公开(公告)号：DE112011101181T5

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：DE112011101181

申请日：2011-03-15

Applicant: CENTRE NAT RECH SCIENT ,  IBM

Inventor： DUBOURDIEU CATHERINE A ,  FRANK MARTIN M

IPC: H01L21/00

Abstract: Ein Verfahren zur Steuerung der ferroelektrischen Eigenschaften der Komponenten einer integrierten Schaltkreiseinheit beinhaltet das Bilden einer ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht auf einem Substrat; und das Bilden einer Spannung ausübenden Struktur nahe der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht, sodass durch die Spannung ausübende Struktur in der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht eine im Wesentlichen monoaxiale Spannung erzeugt wird; wobei die ferroelektrisch steuerbare dielektrische Schicht eines oder mehreres umfasst aus: eine ferroelektrische Oxidschicht und eine Schicht aus einem normalerweise nicht ferroelektrischen Material, das bei Fehlen einer ausgeübten Spannung keine ferroelektrischen Eigenschaften aufweist.

公开(公告)号：DE112011104319T5

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：DE112011104319

申请日：2011-12-01

Applicant: CENTRE NAT RECH SCIENT ,  IBM

Inventor： DUBOURDIEU CATHERINE A ,  FRANK MARTIN M ,  RAJENDRAN BIPIN ,  SCHROTT ALEJANDRO G

IPC: G11C11/00

Abstract: Eine offenbarte beispielhafte Ausführungsform ist eine Phasenwechsel-Speicherzelle. Die Speicherzelle weist ein Phasenwechselmaterial und einen Wandler auf, der an das Phasenwechselmaterial anschließend angeordnet ist. Das Phasenwechselmaterial ist zumindest zwischen einem amorphen Zustand und einem kristallinen Zustand umschaltbar. Der Wandler ist dafür konfiguriert, aktiviert zu werden, wenn das Phasenwechselmaterial vom amorphen Zustand in den kristallinen Zustand gebracht wird. In einer speziellen Ausführungsform ist der Wandler ein ferroelektrisches Material.

公开(公告)号：GB2492697B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：GB201218702

申请日：2011-03-15

Applicant: IBM ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： DUBOURDIEU CATHERINE A ,  FRANK MARTIN M

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L41/09

Abstract: A method of controlling ferroelectric characteristics of integrated circuit device components includes forming a ferroelectrically controllable dielectric layer over a substrate; and forming a stress exerting structure proximate the ferroelectrically controllable dielectric layer such that a substantially uniaxial strain is induced in the ferroelectrically controllable dielectric layer by the stress exerting structure; wherein the ferroelectrically controllable dielectric layer comprises one or more of: a ferroelectric oxide layer and a normally non-ferroelectric material layer that does not exhibit ferroelectric properties in the absence of an applied stress.

公开(公告)号：GB2492697A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：GB201218702

申请日：2011-03-15

Applicant: IBM

Inventor： DUBOURDIEU CATHERINE A ,  FRANK MARTIN M

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L41/09

Abstract: A method of controlling ferroelectric characteristics of integrated circuit device components includes forming a ferroelectrically controllable dielectric layer over a substrate; and forming a stress exerting structure proximate the ferroelectrically controllable dielectric layer such that a substantially uniaxial strain is induced in the ferroelectrically controllable dielectric layer by the stress exerting structure; wherein the ferroelectrically controllable dielectric layer comprises one or more of: a ferroelectric oxide layer and a normally non-ferroelectric material layer that does not exhibit ferroelectric properties in the absence of an applied stress.