINGH SUNIL K ,  ZHANG XUNYUAN

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Zwischenverbindungsstrukturen und Verfahren zum Bilden einer Zwischenverbindungsstruktur. Es werden erste und zweite Metallisierungsstrukturen in einer dielektrischen Zwischenschicht gebildet. Die dielektrische Zwischenschicht wird entfernt, um eine Aussparung mit einem Eingang zwischen den ersten und zweiten Metallisierungsstrukturen zu bilden. Auf Oberflächen, die die Aussparung umgeben, wird eine dielektrische Schicht über der ersten Metallisierungsstruktur und über der zweiten Metallisierungsstruktur gebildet. Innerhalb der Aussparung wird ein Opfermaterial gebildet, nachdem die dielektrische Schicht abgeschieden wird. Auf der dielektrischen Schicht wird eine Deckschicht über der ersten Metallisierungsstruktur, der dielektrischen Schicht über der zweiten Metallisierungsstruktur und dem Opfermaterial innerhalb der Aussparung nahe dem Eingang der Aussparung abgeschieden. Nach Abscheidung der Deckschicht wird das Opfermaterial von der Aussparung entfernt. Die dielektrische Schicht und die Deckschicht wirken zusammen, um einen Luftspalt innerhalb der Aussparung einzukapseln.