公开(公告)号：DE102019219696A1

公开(公告)日：2020-07-23

申请号：DE102019219696

申请日：2019-12-16

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ADUSUMILLI SIVA P ,  SHANK STEVEN M

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B6/132 ,  G02B6/42 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/48

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleiterstrukturen und insbesondere auf Through-Silicon-Vias (TSV) zur heterogenen Integration von Halbleitervorrichtungsstrukturen und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: eine Vielzahl von Hohlraumstrukturen, die in einem einzelnen Substrat bereitgestellt sind; mindestens eine optische Vorrichtung, die auf zwei Seiten des einzelnen Substrats und zwischen der Vielzahl von Hohlraumstrukturen bereitgestellt ist; und eine optische Through-Wafer-Via zwischen der Vielzahl von Hohlraumstrukturen, die sich durch das Substrat erstreckt und die eine Rückseite der mindestens einen optischen Vorrichtung freilegt.

公开(公告)号：DE102018202253A1

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE102018202253

申请日：2018-02-14

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHANK STEVEN M ,  VAUGHN DAISY ,  DOAN THAI

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/092

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Halbleiterstrukturen und insbesondere Tiefgrabenisolationsstrukturen und Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: wenigstens eine Gatestruktur auf einem Substrat; ein Zwischenebenen-Dielektrikumsmaterial über dem Substrat; und eine Grabenisolationsstruktur, die sich in das Substrat an der wenigstens einen Gatestruktur erstreckt und in dem Zwischenebenen-Dielektrikumsmaterial über dem Substrat endet.

公开(公告)号：DE102018202253B4

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：DE102018202253

申请日：2018-02-14

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHANK STEVEN M ,  VAUGHN DAISY ,  DOAN THAI

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: Struktur (10; 10'), umfassend:wenigstens eine Gatestruktur (12) auf einem Substrat (16);ein Zwischenebenen-Dielektrikumsmaterial (18) über dem Substrat (16); undeine Grabenisolationsstruktur (14; 14') mit einem Luftspalt (14c; 14'c), der sich an der wenigstens einen Gatestruktur (12) in das Substrat (16) erstreckt und in dem Zwischenebenen-Dielektrikumsmaterial (18) über dem Substrat (16) endet, wobei die Grabenisolationsstruktur (14; 14') eine Tiefgrabenisolationsstruktur ist, die durch das Zwischenebenen-Dielektrikumsmaterial (18) verengt wird.

公开(公告)号：DE102018208045A1

公开(公告)日：2018-12-06

申请号：DE102018208045

申请日：2018-05-23

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： ADUSUMILLI SIVA P ,  SHANK STEVEN M ,  PHELPS RICHARD A ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

Abstract: Strukturen für Flachgrabenisolationsgebiete und Verfahren zum Bilden von Flachgrabenisolationsgebieten. Ein Graben wird teilweise durch eine Vorrichtungsschicht eines Silizium-auf-Isolator-Substrats geätzt. An einem Boden des Grabens wird ein Abschnitt der Vorrichtungsschicht thermisch oxidiert, um ein Flachgrabenisolationsgebiet in dem Graben zu bilden. Während der thermischen Oxidation kann ein anderer Bereich der Vorrichtungsschicht gleichzeitig teilweise über eine Dicke oxidiert werden und, nach Entfernung der Oxidschicht von diesem Vorrichtungsschichtbereich, kann er als ein dünner Siliziumkörper verwendet werden. Vor dem thermischen Oxidationsprozess kann der Vorrichtungsschichtbereich mit einer Sorte implantiert werden, die eine Oxidation verzögert, die ihre Oxidationsrate im Vergleich zu der Oxidationsrate des Abschnitts der Vorrichtungsschicht verringert, die verwendet wird, um das Flachgrabenisolationsgebiet zu bilden.

公开(公告)号：DE102018203747A1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：DE102018203747

申请日：2018-03-13

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： SHANK STEVEN M ,  JOSEPH ALVIN J ,  ELLIS-MONAGHAN JOHN J

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/283 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: Vorrichtungsstrukturen für einen Feldeffekttransistor und Verfahren zum Bilden einer Vorrichtungsstruktur für einen Feldeffekttransistor. Es wird eine erste Dielektrikumsschicht gebildet und auf der ersten Dielektrikumsschicht wird eine zweite Dielektrikumsschicht gebildet. Es wird eine Öffnung gebildet, die sich vertikal durch die ersten und zweiten Dielektrikumsschichten erstreckt. Nach Bildung der ersten Öffnung wird die zweite Dielektrikumsschicht relativ zu der ersten Dielektrikumsschicht mit einem selektiven Ätzprozess seitlich ausgespart, der einen Abschnitt der Öffnung, die sich vertikal durch die zweite Dielektrikumsschicht erstreckt, relativ zu einem Abschnitt der Öffnung, der sich vertikal durch die erste Dielektrikumsschicht erstreckt, verbreitert. Nachdem die zweite Dielektrikumsschicht seitlich ausgespart ist, wird eine Gateelektrode gebildet, die einen engen Abschnitt in dem Abschnitt der Öffnung, die sich vertikal durch die erste Dielektrikumsschicht erstreckt, und einen breiten Abschnitt in dem Abschnitt der Öffnung umfasst, die sich vertikal durch die zweite Dielektrikumsschicht erstreckt.