PHOTORESIST-STRUKTURIERUNG AUF SILICIUMNITRID

    公开(公告)号:DE112018003651T5

    公开(公告)日:2020-04-16

    申请号:DE112018003651

    申请日:2018-09-25

    Applicant: IBM

    Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellen Systeme und Verfahren zum Einfangen von Aminen bereit. Dies wiederum schwächt unerwünschte Scumming- und Footing-Erscheinungen in einem Photoresist ab. Die Polymerbürste ist an eine Siliciumnitridoberfläche gepfropft. Die funktionellen Gruppen und das Molekulargewicht der Polymerbürste stellen Protonen bereit bzw. üben sterische Hinderung aus, um Amine einzufangen, die aus einer Siliciumnitridoberfläche diffundieren.

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