公开(公告)号：WO1987006407A2

公开(公告)日：1987-10-22

申请号：PCT/US1987000454

申请日：1987-03-09

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  CLARK, William, M. Jr. ,  UTLAUT, Mark, W. ,  BEHRENS, Robert, G. ,  SZKLARZ, Eugene, G. ,  STORMS, Edmund, K. ,  SANTANDREA, Robert, P. ,  SWANSON, Lynwood, W.

IPC: H03J27/26

CPC classification number: H01J27/26

Abstract: A liquid metal ion source and alloy, wherein the species to be emitted from the ion source is contained in a congruently vaporizing alloy. In one embodiment, the liquid metal ion source acts as a source of arsenic, and in a source alloy the arsenic is combined with palladium, preferably in a liquid alloy having a range of compositions from about 24 to about 33 atomic percent arsenic. Such an alloy may be readily prepared by a combustion synthesis technique. Liquid metal ion sources thus prepared produce arsenic ions for implantation, have long lifetimes, and are highly stable in operation.

公开(公告)号：WO1988009059A1

公开(公告)日：1988-11-17

申请号：PCT/US1988000938

申请日：1988-03-25

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  CLARK, William, M., Jr. ,  WALDEN, Robert, H. ,  UTLAUT, Mark, W.

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1062

Abstract: A charge-coupled device (CCD) is provided with a dopant implant gradient, lateral channel stops (12, 14) and blocking implants (16) by means of a focused ion beam (FIB). The FIB is repeatedly scanned across each cell of the CCD as a succession of overlapping but discrete implant scans. The doping levels of the FIB implants accumulate to a stepwise approximation of a desired dopant density profile, the widths of the steps being no greater than about half the widths of the discrete FIB implants. With a FIB pixel of about 750-1500 Angstroms, the widths of the steps are preferably about 250-500 Angstroms; the dimension of the cells in the dopant gradient direction can be made less than about 5 microns. The lateral channel stops and back blocking implants can be as narrow as single FIB pixel widths, thus freeing up more of the cell for charge carrying capacity.

Abstract translation: 电荷耦合器件（CCD）具有掺杂剂注入梯度，通过聚焦离子束（FIB）的横向通道停止（12,14）和阻塞植入物（16）。 FIB被重复地扫描在CCD的每个单元上，作为一系列重叠但离散的植入物扫描。 FIB植入物的掺杂水平累积到期望掺杂剂密度分布的逐步近似，步长的宽度不大于离散FIB植入物的宽度的大约一半。 具有约750-1500埃的FIB像素，步长的宽度优选为约250-500埃; 可以使掺杂剂梯度方向上的单元的尺寸小于约5微米。 横向通道停止，背部阻挡植入物可以与单个FIB像素宽度一样窄，从而释放出更多的电池用于充电容量。

公开(公告)号：WO1987006390A2

公开(公告)日：1987-10-22

申请号：PCT/US1987000455

申请日：1987-03-09

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  CLARK, William, M., Jr. ,  UTLAUT, Mark, W. ,  WYSOCKI, Joseph, A. ,  BEHRENS, Robert, G. ,  SZKLARZ, Eugene, G. ,  STORMS, Edmund, K. ,  SWANSON, Lynwood, W. ,  BELL, Anthony, E.

IPC: H01J27/26

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/26

Abstract: A liquid metal ion source (10) and alloy for the simultaneous ion evaporation of arsenic and boron, arsenic and phosphorus, or arsenic, boron and phosphorus. The ionic species to be evaporated are contained in palladium-arsenic-boron and palladium-arsenic-boron-phosphorus alloys. The ion source (10), including an emitter means such as a needle emitter (12) and a source means such as U-shaped heater element (14), is preferably constructed of rhemium and tungsten, both of which are readily fabricated. The ion sources (10) emit continuous beams of ions having sufficiently high currents of the desired species to be useful in ion implantation of semiconductor wafers for preparing integrated circuit devices. The sources are stable in operation, experience little corrosion during operation, and have long operating lifetimes.

Abstract translation: 离子源（10）和液态金属合金，用于同时离子蒸发砷和金，砷和磷或砷，硼和磷。 待蒸发的离子种类包含在钯 - 砷 - 硼和钯 - 砷 - 硼 - 磷合金中。 具有发射装置（例如针发射器（12））和源装置（例如U形加热元件（14））的离子源（10）优选由铼 和钨，两者都容易制造。 离子源（10）发射具有足够高的期望材料种类的流的连续离子簇，以允许其用于半导体晶片的离子注入以制备集成电路器件。 来源在运行中稳定，在使用过程中受到轻微的腐蚀，并具有较高的使用寿命。

公开(公告)号：EP0262219B1

公开(公告)日：1990-04-25

申请号：EP87903757.0

申请日：1987-03-09

Applicant: Hughes Aircraft Company ,  Government of the United States ,  Oregon Graduate Institute of Science and Technology

Inventor： CLARK, William, M., Jr. ,  UTLAUT, Mark, W. ,  WYSOCKI, Joseph, A. ,  BEHRENS, Robert, G. ,  SZKLARZ, Eugene, G. ,  STORMS, Edmund, K. ,  SWANSON, Lynwood, W. ,  BELL, Anthony, E.

IPC: H01J27/26

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/26

Abstract: A liquid metal ion source (10) and alloy for the simultaneous ion evaporation of arsenic and boron, arsenic and phosphorus, or arsenic, boron and phosphorus. The ionic species to be evaporated are contained in palladium-arsenic-boron and palladium-arsenic-boron-phosphorus alloys. The ion source (10), including an emitter means such as a needle emitter (12) and a source means such as U-shaped heater element (14), is preferably constructed of rhemium and tungsten, both of which are readily fabricated. The ion sources (10) emit continuous beams of ions having sufficiently high currents of the desired species to be useful in ion implantation of semiconductor wafers for preparing integrated circuit devices. The sources are stable in operation, experience little corrosion during operation, and have long operating lifetimes.

