公开(公告)号：DE112011104319T5

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：DE112011104319

申请日：2011-12-01

Applicant: CENTRE NAT RECH SCIENT ,  IBM

Inventor： DUBOURDIEU CATHERINE A ,  FRANK MARTIN M ,  RAJENDRAN BIPIN ,  SCHROTT ALEJANDRO G

IPC: G11C11/00

Abstract: Eine offenbarte beispielhafte Ausführungsform ist eine Phasenwechsel-Speicherzelle. Die Speicherzelle weist ein Phasenwechselmaterial und einen Wandler auf, der an das Phasenwechselmaterial anschließend angeordnet ist. Das Phasenwechselmaterial ist zumindest zwischen einem amorphen Zustand und einem kristallinen Zustand umschaltbar. Der Wandler ist dafür konfiguriert, aktiviert zu werden, wenn das Phasenwechselmaterial vom amorphen Zustand in den kristallinen Zustand gebracht wird. In einer speziellen Ausführungsform ist der Wandler ein ferroelektrisches Material.

公开(公告)号：DE112011101181T5

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：DE112011101181

申请日：2011-03-15

Applicant: CENTRE NAT RECH SCIENT ,  IBM

Inventor： DUBOURDIEU CATHERINE A ,  FRANK MARTIN M

IPC: H01L21/00

Abstract: Ein Verfahren zur Steuerung der ferroelektrischen Eigenschaften der Komponenten einer integrierten Schaltkreiseinheit beinhaltet das Bilden einer ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht auf einem Substrat; und das Bilden einer Spannung ausübenden Struktur nahe der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht, sodass durch die Spannung ausübende Struktur in der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht eine im Wesentlichen monoaxiale Spannung erzeugt wird; wobei die ferroelektrisch steuerbare dielektrische Schicht eines oder mehreres umfasst aus: eine ferroelektrische Oxidschicht und eine Schicht aus einem normalerweise nicht ferroelektrischen Material, das bei Fehlen einer ausgeübten Spannung keine ferroelektrischen Eigenschaften aufweist.

公开(公告)号：GB2492697B

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：GB201218702

申请日：2011-03-15

Applicant: IBM ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： DUBOURDIEU CATHERINE A ,  FRANK MARTIN M

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L41/09

Abstract: A method of controlling ferroelectric characteristics of integrated circuit device components includes forming a ferroelectrically controllable dielectric layer over a substrate; and forming a stress exerting structure proximate the ferroelectrically controllable dielectric layer such that a substantially uniaxial strain is induced in the ferroelectrically controllable dielectric layer by the stress exerting structure; wherein the ferroelectrically controllable dielectric layer comprises one or more of: a ferroelectric oxide layer and a normally non-ferroelectric material layer that does not exhibit ferroelectric properties in the absence of an applied stress.

公开(公告)号：DE112011101181B4

公开(公告)日：2020-10-08

申请号：DE112011101181

申请日：2011-03-15

Applicant: CENTRE NAT RECH SCIENT ,  GLOBALFOUNDRIES INC

Inventor： DUBOURDIEU CATHERINE A ,  FRANK MARTIN M

IPC: H01L21/8256 ,  H01L21/283 ,  H01L21/304 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/22

Abstract: Verfahren zur Steuerung ferroelektrischer Eigenschaften von Komponenten von integrierten Schaltkreiseinheiten, wobei das Verfahren aufweist:Bilden einer ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht (110, 506) auf einem Substrat (102); undBilden einer mechanischen Spannung ausübenden Struktur nahe der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht derart, dass durch die mechanische Spannung ausübende Struktur in der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht eine nennenswerte mechanische monoaxiale Spannung erzeugt wird;wobei die ferroelektrisch steuerbare dielektrische Schicht aufweist: eine ferroelektrische Oxidschicht und/oder eine Schicht aus einem unter Ausübung einer mechanischen Spannung ferroelektrisch werdenden Materials,wobei die mechanische monoaxiale Spannung in einer Richtung parallel zu einer Interface-Ebene zwischen dem Substrat (102) und der ferroelektrisch steuerbaren dielektrischen Schicht (110, 506) wirkt, undwobei die ferroelektrisch steuerbare dielektrische Schicht in eine dielektrische Gate-Elektrodenschicht (110) eines Feldeffekttransistors einbezogen ist.

公开(公告)号：EP1846947A4

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：EP05852630

申请日：2005-12-02

Applicant: IBM

Inventor： VEREECKEN PHILIPPE M ,  BASKER VEERARAGHAVAN ,  CABRAL CYRIL JR ,  COOPER EMANUEL I ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  FRANK MARTIN M ,  JAMMY RAJARAO ,  PARUCHURI VAMSI KRISHNA ,  SAENGER KATHERINE L ,  SHAO XIAOYAN

IPC: H01L21/302 ,  H01L29/745

CPC classification number: H01L21/2885 ,  C25D3/50 ,  C25D5/02 ,  C25D5/024 ,  C25D5/54 ,  C25D7/123 ,  C25D9/04 ,  C25F3/14 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76885 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78648

Abstract: A method for electroplating a gate metal (9) or other conducting or semiconducting material on a gate dielectric (2) is provided. The method involves selecting a substrate (3, 4), dielectric layer, and electrolyte solution or melt, wherein the combination of the substrate, dielectric layer, and electrolyte solution or melt allow an electrochemical current to be generated at an interface between the dielectric layer and the electrolyte solution or melt.

