BESTIMMEN EINER EINHEITLICHKEIT EINER WIRKSAMEN DOSIS BEI EINER LITHOGRAPHIE

    公开(公告)号:DE112018002123T5

    公开(公告)日:2020-01-02

    申请号:DE112018002123

    申请日:2018-06-11

    Applicant: IBM

    Abstract: Ausführungsformen sind auf ein Verfahren und System zum Bestimmen einer wirksamen Dosis eines Lithographie-Werkzeugs gerichtet. Das Verfahren beinhaltet ein Durchführen einer Reihe von Open-Frame-Belichtungen (Flutbelichtungen) mit dem Lithographie-Werkzeug auf einem Substrat, um einen Satz Blöcke mit gesteuerter Belichtungsdosis im Resist zu erzeugen, und ein anschließendes Erhitzen und Entwickeln des belichteten Substrats. Das Verfahren beinhaltet ferner ein Scannen der sich ergebenden Open-Frame-Bilder mit Schräglicht und ein Erfassen des von der Substratoberfläche aus zerstreuten Lichts. Das Verfahren beinhaltet außerdem ein Erstellen einer „Haze Map“ aus dem Hintergrundsignal der Streulichtdaten, ein Umwandeln der Haze Map in eine grafische Bilddatei und ein Analysieren der grafischen Bilddatei, um eine wirksame Dosis des Lithographie-Werkzeugs zu bestimmen, wobei eine Helligkeit der grafischen Bilddatei mit einer wirksamen Dosis des Lithographie-Werkzeugs in Zusammenhang steht.

    VERFAHREN ZUM BESTIMMEN EINER GLEICHMÄßIGKEIT UND EINHEITLICHKEIT EINER WIRKSAMEN DOSIS EINES LITHOGRAPHIE-WERKZEUGS UND SYSTEM ZUM BESTIMMEN EINER WIRKSAMEN DOSIS EINES LITHOGRAPHIE-WERKZEUGS

    公开(公告)号:DE112018002123B4

    公开(公告)日:2020-12-10

    申请号:DE112018002123

    申请日:2018-06-11

    Applicant: IBM

    Abstract: Verfahren (400) zum Bestimmen einer Gleichmäßigkeit und Einheitlichkeit einer wirksamen Dosis eines Lithographie-Werkzeugs (10), wobei das Verfahren aufweist:ein Durchführen (402) einer Reihe von Flutbelichtungen mit dem Lithographie-Werkzeug auf einem Substrat (50; 600), um einen Satz Blöcke (621 - 625) mit gesteuerter Belichtungsdosis im Resist zu erzeugen;ein Erhitzen (403) und Entwickeln (403) des belichteten Substrats;ein Scannen der sich ergebenden Flutbelichtungs-Bilder mit Schräglicht und Erfassen des von der Substratoberfläche aus gestreuten Lichts unter Verwendung einer Schräglicht-Prüfeinheit;ein Erstellen (404) einer Streulichtkarte (510) aus dem Hintergrundsignal der erfassten Streulichtdaten;ein Umwandeln (406) der Streulichtkarte in eine grafische Bilddatei (510); undein Analysieren (408) der grafischen Bilddatei, um eine wirksame Dosis des Lithographie-Werkzeugs zu bestimmen, wobei eine Helligkeit der grafischen Bilddatei mit einer wirksamen Dosis des Lithographie-Werkzeugs in Zusammenhang steht.

    PHOTORESIST-STRUKTURIERUNG AUF SILICIUMNITRID

    公开(公告)号:DE112018003651T5

    公开(公告)日:2020-04-16

    申请号:DE112018003651

    申请日:2018-09-25

    Applicant: IBM

    Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellen Systeme und Verfahren zum Einfangen von Aminen bereit. Dies wiederum schwächt unerwünschte Scumming- und Footing-Erscheinungen in einem Photoresist ab. Die Polymerbürste ist an eine Siliciumnitridoberfläche gepfropft. Die funktionellen Gruppen und das Molekulargewicht der Polymerbürste stellen Protonen bereit bzw. üben sterische Hinderung aus, um Amine einzufangen, die aus einer Siliciumnitridoberfläche diffundieren.

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