公开(公告)号：DE102019219874A1

公开(公告)日：2020-07-30

申请号：DE102019219874

申请日：2019-12-17

Applicant: GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： STAMPER ANTHONY K ,  VAUGHN DAISY A ,  BOSLEY STEPHEN R ,  HE ZHONG-XIANG

IPC: H01L27/08 ,  H01L21/822

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleiterstrukturen und insbesondere auf Verdrahtungen mit engem Pitch und Kondensatoren, sowie auf Herstellungsverfahren. Die Struktur umfasst: einen Kondensator, umfassend: eine untere Platte aus einem ersten leitfähigen Material; ein Isolationsmaterial auf der unteren Platte; und eine obere Platte aus einem zweiten leitfähigen Material auf dem Isolationsmaterial; und eine Vielzahl von Verdrahtungen auf der gleichen Ebene wie die untere Platte, wobei die Vielzahl von Verdrahtungen aus dem zweiten leitfähigen Material gebildet ist.