公开(公告)号：EP0262219A1

公开(公告)日：1988-04-06

申请号：EP87903757.0

申请日：1987-03-09

Applicant: Hughes Aircraft Company

Inventor： CLARK, William, M., Jr. ,  UTLAUT, Mark, W. ,  WYSOCKI, Joseph, A. ,  BEHRENS, Robert, G. ,  SZKLARZ, Eugene, G. ,  STORMS, Edmund, K. ,  SWANSON, Lynwood, W. ,  BELL, Anthony, E.

IPC: H01J27 ,  H01J37

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/26

Abstract: Source d'ions (10) et alliage sous forme de métal liquide pour l'évaporation ionique simultanée d'arsénique et d'or, d'arsénique et de phosphore, ou d'arsénique, de bore et de phosphore. Les espèces ioniques à vaporiser sont contenues dans des alliages palladium-arsénique-bore et palladium-arsénique-bore-phosphore. La source d'ions (10), avec un moyen d'émission comme par exemple un émetteur à aiguille (12) et un moyen de source comme par exemple un élément chauffant en forme de U (14), est realisée de préférence de rhénium et de tungstène, les deux se prêtant facilement à la fabrication. Les sources d'ion (10) émettent des faiasceaux continus d'ions présentant des flux de l'espèce de matériau souhaité suffisamment élevés pour permettre leur utilisation dans l'implantation ionique de plaquettes semiconductrices pour la préparation de dispositifs pour circuits intégrés. Les sources sont d'un fonctionnement stable, sont peu affectées par la corrosion pendant leur utilisation et possèdent une grande longevité opérationnelle.

公开(公告)号：EP0263849B1

公开(公告)日：1992-11-25

申请号：EP87901979.2

申请日：1987-03-09

Applicant: Hughes Aircraft Company ,  Government of the United States ,  Oregon Graduate Institute of Science and Technology

Inventor： CLARK, William, M. Jr. ,  UTLAUT, Mark, W. ,  BEHRENS, Robert, G. ,  SZKLARZ, Eugene, G. ,  STORMS, Edmund, K. ,  SANTANDREA, Robert, P. ,  SWANSON, Lynwood, W.

IPC: H01J27/26

CPC classification number: H01J27/26

Abstract: A liquid metal ion source and alloy, wherein the species to be emitted from the ion source is contained in a congruently vaporizing alloy. In one embodiment, the liquid metal ion source acts as a source of arsenic, and in a source alloy the arsenic is combined with palladium, preferably in a liquid alloy having a range of compositions from about 24 to about 33 atomic percent arsenic. Such an alloy may be readily prepared by a combustion synthesis technique. Liquid metal ion sources thus prepared produce arsenic ions for implantation, have long lifetimes, and are highly stable in operation.

公开(公告)号：EP0316401A1

公开(公告)日：1989-05-24

申请号：EP88904747.0

申请日：1988-03-25

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： CLARK, William, M., Jr. ,  WALDEN, Robert, H. ,  UTLAUT, Mark, W.

IPC: H01L29 ,  H01L21

CPC classification number: H01L29/1062

Abstract: Un dispositif à couplage de charge (CCD) est pourvu d'un gradient d'implantation de dopant, de butées de canaux latéraux (12, 14) et d'implants de blocage (16) au moyen d'un faisceau d'ions focalisé (FIB). Le FIB balaye de manière répétée chaque cellule du CCD selon une succession de balayages d'implantation chevauchants mais individuels. Les niveaux de dopage des implantations FIB s'accumulent jusqu'à une approximation en étages d'un profil désiré de densité du dopant, les largeurs des étages n'excédant pas environ la moitié des largeurs des implantations individuelles FIB. Avec un pixel (élément d'image) FIB d'environ 750-1 500 Angstroms, les largeurs des étages sont de préférence d'environ 250-500 Angstroms; la dimension des cellules dans la direction du gradient de dopant peut être inférieure à environ 5 microns. Les butées ou arrêts de canaux latéraux et les implants de rétroblocage peuvent être aussi étroits que des largeurs de pixels FIB uniques, libérant ainsi une plus grande partie de la cellule pour la capacité de transport de charge.

公开(公告)号：EP0263849A1

公开(公告)日：1988-04-20

申请号：EP87901979.0

申请日：1987-03-09

Applicant: Hughes Aircraft Company

Inventor： CLARK, William, M. Jr. ,  UTLAUT, Mark, W. ,  BEHRENS, Robert, G. ,  SZKLARZ, Eugene, G. ,  STORMS, Edmund, K. ,  SANTANDREA, Robert, P. ,  SWANSON, Lynwood, W.

IPC: H01J27 ,  H01J37

CPC classification number: H01J27/26

Abstract: Source d'ions et alliage sous forme de métal liquide, où l'espèce de matériaux devant être émis par la source d'ions est contenue dans un alliage à vaporisation congruente. Dans une réalisation la source d'ions sous forme de métal liquide sert de source d'arsenic, et dans un alliage source l'arsenic est associé à du palladium, de préférence dans un alliage liquide dont la plage de compositions varie depuis environ 24 à environ 33 pourcent atomique d'arsenic. Un alliage de ce genre peut être préparé facilement par une technique de synthèse par combustion. Les sources d'ions sous forme de métal liquide qui sont ainsi préparées fournissent des ions d'arsenic destinés à l'implantation, possèdent une grande longivité et présentent une stabilité de fonctionnement élevée.