公开(公告)号：DE102018202253B4

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：DE102018202253

申请日：2018-02-14

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHANK STEVEN M ,  VAUGHN DAISY ,  DOAN THAI

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: Struktur (10; 10'), umfassend:wenigstens eine Gatestruktur (12) auf einem Substrat (16);ein Zwischenebenen-Dielektrikumsmaterial (18) über dem Substrat (16); undeine Grabenisolationsstruktur (14; 14') mit einem Luftspalt (14c; 14'c), der sich an der wenigstens einen Gatestruktur (12) in das Substrat (16) erstreckt und in dem Zwischenebenen-Dielektrikumsmaterial (18) über dem Substrat (16) endet, wobei die Grabenisolationsstruktur (14; 14') eine Tiefgrabenisolationsstruktur ist, die durch das Zwischenebenen-Dielektrikumsmaterial (18) verengt wird.

公开(公告)号：DE102018202253A1

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102018202253

申请日：2018-02-14

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHANK STEVEN M ,  VAUGHN DAISY ,  DOAN THAI

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/092

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere Tiefgrabenisolationsstrukturen und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: wenigstens eine Gatestruktur auf einem Substrat; ein Zwischenebenen-Dielektrikumsmaterial über dem Substrat; und eine Grabenisolationsstruktur, die sich in das Substrat an der wenigstens einen Gatestruktur erstreckt und in dem Zwischenebenen-Dielektrikumsmaterial über dem Substrat endet.