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公开(公告)号：DE102013216218B4
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：DE102013216218
申请日：2013-08-15
Applicant: IBM
Inventor： RIEL HEIKE E , KARG SIEGFRIED FRIEDRICH , GOTSMANN BERND W
IPC: H01L35/32
Abstract: Thermoelektrisches Element, das einen Körper aufweist, der aus einem einzigen thermoelektrischen Werkstoff ausgebildet ist und sich in einer ersten Richtung erstreckt, entlang derer bei thermoelektrischem Betrieb ein Temperaturgradient eingerichtet ist, wobei:der Körper mindestens erste und zweite benachbarte Abschnitte in der ersten Richtung besitzt;mindestens einer der Abschnitte mechanischen Spannungen unterliegt, die auf diesen Abschnitten im Wesentlichen um eine zentrale Achse des Körpers in der ersten Richtung aufgebracht werden; unddie Anordnung derart ist, dass die mechanischen Spannungen zu unterschiedlichen Beanspruchungen in den ersten und den zweiten Abschnitten führen, wodurch eine Energiebarriere im Körper erzeugt wird, um den thermoelektrischen Betrieb zu verbessern,wobei mindestens einer der Abschnitte eine auf seiner Oberfläche ausgebildete Spannungsaufbringungsschicht besitzt, um mechanische Spannungen auf diesen Abschnitt aufzubringen, welche eine Leitungsbandgrenze verschieben und eine Energiebarriere ausbilden, die Leitungselektronen nahe der Fermi-Energie blockiert.
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公开(公告)号：DE102013216218A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：DE102013216218
申请日：2013-08-15
Applicant: IBM
Inventor： GOTSMANN BERND W , RIEL HEIKE E , KARG SIEGFRIED FRIEDRICH
Abstract: Thermoelektrische Elemente 1, 5, 12, 15 werden bereitgestellt, die einen aus einem einzigen thermoelektrischen Werkstoff ausgebildeten Körper 2, 6, 13, 17 aufweisen. Der Körper 2, 6, 13, 17 erstreckt sich in einer ersten Richtung, entlang derer im thermoelektrischen Betrieb ein Temperaturgradient eingerichtet ist. Der Körper besitzt mindestens erste und zweite benachbarte Abschnitte s1, s2 in der ersten Richtung. Mindestens einer der Abschnitte s1, s2 unterliegt mechanischen Spannungen, die auf diesen Abschnitten im Wesentlichen um eine Zentralachse CC des Körpers herum in der ersten Richtung aufgebracht werden. Die Anordnung ist derart, dass die mechanischen Spannungen zu unterschiedlichen Beanspruchungen in den ersten und zweiten Abschnitten s1, s2 führen, wodurch eine Energiebarriere im Körper erzeugt wird, um den thermoelektrischen Betrieb zu verbessern.
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公开(公告)号：GB2500831B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：GB201310312
申请日：2011-11-02
Applicant: IBM
Inventor： GOTSMANN BERND W , KARG SIEGFRIED FRIEDRICH , RIEL HEIKE E
IPC: H01L29/423 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/66 , H01L29/775 , H01L29/786
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公开(公告)号：DE102016221516B4
公开(公告)日：2020-04-23
申请号：DE102016221516
申请日：2016-11-03
Applicant: IBM
Inventor： GOTSMANN BERND W , KARG SIEGFRIED FRIEDRICH , SCHMIDT VOLKER
Abstract: Synapse für ein neuromorphes Netzwerk, wobei die Synapse aufweist:einen Zeitverzögerungsteil mit einem ersten und einem zweiten Ende;einen ersten Aktuator, der an dem ersten Ende angeordnet ist und funktionell in Kontakt mit dem Zeitverzögerungsteil steht; undeinen zweiten Aktuator, der an dem zweiten Ende angeordnet ist und funktionell mit dem Zeitverzögerungsteil steht;wobei der Zeitverzögerungsteil aus einem Phasenwechselmaterial gebildet ist, wobei durch eine Änderung des Materials des Zeitverzögerungsteils eine Laufzeit eines von dem ersten Aktuator zum zweiten Aktuator übertragenen Signals verändert wird.