公开(公告)号：EP1766691A4

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：EP05732384

申请日：2005-03-30

Applicant: IBM

Inventor： BOJARCZUK NESTOR A JR ,  CABRAL CYRIL JR ,  CARTIER EDUARD A ,  COPEL MATTHEW W ,  FRANK MARTIN M ,  GOUSEV EVGENI P ,  GUHA SUPRATIK ,  JAMMY RAJARAO ,  NARAYANAN VIJAY ,  PARUCHURI VAMSI K

IPC: H01L31/113 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L31/119

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

公开(公告)号：EP1949447A4

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：EP06825854

申请日：2006-10-12

Applicant: IBM

Inventor： CARTER EDUARD A ,  COPEL MATTHEW W ,  FRANK MARTIN M ,  GOUSEV EVGENI P ,  JAMISON PAUL C ,  JAMMY RAJARAO ,  LINDER BARRY P ,  NARAYANAN VIJAY

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

公开(公告)号：EP1825521A4

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：EP05820881

申请日：2005-11-01

Applicant: IBM

Inventor： BOJARCZUK NESTOR A JR ,  CABRAL CYRIL JR ,  CARTIER EDUARD A ,  FRANK MARTIN M ,  GOUSEV EVGENI P ,  GUHA SUPRATIK ,  JAMISON PAUL C ,  JAMMY RAJARAO ,  NARAYANAN VIJAY ,  PARUCHURI VAMSI K

IPC: H01L29/792 ,  H01L21/336 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/2822 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: A semiconductor structure is provided that includes a V t stabilization layer between a gate dielectric and a gate electrode. The V t stabilization layer is capable of stabilizing the structure's threshold voltage and flatband voltage to a targeted value and comprises a nitrided metal oxide, or a nitrogen-free metal oxide, with the provision that when the V t stabilization layer comprises a nitrogen-free metal oxide, at least one of the semiconductor substrate or the gate dielectric includes nitrogen. The present invention also provides a method of fabricating such a structure.

公开(公告)号：EP1836732A4

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：EP05826298

申请日：2005-12-02

Applicant: IBM

Inventor： CALLEGARI ALESSANDRO C ,  FRANK MARTIN M ,  JAMMY RAJARAO ,  LACEY DIANNE L ,  MCFEELY FENTON R ,  ZAFAR SUFI

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

Abstract: A compound metal comprising HfSiN which is a n-type metal having a workfunction of about 4.0 to about 4.5, preferably about 4.3, eV which is thermally stable on a gate stack comprising a high k dielectric and an interfacial layer. Furthermore, after annealing the stack of HfSiN/high k dielectric/interfacial layer at a high temperature (on the order of about 1000°C), there is a reduction of the interfacial layer, thus the gate stack produces a very small equivalent oxide thickness (12 Å classical), which cannot be achieved using TaSiN.

公开(公告)号：JP2005328059A

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：JP2005139334

申请日：2005-05-12

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： BOJARCZUK NESTOR A JR ,  CARTIER EDUARD A ,  FRANK MARTIN M ,  GOUSEV EVGENI ,  SUPURATEIKU GUUHA ,  NARAYANAN VIJAY

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) structure including an intermediate layer between a Si-containing gate electrode and a high-k gate dielectric, so that a threshold voltage and a flat-band voltage of the structure are stabilized.
SOLUTION: An insulating intermediate layer for use in the complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) is provided in order to prevent undesirable shifts of the threshold voltage and the flat-band voltage. The insulating intermediate layer is disposed between a gate dielectric having a dielectric constant of more than 4.0 and a Si-containing gate conductor. The insulating intermediate layer comprises metal nitride capable of containing oxygen, and stabilizes the threshold voltage and the flat-band voltage. For a preferred embodiment, the insulating intermediate layer comprises aluminum nitride or aluminum oxinitride, and the gate dielectric comprises a hafnium oxide, hafnium silicate, or hafnium oxinitride. The structure is especially useful for stabilizing the threshold voltage and the flat-band voltage of a p-type field effect transistor.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供在含Si栅极电极和高k栅极电介质之间包括中间层的互补金属氧化物半导体（CMOS）结构，使得阈值电压和平带电压 的结构是稳定的。 解决方案：提供用于互补金属氧化物半导体（CMOS）的绝缘中间层，以便防止阈值电压和平带电压的不希望的偏移。 绝缘中间层设置在介电常数大于4.0的栅极电介质和含Si的栅极导体之间​​。 绝缘中间层包括能够含有氧的金属氮化物，稳定阈值电压和平带电压。 对于优选实施例，绝缘中间层包括氮化铝或氮氧化铝，栅极电介质包括氧化铪，硅酸铪或氧化铪。 该结构对于稳定p型场效应晶体管的阈值电压和平带电压特别有用。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI