公开(公告)号：WO2011084667A2

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：PCT/US2010060933

申请日：2010-12-17

Applicant: IBM ,  NGUYEN SON VAN ,  GRILL ALFRED ,  HAIGH THOMAS J ,  SHOBHA HOSADURGA ,  VO TUAN A

Inventor： NGUYEN SON VAN ,  GRILL ALFRED ,  HAIGH THOMAS J ,  SHOBHA HOSADURGA ,  VO TUAN A

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76849 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867

Abstract: An interconnect structure is provided that includes a dielectric material (52) having a dielectric constant of 4.0 or less and including a plurality of conductive features (56) embedded therein. The dielectric material (52) has an upper surface that is located beneath an upper surface of each of the plurality of conductive features (56). A first dielectric cap (58) is located on the upper surface of the dielectric material (52) and extends onto at least a portion of the upper surface of each of the plurality of conductive features (56). As shown, the first dielectric cap (58) forms an interface (59) with each of the plurality of conductive features (56) that is opposite to an electrical field that is generated by neighboring conductive features. The inventive structure also includes a second dielectric cap (60) located on an exposed portion of the upper surface of each of the plurality of conductive features (56) not covered with the first dielectric cap (58). The second dielectric cap (60) further covers on an exposed surface of the first dielectric cap (58).

Abstract translation: 提供了一种互连结构，其包括介电常数为4.0或更小并且包括嵌入其中的多个导电部件（56）的介电材料（52）。 介电材料（52）具有位于多个导电部件（56）中的每一个的上表面下方的上表面。 第一电介质帽（58）位于电介质材料（52）的上表面上并且延伸到多个导电部件（56）中的每一个的上表面的至少一部分上。 如所示，第一电介质帽（58）与多个导电特征（56）中的每一个形成与由相邻导电特征产生的电场相反的界面（59）。 本发明的结构还包括位于未被第一电介质帽（58）覆盖的多个导电部件（56）中的每一个的上表面的暴露部分上的第二电介质帽（60）。 第二电介质帽（60）还覆盖在第一电介质帽（58）的暴露表面上。

公开(公告)号：DE112019005372T5

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：DE112019005372

申请日：2019-12-12

Applicant: IBM

Inventor： NGUYEN SON ,  BRIGGS BENJAMIN ,  SHOBHA HOSADURGA ,  SIL DEVIKA ,  HAIGH JR THOMAS JASPER ,  CANAPERI DONALD FRANCIS ,  YOU HAN ,  CAO HUY

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer dielektrischen Schicht weist ein Abscheiden eines ersten Ausgangsstoffs auf einem Substrat auf. Der erste Ausgangsstoff weist eine zyklische Carbosiloxan-Gruppe mit einem sechsgliedrigen Ring auf. Das Verfahren weist außerdem ein Abscheiden eines zweiten Ausgangsstoffs auf dem Substrat auf. Der erste Ausgangsstoff und der zweite Ausgangsstoff bilden eine vorläufige Schicht auf dem Substrat, und der zweite Ausgangsstoff weist Silicium, Kohlenstoff und Wasserstoff auf. Das Verfahren weist des Weiteren ein Einwirken einer Energie von einer Energiequelle auf die vorläufige Schicht auf, um eine poröse dielektrische Schicht zu bilden.

公开(公告)号：DE112020003469T5

公开(公告)日：2022-04-14

申请号：DE112020003469

申请日：2020-08-14

Applicant: IBM

Inventor： LANZILLO NICHOLAS ANTHONY ,  SHOBHA HOSADURGA ,  HUANG HUAI ,  WANG JUNLI ,  MOTOYAMA KOICHI ,  PENNY CHRISTOPHER ,  CLEVENGER LAWRENCE

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Es werden Verfahren zum Bilden trapezförmiger Verbindungsleitungen bereitgestellt. Bei einer Erscheinungsform weist ein Verfahren zum Bilden einer Verbindungsleitungsstruktur auf: Strukturieren eines Grabens/von Gräben mit einem V-förmigen Profil mit einem abgerundeten Boden in einem Dielektrikum; Abscheiden einer Auskleidung in den Graben/die Gräben unter Verwendung von PVD, wodurch der Graben/die Gräben aufgeweitet wird/werden, um ein trapezförmiges Profil in dem Graben/den Gräben zu erzeugen; Entfernen der Auskleidung aus dem Graben/den Gräben selektiv gegenüber dem Dielektrikum, wodurch nach dem Entfernen der Graben/die Gräben mit dem trapezförmigen Profil in dem Dielektrikum zurückbleibt/zurückbleiben; Abscheiden einer konformen Barriereschicht in den/die und Auskleiden des/der Grabens/Gräben, der/die das trapezförmige Profil aufweist/aufweisen; Abscheiden eines Leiters in den/die und Füllen des/der Grabens/Gräben, der/die das trapezförmige Profil aufweist/aufweisen, über der konformen Barriereschicht; und Polieren des Leiters und der konformen Barriereschicht bis hinunter zu dem Dielektrikum. Ferner wird eine Verbindungsleitungsstruktur bereitgestellt.