公开(公告)号：DE112019005372T5

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：DE112019005372

申请日：2019-12-12

Applicant: IBM

Inventor： NGUYEN SON ,  BRIGGS BENJAMIN ,  SHOBHA HOSADURGA ,  SIL DEVIKA ,  HAIGH JR THOMAS JASPER ,  CANAPERI DONALD FRANCIS ,  YOU HAN ,  CAO HUY

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht weist ein Abscheiden eines ersten Ausgangsstoffs auf einem Substrat auf. Der erste Ausgangsstoff weist eine zyklische Carbosiloxan-Gruppe mit einem sechsgliedrigen Ring auf. Das Verfahren weist außerdem ein Abscheiden eines zweiten Ausgangsstoffs auf dem Substrat auf. Der erste Ausgangsstoff und der zweite Ausgangsstoff bilden eine vorläufige Schicht auf dem Substrat, und der zweite Ausgangsstoff weist Silicium, Kohlenstoff und Wasserstoff auf. Das Verfahren weist des Weiteren ein Einwirken einer Energie von einer Energiequelle auf die vorläufige Schicht auf, um eine poröse dielektrische Schicht zu bilden.