公开(公告)号：DE102014111372A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：DE102014111372

申请日：2014-08-08

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： KOZAKAI TOMOKAZU ,  MATSUDA OSAMU ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  AITA KAZUO ,  ARAMAKI FUMIO ,  YASAKA ANTO ,  OBA HIROSHI

IPC: H01J1/304 ,  B82B3/00 ,  C30B29/02 ,  G01Q70/10 ,  G01Q70/14 ,  G03F1/72 ,  H01J9/02 ,  H01J37/073

Abstract: Es ist eine Iridium-Spitze bereitgestellt, welche einen Pyramiden-Aufbau umfasst, welcher eine {100} Kristallebene als eine von einer Mehrzahl von Pyramidenflächen in einem angespitzten Scheitelpunkt-Abschnitt eines Einzelkristalls mit einer Ausrichtung hat. Die Iridium-Spitze wird bei einer Gasfeld-Ionenquelle oder einer Elektronenquelle angewendet. Die Gasfeld-Ionenquelle und/oder die Elektronenquelle wird bzw. werden bei einer Einrichtung eines fokussierten Ionenstrahls, einem Elektronenmikroskop, einer Einrichtung zur Analyse unter Anwendung eines Elektronenstrahls, einer Ionen-Elektronen-Mehrfachstrahl-Einrichtung, einem Rastersondenmikroskop oder einer Masken-Reparatureinrichtung angewendet.

公开(公告)号：DE102020213108A1

公开(公告)日：2021-04-22

申请号：DE102020213108

申请日：2020-10-16

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： SUGIYAMA YASUHIKO ,  NAGAHARA KOJI

IPC: H01J37/28 ,  H01J37/147

Abstract: Bereitgestellt werden ein Ladungsteilchenstrahlgerät, ein Verbundladungsteilchenstrahlgerät und ein Steuerverfahren für ein Ladungsteilchenstrahlgerät, mit welchen, wenn eine Objektivlinse zwischen einem Beschleunigungsmodus und einem Verzögerungsmodus umgeschaltet wird oder eine Anlegespannung einer Verstärkerelektrode, welche die Objektivlinse bildet, verändert wird, es möglich ist, ein abgetastetes Bild einer Probenfläche ohne irgendeine Verzerrung und mit einem genauen Maß auf dem gleichen Niveau wie bei einem Bild vor dem Umschalten oder der Änderung zu erhalten. Das Ladungsteilchenstrahlgerät umfasst: eine Ladungsteilchenquelle, welche dafür ausgelegt ist, um Ladungsteilchen zu erzeugen; eine Vielzahl von Abtastelektroden, welche dafür ausgelegt sind, um elektrische Felder zum Ablenken von Ladungsteilchen zu erzeugen, welche durch Anlegen einer Beschleunigungsspannung an die Ladungsteilchenquelle und Anlegen einer Extraktionsspannung an eine Extraktionselektrode ausgestrahlt werden, welche dafür ausgelegt ist, um die Ladungsteilchen zu extrahieren; eine elektrostatische Linse, welche zwischen der Vielzahl von Abtastelektroden und einem Probentisch vorgesehen und dafür ausgelegt ist, um einen durch die Vielzahl von Abtastelektroden abgelenkten geladenen Ladungsteilchenstrahl zu fokussieren; und eine Verarbeitungseinheit, welche dafür ausgelegt ist, um eine Messbedingung zu erhalten und jede an die Vielzahl von

公开(公告)号：DE102013102777B4

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：DE102013102777

申请日：2013-03-19

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： SUGIYAMA YASUHIKO ,  AITA KAZUO ,  ARAMAKI FUMIO ,  KOZAKAI TOMOKAZU ,  MATSUDA OSAMU ,  YASAKA ANTO

IPC: H01J37/30

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines angespitzten, nadelförmigen Emitters, wobei das Verfahren umfasst:elektrolytisches Polieren eines End-Abschnittes von einem elektrisch leitfähigen Emitter-Material, derart, dass er in Richtung zu einem Spitzen-Abschnitt davon spitz zuläuft;Durchführen eines ersten Ätzens, bei welchem der elektrolytisch polierte Abschnitt des Emitter-Materials mit einem fokussierten Ionenstrahl derart bestrahlt wird, dass pyramidenförmige Flächen erstellt werden, um einen pyramidenförmigen, angespitzten Abschnitt auszubilden, welcher eine Spitze hat, welche den Spitzen-Abschnitt umfasst; undDurchführen eines zweiten Ätzens, bei welchem der Spitzen-Abschnitt des angespitzten Abschnitts durch feldunterstütztes Gas-Ätzen weiter angespitzt wird, während ein Kristall-Aufbau am Spitzen-Abschnitt des angespitzten Abschnitts durch ein Feld-Ionen-Mikroskop beobachtet wird, und die Anzahl von Atomen an einer Vorderkante des Spitzen-Abschnitts des angespitzten Abschnitts auf eine vorbestimmte Anzahl oder weniger beibehalten wird.

