UMWICKELNDE OBERE ELEKTRODENLEITUNG FÜR RESISTIVE SCHALTEINHEIT MIT KREUZSCHIENENFELD

    公开(公告)号:DE112018004641T5

    公开(公告)日:2020-06-04

    申请号:DE112018004641

    申请日:2018-11-01

    Applicant: IBM

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitereinheit vorgestellt. Das Verfahren umfasst Abscheiden einer isolierenden Schicht über einem Halbleitersubstrat, Ätzen der isolierenden Schicht, um eine Mehrzahl von Gräben zum Aufnehmen eines ersten leitenden Materials zu bilden, Bilden eines resistiv schaltenden Speicherelements über mindestens einem Graben der Mehrzahl von Gräben, wobei das resistiv schaltende Speicherelement eine darauf ausgebildete leitende Abdeckung aufweist, und Abscheiden einer dielektrischen Abdeckung über den Gräben. Das Verfahren umfasst ferner Ätzen von Teilen der isolierenden Schicht, um einen Abschnitt der dielektrischen Abdeckung freizulegen, die über dem resistiv schaltenden Speicherelement ausgebildet ist, Ätzen des frei liegenden Abschnitts der dielektrischen Abdeckung, um die leitende Abdeckung des resistiv schaltenden Speicherelements freizulegen, und Bilden einer Barriereschicht in direktem Kontakt mit dem frei liegenden Abschnitt der leitenden Abdeckung.

    VERKAPSELUNGSTOPOGRAPHIE-UNTERSTÜTZTER SELBSTAUSGERICHTETER OBERER MRAM-KONTAKT

    公开(公告)号:DE112020003521T5

    公开(公告)日:2022-04-14

    申请号:DE112020003521

    申请日:2020-09-08

    Applicant: IBM

    Abstract: Ein Verfahren zum Bilden einer MRAM-Einheit schließt ein: Bilden von MTKs (202) auf Verbindungsleitungen (106), die in einem ersten Dielektrikum (102) eingebettet sind; Abscheiden einer Verkapselungsschicht (204) über den MTKs (202); Vergraben der MTKs (202) in einem zweiten Dielektrikum (206); Strukturieren eines Grabens (302') in dem zweiten Dielektrikum (206) über den MTKs, um die Verkapselungsschicht (204) über Oberseiten der MTKs (202) freizulegen, wodurch eine Topographie an dem Boden des Grabens (302') erzeugt wird; Bilden einer Metallleitung (904) in dem Graben (302') über der Topographie; Absenken der Metallleitung (904), wodurch die Metallleitung (904) zu Segmenten (904a, 904b) aufgetrennt wird, die von freiliegenden Erhebungen der Verkapselungsschicht (204) getrennt werden; Absenken der freiliegenden Erhebungen der Verkapselungsschicht (204), um Vertiefungen an den Oberseiten der MTKs (202) zu bilden; und Bilden selbstausgerichteter Kontakte (1202) in den Vertiefungen. Ferner wird eine MRAM-Einheit bereitgestellt.

    FARBE AUF BERÜHRUNGSEMPFINDLICHEN MIKRO-CHIP-BILDSCHIRMEN

    公开(公告)号:DE112018002805T5

    公开(公告)日:2020-03-05

    申请号:DE112018002805

    申请日:2018-05-29

    Applicant: IBM

    Abstract: Ein System für eine berührungsempfindliche Bildschirmoberfläche, das eine Beschichtung mit einer Mehrzahl darin enthaltener durch Berühren aktivierbarer Mikro-Chips; und einen Projektor zum Projizieren eines Lichtbildes auf die Beschichtung enthält, die auf ein Substrat für eine berührungsempfindlichen Bildschirm aufgebracht ist. Das System enthält auch eine Bildabstimmungseinheit, die durch Berühren aktivierbare Mikro-Chips auf Merkmale des auf die Beschichtung projizierten Lichtbildes abstimmt. Das System enthält ferner einen Empfänger zum Empfangen von Signalen von den durch Berühren aktivierbaren Mikro-Chips, wenn das Merkmal des Lichtbildes aktiviert wird.

Patent Agency Ranking