公开(公告)号：DE112011102747T5

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：DE112011102747

申请日：2011-06-07

Applicant: IBM

Inventor： AFZALI-AR-DAKANI ALI ,  BOL AGEETH ANKE ,  TULEVSKI GEORGE STOJAN

IPC: H01B1/04 ,  C01B31/04 ,  H01L51/00 ,  H01L51/44

Abstract: Es werden Techniken zum Erhöhen der Leitfähigkeit von Graphendünnschichten durch chemisches Dotieren bereitgestellt. Gemäß einem Aspekt beinhaltet ein Verfahren zum Erhöhen der Leitfähigkeit einer Graphendünnschicht die folgenden Schritte. Die Graphendünnschicht wird aus einer oder mehreren Graphenlagen gebildet. Die Graphenlagen werden mit einer Lösung eines Einelektronen-Oxidationsmittels behandelt, das zum Dotieren der Graphenlagen dient, um deren Leitfähigkeit und dadurch die Gesamtleitfähigkeit der Dünnschicht zu erhöhen. Die Graphendünnschicht kann gebildet werden, bevor die Graphenlagen mit der Lösung des Einelektronen-Oxidationsmittels behandelt werden. Alternativ können die Graphenlagen mit der Lösung des Einelektronen-Oxidationsmittels behandelt werden, bevor die Graphendünnschicht gebildet wird. Es wird auch ein Verfahren zum Herstellen einer transparenten Elektrode aus einer Graphendünnschicht auf einer Fotovoltaikeinheit bereitgestellt.