公开(公告)号：DE112018001590T5

公开(公告)日：2019-12-05

申请号：DE112018001590

申请日：2018-05-10

Applicant: IBM

Inventor： BERGENDAHL MARC ,  MILLER ERIC ,  LIE FEE LI ,  TEEHAN SEAN ,  CHENG KANGGUO ,  SPORRE JOHN RYAN ,  KARVE GAURI

IPC: H01L27/04

Abstract: Ausführungsformen sind auf Verfahren und resultierende Strukturen für einen vertikalen Feldeffekttransistor (VFET) mit einem extrem langen Kanal ausgerichtet. Ein Paar von Halbleiter-Fins ist auf einem Substrat ausgebildet. Eine Halbleitersäule ist zwischen den Halbleiter-Fins auf dem Substrat ausgebildet. Ein Bereich, der sich unter sämtlichen der Halbleiter-Fins und unter einem Teil der Halbleitersäule erstreckt, ist dotiert. Ein leitfähiges Gate ist über einem Kanalbereich der Halbleiter-Fins und der Halbleitersäule ausgebildet. Eine Oberfläche der Halbleitersäule dient als ein erweiterter Kanalbereich, wenn das Gate aktiv ist.

公开(公告)号：DE112018001590B4

公开(公告)日：2022-04-21

申请号：DE112018001590

申请日：2018-05-10

Applicant: IBM

Inventor： BERGENDAHL MARC ,  MILLER ERIC ,  LIE FEE LI ,  TEEHAN SEAN ,  CHENG KANGGUO ,  SPORRE JOHN RYAN ,  KARVE GAURI

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren (1700) zur Herstellung einer Halbleitereinheit (100), wobei das Verfahren umfasst:Bilden (1702) eines Paars von Halbleiter-Fins (200, 202) auf einem Substrat (104);Bilden (1704) einer Halbleitersäule (204) zwischen den Halbleiter-Fins auf dem Substrat;Bilden (1706) eines unteren dotierten Bereichs (500), der sich unter sämtlichen der Halbleiter-Fins und unter einem Teil der Halbleitersäule erstreckt;Zurücksetzen der Halbleitersäule unter eine Oberfläche der Halbleiter-Fins; undBilden (1708) eines leitfähigen Gates (1100) über einem Kanalbereich der Halbleiter-Fins und der Halbleitersäule.