Abstract:
A liquid metal ion source (10) and alloy for the simultaneous ion evaporation of arsenic and boron, arsenic and phosphorus, or arsenic, boron and phosphorus. The ionic species to be evaporated are contained in palladium-arsenic-boron and palladium-arsenic-boron-phosphorus alloys. The ion source (10), including an emitter means such as a needle emitter (12) and a source means such as U-shaped heater element (14), is preferably constructed of rhemium and tungsten, both of which are readily fabricated. The ion sources (10) emit continuous beams of ions having sufficiently high currents of the desired species to be useful in ion implantation of semiconductor wafers for preparing integrated circuit devices. The sources are stable in operation, experience little corrosion during operation, and have long operating lifetimes.
Abstract:
A binary, boron-based alloy as a source for field-emission-type, ion-beam generating devices, wherein boron predominates in the alloy, preferably with a presence of about 60 atomic percent. The other constituent in the alloy is selected from the group of elements consisting of nickel, palladium and platinum. Predominance of boron in these alloys, during operation, promotes combining of boron with trace impurities of carbon in the alloys to form B4C and thus to promote wetting of an associated carbon support substrate.
Abstract:
A liquid metal ion source and alloy, wherein the species to be emitted from the ion source is contained in a congruently vaporizing alloy. In one embodiment, the liquid metal ion source acts as a source of arsenic, and in a source alloy the arsenic is combined with palladium, preferably in a liquid alloy having a range of compositions from about 24 to about 33 atomic percent arsenic. Such an alloy may be readily prepared by a combustion synthesis technique. Liquid metal ion sources thus prepared produce arsenic ions for implantation, have long lifetimes, and are highly stable in operation.
Abstract:
A liquid metal ion source (10) and alloy for the simultaneous ion evaporation of arsenic and boron, arsenic and phosphorus, or arsenic, boron and phosphorus. The ionic species to be evaporated are contained in palladium-arsenic-boron and palladium-arsenic-boron-phosphorus alloys. The ion source (10), including an emitter means such as a needle emitter (12) and a source means such as U-shaped heater element (14), is preferably constructed of rhemium and tungsten, both of which are readily fabricated. The ion sources (10) emit continuous beams of ions having sufficiently high currents of the desired species to be useful in ion implantation of semiconductor wafers for preparing integrated circuit devices. The sources are stable in operation, experience little corrosion during operation, and have long operating lifetimes.
Abstract:
Alliage binaire de bore utilisé comme source émettrice dans les dispositifs générateurs de rayons ioniques du type à émission de champ, dans lequel le bore est le constituant prédominant de l'alliage, de préférence à raison de 60 atomes pour cent. L'autre constituant de l'alliage est choisi dans le groupe des éléments qui constituent le nickel, le palladium et le platine. La prédominance du bore dans ces alliages favorise, pendant le fonctionnement, la combinaison du bore avec des impuretés à l'état de traces de carbone pour former B4C et ainsi favoriser le mouillage d'un substrat de carbone associé.
Abstract:
Source d'ions (10) et alliage sous forme de métal liquide pour l'évaporation ionique simultanée d'arsénique et d'or, d'arsénique et de phosphore, ou d'arsénique, de bore et de phosphore. Les espèces ioniques à vaporiser sont contenues dans des alliages palladium-arsénique-bore et palladium-arsénique-bore-phosphore. La source d'ions (10), avec un moyen d'émission comme par exemple un émetteur à aiguille (12) et un moyen de source comme par exemple un élément chauffant en forme de U (14), est realisée de préférence de rhénium et de tungstène, les deux se prêtant facilement à la fabrication. Les sources d'ion (10) émettent des faiasceaux continus d'ions présentant des flux de l'espèce de matériau souhaité suffisamment élevés pour permettre leur utilisation dans l'implantation ionique de plaquettes semiconductrices pour la préparation de dispositifs pour circuits intégrés. Les sources sont d'un fonctionnement stable, sont peu affectées par la corrosion pendant leur utilisation et possèdent une grande longevité opérationnelle.
Abstract:
A liquid metal ion source and alloy, wherein the species to be emitted from the ion source is contained in a congruently vaporizing alloy. In one embodiment, the liquid metal ion source acts as a source of arsenic, and in a source alloy the arsenic is combined with palladium, preferably in a liquid alloy having a range of compositions from about 24 to about 33 atomic percent arsenic. Such an alloy may be readily prepared by a combustion synthesis technique. Liquid metal ion sources thus prepared produce arsenic ions for implantation, have long lifetimes, and are highly stable in operation.
Abstract:
Source d'ions et alliage sous forme de métal liquide, où l'espèce de matériaux devant être émis par la source d'ions est contenue dans un alliage à vaporisation congruente. Dans une réalisation la source d'ions sous forme de métal liquide sert de source d'arsenic, et dans un alliage source l'arsenic est associé à du palladium, de préférence dans un alliage liquide dont la plage de compositions varie depuis environ 24 à environ 33 pourcent atomique d'arsenic. Un alliage de ce genre peut être préparé facilement par une technique de synthèse par combustion. Les sources d'ions sous forme de métal liquide qui sont ainsi préparées fournissent des ions d'arsenic destinés à l'implantation, possèdent une grande longivité et présentent une stabilité de fonctionnement élevée.