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    Hybrid readout package for quantum multichip bonding
    3.
    发明专利
    Hybrid readout package for quantum multichip bonding 未知

    公开(公告)号：AU2021249420A1

    公开(公告)日：2022-09-01

    申请号：AU2021249420

    申请日：2021-03-10

    Applicant: IBM

    Inventor： SHAO DONGBING ,  LEWANDOWSKI ERIC ,  BRONN NICHOLAS ,  BRINK MARKUS

    IPC: G06N10/00 ,  H01L21/00 ,  H01L23/00 ,  H01L25/00 ,  H01L27/00

    Abstract: Systems and techniques that facilitate hybrid readout packaging for quantum multichip bonding are provided. In various embodiments, an interposer can have a first quantum chip and a second quantum chip. In various aspects, a readout resonator (e.g., input/output port) of one or more qubits on the first quantum chip can be routed to an inner portion of the interposer. In various instances, the inner portion can be located between the first quantum chip and the second quantum chip. In various aspects, routing the readout resonator to the inner portion can reduce a number of crossings and/or intersections between input/output lines on the interposer and connection buses between qubits on the interposer.

    Fabricação de via através de silício em dispositivos quânticos planares
    4.
    发明专利
    Fabricação de via através de silício em dispositivos quânticos planares 未知

    公开(公告)号：BR112021021816A8

    公开(公告)日：2022-01-18

    申请号：BR112021021816

    申请日：2020-03-20

    Applicant: IBM

    Inventor： VIVEKANANDA ADIGA ,  KUMAR ARVIND ,  HERTZBERG JARED ,  RUBIN JOSHUA ,  BRINK MARKUS ,  ROSENBLATT SAMI

    IPC: H01L23/532 ,  G06N10/00 ,  H01L27/18 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24

    Abstract: fabricação de via através de silício em dispositivos quânticos planares. em uma primeira camada supercondutora (316) depositada em uma primeira superfície de um substrato (312), um primeiro componente de um ressonador é padronizado. em uma segunda camada supercondutora (326) depositada em uma segunda superfície do substrato (312), um segundo componente do ressonador é padronizado. a primeira superfície e a segunda superfície são dispostas em relação uma à outra em uma disposição não coplanar. no substrato, um recesso é criado, o recesso se estendendo da primeira camada supercondutora para a segunda camada supercondutora. em uma superfície interna do recesso, uma terceira camada supercondutora (322) é depositada, a terceira camada supercondutora formando um caminho supercondutor entre a primeira camada supercondutora e a segunda camada supercondutora. o excesso de material da terceira camada supercondutora é removido da primeira superfície e da segunda superfície, formando um uma via através de silício (tsv) completa(320).

    Through-silicon-via fabrication in planar quantum devices
    6.
    发明专利
    Through-silicon-via fabrication in planar quantum devices 未知

    公开(公告)号：AU2020265711A1

    公开(公告)日：2021-09-30

    申请号：AU2020265711

    申请日：2020-03-20

    Applicant: IBM

    Inventor： RUBIN JOSHUA ,  HERTZBERG JARED ,  ROSENBLATT SAMI ,  VIVEKANANDA ADIGA ,  BRINK MARKUS ,  KUMAR ARWIND

    IPC: H01L27/18 ,  G06N10/00 ,  H01L23/532 ,  H01L39/02 ,  H01L39/24

    Abstract: On a first superconducting layer (316) deposited on a first surface of a substrate (312), a first component of a resonator is pattered. On a second superconducting layer (326) deposited on a second surface of the substrate (312), a second component of the resonator is patterned. The first surface and the second surface are disposed relative to each other in a non-co-planar disposition. In the substrate, a recess is created, the recess extending from the first superconducting layer to the second superconducting layer. On an inner surface of the recess, a third superconducting layer (322) is deposited, the third superconducting layer forming a superconducting path between the first superconducting layer and the second superconducting layer. Excess material of the third superconducting layer is removed from the first surface and the second surface, forming a completed through-silicon via TSV (320).

    Sichere Kennungen in QUBIT-Netzwerken
    7.
    发明专利
    Sichere Kennungen in QUBIT-Netzwerken 未知

    公开(公告)号：DE112017006931B4

    公开(公告)日：2021-09-09

    申请号：DE112017006931

    申请日：2017-11-28

    Applicant: IBM

    Inventor： ROSENBLATT SAMI ,  HERTZBERG JARED BARNEY ,  BRINK MARKUS

    IPC: H01L39/22 ,  G11C11/44 ,  H04L9/00

    Abstract: Supraleitender Chip, der aufweist:supraleitende Qubits, die jeweils einen Josephson-Übergang enthalten, wobei die supraleitenden Qubits Resonanzfrequenzen haben, deren Unterschiede auf einer Variation des Josephson-Übergangs beruhen; undein Übertragungsmedium, das mit den supraleitenden Qubits verbunden ist, wobei das Übertragungsmedium so konfiguriert ist, dass es eine Sequenz der Resonanzfrequenzen als Kennung des Chips unmittelbar ausgibt, wobei das Übertragungsmedium aus einer oder mehreren Übertragungsleitungen und einem Mikrowellenhohlraum ausgewählt wird.

