公开(公告)号：WO2008128897A2

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：PCT/EP2008054306

申请日：2008-04-09

Applicant: IBM ,  IBM UK ,  CANNON ETHAN HARRISON ,  FURUKAWA TOSHIHARU ,  GAUDIELLO JOHN GERARD ,  HAKEY MARK CHARLES ,  HOLMES STEVEN JOHN ,  HORAK DAVID VACLAV ,  KOBURGER III CHARLES WILLIAM ,  MANDELMAN JACK ALLAN ,  TONTI WILLIAM ROBERT

Inventor： CANNON ETHAN HARRISON ,  FURUKAWA TOSHIHARU ,  GAUDIELLO JOHN GERARD ,  HAKEY MARK CHARLES ,  HOLMES STEVEN JOHN ,  HORAK DAVID VACLAV ,  KOBURGER III CHARLES WILLIAM ,  MANDELMAN JACK ALLAN ,  TONTI WILLIAM ROBERT

CPC classification number: H01L21/76264

Abstract: Hybrid substrates characterized by semiconductor islands of different crystal orientations and methods of forming such hybrid substrates. The methods involve using a SIMOX process to form an insulating layer. The insulating layer may divide the islands of at least one of the different crystal orientations into mutually aligned device and body regions. The body regions may be electrically floating relative to the device regions.

Abstract translation: 以不同晶体取向的半导体岛为特征的混合衬底以及形成这种混合衬底的方法。 这些方法涉及使用SIMOX工艺来形成绝缘层。 绝缘层可以将不同晶体取向中的至少一个的岛分成相互对准的器件区和体区。 本体区域可以相对于器件区域电浮动。

公开(公告)号：DE112018005623T5

公开(公告)日：2020-07-23

申请号：DE112018005623

申请日：2018-12-03

Applicant: IBM

Inventor： LI JUNTAO ,  CHENG KANGGUO ,  JIANG LIYING ,  GAUDIELLO JOHN GERARD

IPC: H01L21/84

Abstract: Ein Verfahren zum Ausbilden einer Logikeinheit und einer Leistungseinheit auf einem Substrat wird bereitgestellt. Das Verfahren enthält ein Ausbilden einer ersten vertikalen Finne auf einem ersten Bereich des Substrats und einer zweiten vertikalen Finne auf einem zweiten Bereich des Substrats, wobei ein Isolationsbereich den ersten Bereich von dem zweiten Bereich trennt, ein Ausbilden eines dielektrischen Unterschichtsegments auf der zweiten vertikalen Finne auf dem zweiten Bereich und ein Ausbilden einer ersten Gate-Struktur auf dem dielektrischen Unterschichtsegment und der zweiten vertikalen Finne auf dem zweiten Bereich.