公开(公告)号：DE112012001857T5

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：DE112012001857

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： ABOU-KANDIL AHMED ,  KIM JEEHWAN ,  FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/00

Abstract: Eine Photovoltaikeinheit und ein Verfahren zum Herstellen einer Photovoltaikeinheit enthalten ein Bilden einer lichtabsorbierenden Halbleiterstruktur auf einem durchlässigen Substrat, das eine erste dotierte Schicht (406) enthält, und Bilden einer intrinsischen Schicht (410) auf der ersten dotierten Schicht, wobei die intrinsische Schicht ein amorphes Material enthält. Die intrinsische Schicht wird mit einem Plasma behandelt (412), um Keimstellen zu bilden. Eine erste Tunnelübergangsschicht wird auf der intrinsischen Schicht gebildet (414), indem Mikrokristalle aus den Keimstellen wachsen gelassen werden.

公开(公告)号：GB2504430A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：GB201320003

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： ABOU-KANDIL AHMED ,  FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18

Abstract: A photovoltaic device and method for fabricating a photovoltaic device include forming a light-absorbing semiconductor structure on a transmissive substrate including a first doped layer (406) and forming an intrinsic layer (410) on the first doped layer, wherein the intrinsic layer includes an amorphous material. The intrinsic layer is treated (412) with a plasma to form seed sites. A first tunnel junction layer is formed (414) on the intrinsic layer by growing microcrystals from the seed sites.

公开(公告)号：GB2504430B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：GB201320003

申请日：2012-06-05

Applicant: IBM

Inventor： ABOU-KANDIL AHMED ,  FOGEL KEITH E ,  HONG AUGUSTIN J ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18

Abstract: A photovoltaic device and method for fabricating a photovoltaic device include forming a light-absorbing semiconductor structure on a transmissive substrate including a first doped layer and forming an intrinsic layer on the first doped layer, wherein the intrinsic layer includes an amorphous material. The intrinsic layer is treated with a plasma to form seed sites. A first tunnel junction layer is formed on the intrinsic layer by growing microcrystals from the seed sites.