公开(公告)号：DE112011102747T5

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：DE112011102747

申请日：2011-06-07

Applicant: IBM

Inventor： AFZALI-AR-DAKANI ALI ,  BOL AGEETH ANKE ,  TULEVSKI GEORGE STOJAN

IPC: H01B1/04 ,  C01B31/04 ,  H01L51/00 ,  H01L51/44

Abstract: Es werden Techniken zum Erhöhen der Leitfähigkeit von Graphendünnschichten durch chemisches Dotieren bereitgestellt. Gemäß einem Aspekt beinhaltet ein Verfahren zum Erhöhen der Leitfähigkeit einer Graphendünnschicht die folgenden Schritte. Die Graphendünnschicht wird aus einer oder mehreren Graphenlagen gebildet. Die Graphenlagen werden mit einer Lösung eines Einelektronen-Oxidationsmittels behandelt, das zum Dotieren der Graphenlagen dient, um deren Leitfähigkeit und dadurch die Gesamtleitfähigkeit der Dünnschicht zu erhöhen. Die Graphendünnschicht kann gebildet werden, bevor die Graphenlagen mit der Lösung des Einelektronen-Oxidationsmittels behandelt werden. Alternativ können die Graphenlagen mit der Lösung des Einelektronen-Oxidationsmittels behandelt werden, bevor die Graphendünnschicht gebildet wird. Es wird auch ein Verfahren zum Herstellen einer transparenten Elektrode aus einer Graphendünnschicht auf einer Fotovoltaikeinheit bereitgestellt.

公开(公告)号：GB2496956B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：GB201219636

申请日：2012-11-01

Applicant: IBM

Inventor： CHANDRA BHUPESH ,  MAAROUF AHMED ,  KASRY AMAL ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  TULEVSKI GEORGE STOJAN ,  BOL AGEETH ANKE

IPC: H01B1/04 ,  H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/42 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

公开(公告)号：GB2496347A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：GB201303286

申请日：2011-06-07

Applicant: IBM

Inventor： BOL AGEETH ANKE ,  AFZALI-ARDAKANI ALI ,  TULEVSKI GEORGE STOJAN

IPC: H01B1/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/04 ,  H01L51/00 ,  H01L51/44

Abstract: Techniques for increasing conductivity of graphene films by chemical doping are provided. In one aspect, a method for increasing conductivity of a graphene film includes the following steps. The graphene film is formed from one or more graphene sheets. The graphene sheets are exposed to a solution having a one-electron oxidant configured to dope the graphene sheets to increase a conductivity thereof, thereby increasing the overall conductivity of the film. The graphene film can be formed prior to the graphene sheets being exposed to the one-electron oxidant solution. Alternatively, the graphene sheets can be exposed to the one-electron oxidant solution prior to the graphene film being formed. A method of fabricating a transparent electrode on a photovoltaic device from a graphene film is also provided.

公开(公告)号：GB2496956A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：GB201219636

申请日：2012-11-01

Applicant: IBM

Inventor： CHANDRA BHUPESH ,  MAAROUF AHMED ,  KASRY AMAL ,  MARTYNA GLENN JOHN ,  TULEVSKI GEORGE STOJAN ,  BOL AGEETH ANKE

IPC: H01B1/04 ,  H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/42 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

Abstract: The transparent hybrid film comprises a layer of graphene deposited atop a layer of nanotubes, preferably carbon nanotubes. Two different production methods are disclosed. The film may be used as a transparent electrode with a variety of applications. Alternatively the film may be used as a channel material in a field effect transistor.