公开(公告)号：DE102016101688A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：DE102016101688

申请日：2016-02-01

Applicant: HITACHI HIGH-TECH SCIENCE CORP

Inventor： YASAKA ANTO ,  KOZAKAI TOMOKAZU ,  MATSUDA OSAMU ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  AITA KAZUO ,  ARAMAKI FUMIO ,  OBA HIROSHI

IPC: H01J37/08 ,  H01J9/02 ,  H01J37/073

Abstract: Es wird hier eine Apparatur mit fokussiertem Ionenstrahl offengelegt, die mit einer Gasfeld-Ionenquelle ausgerüstet ist, die einen fokussierten Ionenstrahl einen langen Zeitraum lang durch stabiles und kontinuierliches Emittieren von Ionen aus der Gasfeld-Ionenquelle mit hoher Luminanz längs einer optischen Achse eines ionenoptischen Systems für einen langen Zeitraum erzeugen kann. In der Apparatur mit fokussiertem Ionenstrahl, die mit einer Gasfeld-Ionenquelle ausgerüstet ist, die einen Emitter zum Emittieren von Ionen aufweist, besitzt der Emitter eine Form, in der zugeschärftes Iridium an artungleichem Draht fixiert ist.

公开(公告)号：DE102013102657A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：DE102013102657

申请日：2013-03-15

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： SUGIYAMA YASUHIKO ,  ASAHATA TATSUYA ,  DOI TOSHIO ,  OBA HIROSHI

IPC: H01J37/31 ,  H01J37/09

Abstract: Es ist eine Vorrichtung eines fokussierten Ionenstrahls bereitgestellt, welche einen Steuerabschnitt enthält, welcher ausgelegt ist, um: zuvor in einer Kondensor-Spannung-Tabelle einen Berechnungswert einer Kondensor-Spannung zum Erlangen eines Referenz-Strahl-Stroms für alle aus einer Mehrzahl von Aperturen zu speichern; einen experimentellen Wert der Kondensor-Spannung zum Erlangen des Referenz-Strahl-Stroms für eine Referenz-Apertur zu erlangen; einen Korrekturwert der Kondensor-Spannung durch ein Subtrahieren des für die Referenz-Apertur gespeicherten Berechnungswerts vom experimentellen Wert für die Referenz-Apertur zu erlangen; Einsetzwerte der Kondensor-Spannung durch ein Addieren des Korrekturwerts mit den Berechnungswerten, welche für jede der Mehrzahl von Aperturen gespeichert sind, zu erlangen; und den erlangten Einsetzwert in der Kondensor-Spannung-Tabelle zu speichern.

公开(公告)号：DE102020127344A1

公开(公告)日：2021-04-22

申请号：DE102020127344

申请日：2020-10-16

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： SUGIYAMA YASUHIKO ,  HIROSE NAOKO

IPC: H01J37/304 ,  H01J37/12 ,  H01J37/153

Abstract: Bereitgestellt werden ein Gerät mit fokussiertem Ionenstrahl, ein Verbundgerät mit fokussiertem Ionenstrahl und ein Steuerverfahren für ein Gerät mit fokussiertem Ionenstrahl, mit welchen es möglich ist, einen Strahl zu steuern, um eine gewünschte Bewegungsbahn aufzuweisen.

公开(公告)号：DE102014104042A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：DE102014104042

申请日：2014-03-24

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： OBA HIROSHI ,  YASAKA ANTO ,  SUGIYAMA YASUHIKO

IPC: H01J27/26 ,  H01J1/304 ,  H01J3/00 ,  H01J3/04

Abstract: Es wird eine Emitterstruktur, eine die Emitterstruktur enthaltende Gasionenquelle und ein die Gasionenquelle enthaltendes fokussiertes Ionenstrahl-System bereitgestellt. Die Emitterstruktur enthält ein Paar leitender Stifte, die an einem Basiselement befestigt sind, einen Heizfaden, der zwischen dem Paar leitender Stifte verbunden ist, und einen Emitter, der mit dem Heizfaden verbunden ist und eine scharfe Spitze besitzt. An dem Basismaterial ist ein Halteelement befestigt, wobei der Emitter mit dem Halteelement verbunden ist.

