公开(公告)号：AU2022205759B2

公开(公告)日：2025-01-30

申请号：AU2022205759

申请日：2022-01-05

Applicant: IBM

Inventor： CORCOLES-GONZALEZ ANTONIO ,  GUMANN PATRYK ,  CHOW JERRY

IPC: F25B9/10 ,  F25B9/12 ,  F25D19/00 ,  F28D15/02

Abstract: Techniques facilitating multiple cryogenic systems sectioned within a common vacuum space are provided. In one example, a cryostat can comprise a plurality of thermal stages and a thermal switch. The plurality of thermal stages can intervene between a 4-Kelvin (K) stage and a Cold Plate stage. The plurality of thermal stages can include a Still stage and an intermediate thermal stage that can be directly coupled mechanically to the Still stage via a support rod. The thermal switch can be coupled to the intermediate thermal stage and an adjacent thermal stage. The thermal switch can facilitate modifying a thermal profile of the cryostat by providing a switchable thermal path between the intermediate thermal stage and the adjacent thermal stage.

公开(公告)号：AU2022205759A9

公开(公告)日：2025-03-20

申请号：AU2022205759

申请日：2022-01-05

Applicant: IBM

Inventor： CORCOLES-GONZALEZ ANTONIO ,  GUMANN PATRYK ,  CHOW JERRY

IPC: F25B9/10 ,  F25B9/12 ,  F25D19/00 ,  F28D15/02

Abstract: Techniques facilitating multiple cryogenic systems sectioned within a common vacuum space are provided. In one example, a cryostat can comprise a plurality of thermal stages and a thermal switch. The plurality of thermal stages can intervene between a 4-Kelvin (K) stage and a Cold Plate stage. The plurality of thermal stages can include a Still stage and an intermediate thermal stage that can be directly coupled mechanically to the Still stage via a support rod. The thermal switch can be coupled to the intermediate thermal stage and an adjacent thermal stage. The thermal switch can facilitate modifying a thermal profile of the cryostat by providing a switchable thermal path between the intermediate thermal stage and the adjacent thermal stage.

公开(公告)号：DE112017008244T5

公开(公告)日：2020-08-13

申请号：DE112017008244

申请日：2017-12-20

Applicant: IBM

Inventor： GAMBETTA JAY ,  CORCOLES-GONZALEZ ANTONIO ,  SOLGUN FIRAT ,  ROSENBLATT SAMI ,  BRINK MARKUS

IPC: H01L39/22

Abstract: Eine Technik bezieht sich auf eine Struktur. Eine erste Oberfläche weist ein induktives Element eines Resonators auf. Eine zweite Oberfläche weist einen ersten Bereich eines kapazitiven Elements des Resonators und zumindest ein Qubit auf. Ein zweiter Bereich des kapazitiven Elements des Resonators befindet sich auf der ersten Oberfläche.

公开(公告)号：ES2925260T3

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：ES18778899

申请日：2018-09-26

Applicant: IBM

Inventor： SOLGUN FIRAT ,  ROSENBLATT SAMI ,  BRINK MARKUS ,  GAMBETTA JAY ,  CORCOLES-GONZALEZ ANTONIO

IPC: H01P7/08 ,  B82Y10/00 ,  G06N10/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L27/18 ,  H01P5/02

Abstract: Una estructura de resonador que se puede utilizar con circuitos qubit superconductores. Un elemento inductivo está en una primera superficie. Un elemento capacitivo está en la primera superficie y en una segunda superficie. Una estructura de interconexión está entre la primera superficie y la segunda superficie. (Traducción automática con Google Translate, sin valor legal)

公开(公告)号：DE112017008244B4

公开(公告)日：2021-12-16

申请号：DE112017008244

申请日：2017-12-20

Applicant: IBM

Inventor： GAMBETTA JAY ,  CORCOLES-GONZALEZ ANTONIO ,  SOLGUN FIRAT ,  ROSENBLATT SAMI ,  BRINK MARKUS

IPC: H01L39/22

Abstract: Struktur, die aufweist:eine erste Oberfläche, die ein induktives, spiralförmiges Element eines Resonators aufweist; undeine zweite Oberfläche, die einen ersten Bereich eines kapazitiven Elements des Resonators und zumindest ein Qubit aufweist, wobei sich ein zweiter Bereich des kapazitiven Elements des Resonators auf der ersten Oberfläche befindet, wobei sich das induktive, spiralförmige Element um den zweiten Bereich des kapazitiven Elements windet.