公开(公告)号：DE102018202253B4

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：DE102018202253

申请日：2018-02-14

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHANK STEVEN M ,  VAUGHN DAISY ,  DOAN THAI

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: Struktur (10; 10'), umfassend:wenigstens eine Gatestruktur (12) auf einem Substrat (16);ein Zwischenebenen-Dielektrikumsmaterial (18) über dem Substrat (16); undeine Grabenisolationsstruktur (14; 14') mit einem Luftspalt (14c; 14'c), der sich an der wenigstens einen Gatestruktur (12) in das Substrat (16) erstreckt und in dem Zwischenebenen-Dielektrikumsmaterial (18) über dem Substrat (16) endet, wobei die Grabenisolationsstruktur (14; 14') eine Tiefgrabenisolationsstruktur ist, die durch das Zwischenebenen-Dielektrikumsmaterial (18) verengt wird.

公开(公告)号：DE102018202253A1

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102018202253

申请日：2018-02-14

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHANK STEVEN M ,  VAUGHN DAISY ,  DOAN THAI

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/092

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere Tiefgrabenisolationsstrukturen und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: wenigstens eine Gatestruktur auf einem Substrat; ein Zwischenebenen-Dielektrikumsmaterial über dem Substrat; und eine Grabenisolationsstruktur, die sich in das Substrat an der wenigstens einen Gatestruktur erstreckt und in dem Zwischenebenen-Dielektrikumsmaterial über dem Substrat endet.

公开(公告)号：DE112011102135B4

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：DE112011102135

申请日：2011-06-08

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： DOAN THAI ,  DUNBAR GEORGE A ,  HERRIN RUSSELL T ,  JAHNES CHRISTOPHER V ,  MALING JEFFREY C ,  DANG DINH ,  MURPHY WILLIAM J ,  TWOMBLY JOHN G ,  HE ZHONG-XIANG ,  STAMPER ANTHONY K ,  WHITE ERIC J

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

Abstract: Verfahren, aufweisend Bilden mindestens eines Hohlraums eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS), welcher eine planare Fläche aufweist, unter Anwendung eines reversen Damaszener-Verfahrens, wobei das reverse Damaszener-Verfahren Folgendes aufweist: Abscheiden eines Resist (26) auf einer Isolatorschicht (24),Strukturieren zur Bildung einer Öffnung (28) mit Rändern (26a) des Resist (26), die eine darunter angeordnete Siliciumschicht (18) überlappen, welche als Opferschicht verwendet wird, um einen des mindestens einen Hohlraumes zu bilden, und wobei die Isolatorschicht derart geätzt wird, um einen bilderrahmenartige Rand (30) zu bilden, welcher die darunter angeordnete Siliciumschicht (18) umgibt, und Planarisieren der Isolatorschicht (24) mit der darunter angeordneten Siliciumschicht (18).