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    Transistor mit vertikal gestapelten Selbstausgerichteten Kohlenstoff-Nanoröhren
    2.
    发明专利
    Transistor mit vertikal gestapelten Selbstausgerichteten Kohlenstoff-Nanoröhren 未知

    公开(公告)号：DE102012221387A1

    公开(公告)日：2013-05-23

    申请号：DE102012221387

    申请日：2012-11-22

    Applicant: IBM

    Inventor： CAO QING ,  GUO DECHAO ,  HAN SHU-JEN ,  LU YU ,  WONG KEITH KWONG HON

    IPC: H01L29/78 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/775

    Abstract: Eine Rippenstruktur mit einem vertikalen Stapel aus abwechselnd einer Materialschicht mit einem ersten isoelektrischen Punkt, die einen ersten isoelektrischen Punkt aufweist, und einer Materialschicht mit einem zweiten isoelektrischen Punkt, die einen zweiten isoelektrischen Punkt aufweist, der kleiner ist als der erste isoelektrische Punkt, wird gebildet. In einer Lösung mit einem pH-Wert zwischen dem ersten und dem zweiten isoelektrischen Punkt werden die Materialschichten mit einem ersten und einem zweiten isoelektrischen Punkt entgegengesetzt aufgeladen. Negative elektrische Ladungen werden von einem anionischen Tensid in der Lösung auf Kohlenstoff-Nanoröhren übertragen. Die elektrostatische Anziehung bewirkt, dass sich die Kohlenstoff-Nanoröhren selektiv an die Oberfläche der Materialschicht mit einem ersten isoelektrischen Punkt anlagern. Kohlenstoff-Nanoröhren lagern sich an die Materialschicht mit einem ersten isoelektrischen Punkt in Selbstausrichtung entlang horizontaler Längsrichtungen der Rippenstruktur an. Ein Transistor kann gebildet werden, der eine Mehrzahl vertikal ausgerichteter horizontaler Kohlenstoff-Nanoröhren als Kanal verwendet.

    Transistor mit vertikal gestapelten selbstausgerichteten Kohlenstoff-Nanoröhren und Verfahren zur Herstellung
    3.
    发明专利
    Transistor mit vertikal gestapelten selbstausgerichteten Kohlenstoff-Nanoröhren und Verfahren zur Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102012221387B4

    公开(公告)日：2019-12-24

    申请号：DE102012221387

    申请日：2012-11-22

    Applicant: IBM

    Inventor： CAO QING ,  GUO DECHAO ,  HAN SHU-JEN ,  LU YU ,  WONG KEITH KWONG HON

    IPC: H01L29/78 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/161 ,  H01L29/775

    Abstract: Struktur, aufweisend:eine Rippenstruktur, die sich auf einem Substrat (10) befindet und eine Länge in einer Längsrichtung (L) und eine Breite (B) in einer Breitenrichtung, jeweils parallel zum Substrat (10), aufweist, und die mindestens ein Schichtpaar (30, 40) aufweist, wobei jedes Schichtpaar (30, 40) in dem mindestens einen Schichtpaar (30, 40) eine Materialschicht (30) mit einem ersten isoelektrischen Punkt, die einen ersten isoelektrischen Punkt aufweist, und eine Materialschicht (40) mit einem zweiten isoelektrischen Punkt aufweist, die einen zweiten isoelektrischen Punkt aufweist, der sich von dem ersten isoelektrischen Punkt unterscheidet; undKohlenstoff-Nanoröhren (50), die sich auf Seitenwänden in Längsrichtung der mindestens einen Materialschicht (30) mit einem ersten isoelektrischen Punkt befinden, wobei mindestens eine Materialschicht (40) mit einem zweiten isoelektrischen Punkt eine Fläche einer Kohlenstoff-Nanoröhre (50) nicht berührt, wobei jede der Kohlenstoff-Nanoröhren (50) eine Seitenwand aufweist, die eine der Seitenwände in Längsrichtung berührt.

    A fin structure employing self-aligned carbon nanotubes
    6.
    发明专利
    A fin structure employing self-aligned carbon nanotubes 未知

    公开(公告)号：GB2496964A

    公开(公告)日：2013-05-29

    申请号：GB201220281

    申请日：2012-11-12

    Applicant: IBM

    Inventor： HAN SHU-JEN ,  GUO DECHAO ,  WONG KEITH KWONG HON ,  LU YU ,  CAO QING

    IPC: H01L51/00 ,  H01L51/05

    Abstract: A fin structure has a length and a width and is located on a substrate 10, the fin structure includes a vertical alternating stack of a first isoelectric point material layer 30 having a first isoelectric point and a second isoelectric material layer 40 having a second isoelectric point less than the first isoelectric point; the first and second isoelectric point material layers become oppositely charged in a solution with a pH between the first and second isoelectric points; carbon nanotubes 50 are given a charge by an ionic surfactant such that they are attracted to one of the first isoelectric point material layer 30 or the second isoelectric point material layer 40 and repelled by the other; the carbon nanotubes 50 will attach to the attractive of the two layers aligning lengthwise along the sidewall of the attractive layers. A method of forming said structure is also disclosed, it further discloses that the fin structure is immersed in a solution containing the carbon nanotubes 50, the solution having a pH between the first and second isoelectric points. The fin structure may then have a gate dielectric 60 and gate electrode 70 selectively deposited thereon, where source and drain electrodes may also be selectively deposited such that the fin structure becomes part of the field effect transistor with the carbon nanotubes 50 acting as the semiconducting channel.

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