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公开(公告)号：WO2003085709A1
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：PCT/JP2003/004615
申请日：2003-04-11
IPC: H01L21/027
Abstract: 反射型マスクブランクは、基板（１１）を有し、その上に、極端紫外線領域を含む短波長域の露光光を反射する反射層（１２）及び露光光を吸収する吸収体層（１６）が順に形成されている。吸収体層（１６）が、極端紫外線領域を含む短波長域の露光光の吸収体で構成する露光光吸収層（１４）を下層とし、マスクパターンの検査に使用する検査光の吸収体で構成する低反射率層（１５）を上層とする少なくとも二層の構造をもつ。上層は、タンタル（Ｔａ）とホウ素（Ｂ）と窒素（Ｎ）を含む材料からなり、Ｂの含有率が５ａｔ％～３０ａｔ％であり、且つ、ＴａとＮの組成比（Ｔａ：Ｎ）が８：１～２：７の範囲である。あるいは、反射型マスクブランクは、基板を有し、その基板上に多層反射膜及び吸収体層が順に形成されているものであっても良い。この場合、吸収体層がタンタル（Ｔａ）とホウ素（Ｂ）と窒素（Ｎ）を含む材料からなり、Ｂの含有率が５ａｔ％～２５ａｔ％であり、且つ、ＴａとＮの組成比（Ｔａ：Ｎ）が８：１～２：７の範囲である。
Abstract translation: 一种反射型掩模坯料，包括基板（11），并且依次形成有用于反射包括极紫外区域的短波区域中的曝光用光的反射层（12）和吸收层 曝光灯 吸收层（16）具有由下层组成的至少两层的结构，曝光光吸收层（14）由包括极紫外区域的短波区域中的曝光光的吸收体构成，并且 上层，由用于掩模图案检查的检查光的吸收体构成的低反射率层（15）。 上层由含钽（Ta），硼（B）和氮（N）的材料组成，B含量为5原子％-30原子％，Ta和N（Ta：N）的组成比为8：1 至2：7。 或者，反射型掩模坯料可以包括基底，并且依次形成多层反射膜和吸收层，其中吸收层由含有钽（Ta），硼（B）和氮（ N），B含量为5原子％-25原子％，Ta与N（Ta：N）的组成比为8：1〜2：7。
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公开(公告)号：WO2009122972A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/055859
申请日：2009-03-24
Inventor： 笑喜 勉
IPC: H01L21/027 , G03F1/16
Abstract: 基板と、前記基板上に形成された、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させた構造の多層反射膜と、前記多層反射膜上に積層されたＥＵＶ露光光を吸収する吸収膜とを備える反射型マスクブランクである。前記吸収膜は、層内を通過して前記多層反射膜で反射されるＥＵＶ露光光に、直接入射して前記多層反射膜で反射されるＥＵＶ露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト層と、前記位相シフト層の上に積層され、単独で又は前記位相シフト層と共に、層内を通過するＥＵＶ露光光を吸収して減衰させる吸収体層とを備える。
Abstract translation: 提供一种反射型掩模坯料，其包括：基板; 通过交替层叠高反射折射率层和低反射折射率层而在基板上形成的多层反射膜; 以及层叠在多层反射膜上用于吸收EUV曝光光的吸收膜。 吸收膜包括：相移层，其产生已经通过该层然后被多层反射膜反射的EUV曝光光和直接入射并被反射的EUV曝光光之间的预定相位差 多层反射膜; 以及层叠在相移层上的吸收体层，并且单独地或与相移层一起吸收和衰减通过层的EUV曝光光。
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公开(公告)号：JP2021015295A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：JP2020182324
申请日：2020-10-30
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】 パターン転写の際の反射型マスクの位置ずれを防止することができる反射型マスクを製造するための導電膜付き基板を得る。 【解決手段】 リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板の主表面上の一方の表面に、導電膜が形成された導電膜付き基板であって、前記導電膜表面の静摩擦係数が0.25以上であることを特徴とする導電膜付き基板である。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JPWO2019078205A1
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：JP2018038499
申请日：2018-10-16
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 多層反射膜に基準マークを形成した場合でも、多層反射膜の表面が汚染されることを防止することのできる、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法を提供する。 多層反射膜付き基板10は、基板12と、基板12上に形成されたEUV光を反射する多層反射膜14と、多層反射膜14上に形成された保護膜18とを含む。保護膜18の表面に、基準マーク20が凹状に形成されている。基準マーク20の表層22は、保護膜18に含まれる元素のうち少なくとも1つの元素と同一の元素を含む。基準マーク20の底部において、多層反射膜14に含まれる複数の膜のうち少なくとも一部の膜が収縮したシュリンク領域24が形成されている。
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公开(公告)号：JP2019117296A
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：JP2017251162
申请日：2017-12-27
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/24
Abstract: 【課題】平坦度に優れかつ反射型マスクの位置ずれをレーザビーム等により裏面側から補正することのできる反射型マスクを製造するための導電膜付き基板を提供する。 【解決手段】リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板の主表面上の一方の表面に、導電膜23が形成された導電膜付き基板50であって、前記導電膜23は、チタン(Ti)及び窒素(N)を含む材料からなり、チタン及び窒素の合計含有量が95原子%以上であり、前記材料は化学量論的組成の窒化チタンよりもチタンを多く含むことを特徴とする導電膜付き基板50である。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2019070854A
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：JP2019015425
申请日：2019-01-31
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】 EUVリソグラフィーのシャドーイング効果を低減し、微細なパターンを形成することが可能な反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。このことにより安定して高い転写精度で半導体装置を製造する。 【解決手段】 基板上に、多層反射膜及びEUV光の位相をシフトさせる位相シフト膜をこの順で有する反射型マスクブランクであって、前記位相シフト膜は、単層膜又は2層以上の多層膜からなり、タンタル(Ta)及びチタン(Ti)を含む材料からなる反射型マスクブランクとする。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP2019012275A
公开(公告)日：2019-01-24
申请号：JP2018161019
申请日：2018-08-30
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/60 , G03F1/84 , C03C15/00 , C03C17/40 , C03C17/36 , C03C17/34 , C23C14/46 , C23C14/06 , G03F1/24
Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査装置を用いた欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にすることが可能なマスクブランク用基板を提供する。 【解決手段】リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板であって、前記基板の転写パターンが形成される側の主表面における1μm×1μmの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア(%)とベアリング深さ(nm)との関係において、ベアリングエリア30%をBA 30 、ベアリングエリア70%をBA 70 、ベアリングエリア30%及び70%に対応するベアリング深さをそれぞれBD 30 及びBD 70 と定義したときに、前記基板の主表面が、(BA 70 −BA 30 )/(BD 70 −BD 30 )≧350(%/nm)の関係式を満足し、かつ最大高さ(Rmax)≦1.2nmとした構成としてある。 【選択図】図1
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