Unsymmetrischer BIT-Leitungs-Stromerfassungsverstärker für SRAM-Anwendungen

    公开(公告)号:DE112016002677T5

    公开(公告)日:2018-02-22

    申请号:DE112016002677

    申请日:2016-09-01

    Applicant: IBM

    Abstract: Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf einen Stromerfassungs-Leseverstärker zum Verwenden als Leseverstärker bei einer Speicheranordnung von Speicherzellengruppen, wobei in allen Zellen der Speicherzellengruppen wenigstens ein Leseanschluss enthalten ist, der durch eine Bitleitung mit einem Leseverstärker verbunden ist, und wobei die Leseverstärker mit einem Datenausgang verbunden sind. Ein Stromerfassungs-Leseverstärker enthält einen Spannungsregler, um die Bitleitungsspannung auf einem konstanten Spannungswert unterhalb einer Stromversorgungsspannung und oberhalb einer Masse zu halten, eine Messschaltung zum Erkennen eines hohen Stromwerts und eines niedrigen Stromwerts in einem Eingangssignal und einen Generator zum Erzeugen eines Ausgangssignals mit einem hohen Spannungswert, wenn das Eingangssignal mit hohen Stromwert erkannt wird, und zum Erzeugen eines Ausgangssignals mit einem niedrigen Spannungswert, wenn der niedrige Stromwerterkannt wird.

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