公开(公告)号：DE102014103689A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：DE102014103689

申请日：2014-03-18

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： ARAMAKI FUMIO ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  OBA HIROSHI

IPC: H01J37/08

Abstract: Eine Vorrichtung für einen fokussierten Ionenstrahl ist dazu ausgebildet, einen Ablauf zum Steuern eines Betriebes von einer Kühleinheit derart durchzuführen, dass eine Temperatur einer Wandfläche, mit welcher ein Quellengas in Kontakt steht, in einer Ionenquelle-Kammer auf einer Temperatur beibehalten wird, welche höher als eine Temperatur ist, bei welcher das Quellengas gefriert, und/oder einen Ablauf zum Steuern eines Betriebes von einem Erwärmer derart durchzuführen, dass ein Emitter temporär erwärmt wird, wenn das Quellengas ausgetauscht wird.

公开(公告)号：DE102013102777A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：DE102013102777

申请日：2013-03-19

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： SUGIYAMA YASUHIKO ,  AITA KAZUO ,  ARAMAKI FUMIO ,  KOZAKAI TOMOKAZU ,  MATSUDA OSAMU ,  YASAKA ANTO

IPC: H01J37/30

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines angespitzten, nadelförmigen Emitters, wobei das Verfahren umfasst: elektrolytisches Polieren eines End-Abschnittes von einem elektrisch leitfähigen Emitter-Material, derart, dass er in Richtung zu einem Spitzen-Abschnitt davon spitz zuläuft; Durchführen eines ersten Ätzens, bei welchem der elektrolytisch polierte Abschnitt des Emitter-Materials mit einem Ladungspartikelstrahl bestrahlt wird, um einen pyramidenförmigen, angespitzten Abschnitt auszubilden, welcher eine Spitze hat, welche den Spitzen-Abschnitt umfasst; Durchführen eines zweiten Ätzens, bei welchem der Spitzen-Abschnitt durch feldunterstütztes Gas-Ätzen weiter angespitzt wird, während ein Kristall-Aufbau am Spitzen-Abschnitt durch ein Feld-Ionen-Mikroskop beobachtet wird, und die Anzahl von Atomen an einer Vorderkante des Spitzen-Abschnitts auf eine vorbestimmte Anzahl oder weniger beibehalten wird; und Erwärmen des Emitter-Materials, um die Atome an der Vorderkante des Spitzen-Abschnitts des angespitzten Abschnitts zu einer Pyramiden-Form anzuordnen.

公开(公告)号：DE102013102774A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：DE102013102774

申请日：2013-03-19

Applicant: HITACHI HIGH TECH SCIENCE CORP

Inventor： ASAHATA TATSUYA ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  OBA HIROSHI

IPC: H01J37/26 ,  H01J37/30

Abstract: Eine Ionenstrahl-Einrichtung enthält: eine Ionenquelle, welche ausgelegt ist, einen Ionenstrahl zu emittieren; eine Kondensorlinse-Elektrode, welche ausgelegt ist, den Ionenstrahl zu komprimieren; eine Kondensorlinse-Leistungsquelle, welche ausgelegt ist, eine Spannung an die Kondensorlinse-Elektrode anzulegen; einen Speicherabschnitt, welcher ausgelegt ist, einen ersten Spannungswert, einen zweiten Spannungswert, einen dritten Spannungswert und einen vierten Spannungswert zu speichern; und einen Steuerabschnitt, welcher ausgelegt ist, den dritten Spannungswert vom Speicherabschnitt zu erlangen und den erlangten dritten Spannungswert bei der Kondensorlinse-Leistungsquelle einzustellen, wenn ein Beobachtungs-Modus auf einen Weitbereich-Beobachtungs-Modus umgeschaltet wird, und den vierten Spannungswert vom Speicherabschnitt zu erlangen und den erlangten vierten Spannungswert bei der Kondensorlinse-Leistungsquelle einzustellen, wenn ein Verarbeitungs-Modus auf den Weitbereich-Beobachtungs-Modus umgeschaltet wird.