    QUBIT FREQUENCY TUNING STRUCTURES AND FABRICATION METHODS FOR FLIP CHIP QUANTUM COMPUTING DEVICES
    8.
    发明专利
    QUBIT FREQUENCY TUNING STRUCTURES AND FABRICATION METHODS FOR FLIP CHIP QUANTUM COMPUTING DEVICES 未知

    公开(公告)号：CA3137214A1

    公开(公告)日：2020-10-22

    申请号：CA3137214

    申请日：2020-04-15

    Applicant: IBM

    Inventor： SHAO DONGBING ,  BRINK MARKUS ,  SOLGUN FIRAT ,  HERTZBERG JARED BARNEY

    IPC: B82Y10/00 ,  H01L39/22

    Abstract: A quantum computing device includes a first chip having a first substrate and one or more qubits disposed on the first substrate. Each of the one or more qubits has an associated resonance frequency. The quantum computing device further includes a second chip having a second substrate and at least one conductive surface disposed on the second substrate opposite the one or more qubits. The at least one conductive surface has at least one dimension configured to adjust the resonance frequency associated with at least one of the one or more qubits to a determined frequency adjustment value.

    Nicht-flüchtige Identifikation in QUBIT-Netzwerken
    9.
    发明专利
    Nicht-flüchtige Identifikation in QUBIT-Netzwerken 未知

    公开(公告)号：DE112017007142T5

    公开(公告)日：2019-11-21

    申请号：DE112017007142

    申请日：2017-12-06

    Applicant: IBM

    Inventor： ROSENBLATT SAMI ,  HERTZBERG JARED BARNEY ,  BRINK MARKUS

    IPC: H01L39/22

    Abstract: Eine Methode betrifft einen supraleitenden Chip. Schwingeinheiten besitzen Resonanzfrequenzen, und die Schwingeinheiten sind als supraleitende Schwingkreise konfiguriert. In den Schwingeinheiten befinden sich Josephson-Übergänge, und einer oder mehrere der Josephson-Übergänge besitzen eine kurzgeschlossene Tunnelbarriere.

    Strukturierung mit hoher Wiedergabetreue unter Verwendung eines Fluorkohlenwasserstoff enthaltenden Polymers
    10.
    发明专利
    Strukturierung mit hoher Wiedergabetreue unter Verwendung eines Fluorkohlenwasserstoff enthaltenden Polymers 未知

    公开(公告)号：DE112012004495T5

    公开(公告)日：2014-07-24

    申请号：DE112012004495

    申请日：2012-10-24

    Applicant: IBM ,  ZEON CORP

    Inventor： BRINK MARKUS ,  ENGELMANN SEBASTIAN U ,  FULLER NICHOLAS C M ,  GUILLORN MICHAEL A ,  NAKAMURA MASAHIRO ,  MIYAZOE HIROYUKI

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

    Abstract: Ein Stapel aus einer Hartmaskenschicht, einer Weichmaskenschicht und einem Photoresist wird auf einem Substrat gebildet. Der Photoresist wird strukturiert, so dass er mindestens eine Öffnung umfasst. Die Struktur wird durch ein anisotropes Ätzen in die Weichmaskenschicht übertragen, wodurch ein kohlenstoffreiches Polymer gebildet wird, welches mehr Kohlenstoff als Fluor umfasst. Das kohlenstoffreiche Polymer kann durch Verwenden eines Fluorkohlenwasserstoff enthaltenden Plasmas gebildet werden, welches mit Fluorkohlenwasserstoff-Molekülen gebildet wird, die mehr Wasserstoff als Fluor umfassen. Die Seitenwände der Weichmaskenschicht werden mit dem kohlenstoffreichen Polymer beschichtet und dieses verhindert eine Verbreiterung der Struktur, die in die Weichmaske übertragen wird. Der Photoresist wird anschließend entfernt und die Struktur in der Weichmaskenschicht wird in die Hartmaskenschicht übertragen. Seitenwände der Hartmaskenschicht werden mit dem kohlenstoffreichen Polymer beschichtet, um eine Verbreiterung der Struktur zu verhindern, die in die Hartmaske übertragen wird.

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