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公开(公告)号：GB2500831A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：GB201310312
申请日：2011-11-02
Applicant: IBM
Inventor： GOTSMANN BERND W , KARG SIEGFRIED FRIEDRICH , RIEL HEIKE E
IPC: H01L29/423 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/66 , H01L29/775 , H01L29/786
Abstract: Nanowire devices (7, 14, 25, 38, 40) are provided together with methods for forming such devices. The methods comprise forming a stressor layer (6, 13, 23, 33) circumferentially surrounding a semiconductor nanowire (1, 10, 20, 30). The methods are performed such that, due to the stressor layer, the nanowire is subjected to at least one of radial and longitudinal strain to enhance carrier mobility in the nanowire. Radial and longitudinal strain components can be used separately or together and can each be made tensile or compressive, allowing formulation of desired strain characteristics for enhanced conductivity in the nanowire of a given device.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE112011103806T5
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：DE112011103806
申请日：2011-11-02
Applicant: IBM
Inventor： GOTSMANN BERND W , KARG SIEGFRIED FRIEDRICH , RIEL HEIKE E
Abstract: Es werden Nanodrahteinheiten (7, 14, 25, 38, 40) zusammen mit Verfahren zum Bilden solcher Einheiten bereitgestellt. Die Verfahren weisen das Bilden einer Stressorschicht (6, 13, 23, 33) auf, die einen Halbleiter-Nanodraht (1, 10, 20, 30) außen umgibt. Die Verfahren werden so durchgeführt, dass der Nanodraht aufgrund der Stressorschicht einer radialen und/oder longitudinalen Spannung ausgesetzt wird, um die Beweglichkeit der Ladungsträger in dem Nanodraht zu erhöhen. Die radiale und longitudinale Spannungskomponente können einzeln oder zusammen genutzt werden, und jede kann als Zug- oder Druckspannung erzeugt werden, sodass gewünschte Spannungseigenschaften für eine erhöhe Leitfähigkeit in dem Nanodraht einer bestimmten Einheit definiert werden können.
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公开(公告)号：CA2819469A1
公开(公告)日：2012-05-24
申请号：CA2819469
申请日：2011-11-02
Applicant: IBM
Inventor： GOTSMANN BERND W , KARG SIEGFRIED FRIEDRICH , RIEL HEIKE E
Abstract: Nanowire devices (7, 14, 25, 38, 40) are provided together with methods for forming such devices. The methods comprise forming a stressor layer (6, 13, 23, 33) circumferentially surrounding a semiconductor nanowire (1, 10, 20, 30). The methods are performed such that, due to the stressor layer, the nanowire is subjected to at least one of radial and longitudinal strain to enhance carrier mobility in the nanowire. Radial and longitudinal strain components can be used separately or together and can each be made tensile or compressive, allowing formulation of desired strain characteristics for enhanced conductivity in the nanowire of a given device.
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公开(公告)号：CA2819469C
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CA2819469
申请日：2011-11-02
Applicant: IBM
Inventor： GOTSMANN BERND W , KARG SIEGFRIED FRIEDRICH , RIEL HEIKE E
Abstract: Nanowire devices (7, 14, 25, 38, 40) are provided together with methods for forming such devices. The methods comprise forming a stressor layer (6, 13, 23, 33) circumferentially surrounding a semiconductor nanowire (1, 10, 20, 30). The methods are performed such that, due to the stressor layer, the nanowire is subjected to at least one of radial and longitudinal strain to enhance carrier mobility in the nanowire. Radial and longitudinal strain components can be used separately or together and can each be made tensile or compressive, allowing formulation of desired strain characteristics for enhanced conductivity in the nanowire of a given device.
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公开(公告)号：DE102016221516A1
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：DE102016221516
申请日：2016-11-03
Applicant: IBM
Inventor： GOTSMANN BERND W , KARG SIEGFRIED FRIEDRICH , SCHMIDT VOLKER
IPC: G11C11/54
Abstract: Es wird eine Synapse für ein neuromorphes Netzwerk bereitgestellt. Die Synapse enthält einen Zeitverzögerungsteil mit einem ersten und einem zweiten Ende, einen ersten Aktuator, der an dem ersten Ende angeordnet ist und funktionell in Kontakt mit dem Zeitverzögerungsteil steht, und einen zweiten Aktuator, der an dem zweiten Ende angeordnet ist und funktionell in Kontakt mit dem Zeitverzögerungsteil steht. Der Zeitverzögerungsteil ist aus einem Phasenwechselmaterial gebildet, wobei durch eine Änderung des Zeitverzögerungsteils eine Ausbreitungszeit eines von dem ersten Aktuator zu dem zweiten Aktuator gesendeten Signals geändert wird.
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公开(公告)号：DE112011103806B4
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：DE112011103806
申请日：2011-11-02
Applicant: IBM
Inventor： GOTSMANN BERND W , KARG SIEGFRIED FRIEDRICH , RIEL HEIKE E
IPC: H01L29/66 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/161 , H01L29/775 , H01L29/786
Abstract: Verfahren zum Bilden einer Nanodrahteinheit (7, 14, 25, 38, 40), wobei das Verfahren Folgendes aufweist: Bilden eines Nanodrahts (20, 30) derart, dass jedes Ende des Nanodrahts an einem Träger (22, 31, 32) befestigt ist; nach dem Bilden des Nanodrahts Bilden einer Stressorschicht (6, 13, 23, 33), welche den Nanodraht außen umgibt; und Freilegen des Nanodrahts (20, 30) von dem Träger zumindest an einem Ende des Nanodrahts, wobei durch die Stressorschicht (23, 33) zumindest eine longitudinale Spannung auf den Nanodraht ausgeübt wird, um die Beweglichkeit der Ladungsträger in dem Nanodraht zu erhöhen.
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