公开(公告)号：JP2002313907A

公开(公告)日：2002-10-25

申请号：JP2002040159

申请日：2002-02-18

Applicant: IBM

Inventor： LOGAN LYNDON R ,  SLINKMAN JAMES A

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which is reduced in inter-well leak. SOLUTION: The method for forming a semiconductor device having improved leak controllability includes steps of preparing a semiconductor substrate, forming a trench in the substrate, forming a leakage/stop/implant positioned under one sidewall of the trench in the substrate under the bottom surface of the trench, filling an insulator into the trench, and forming an N well (or P well) contacted with the other sidewall of the trench opposed to the above sidewall. The N well (or P well) is extended below the trench to form an upper part of a separate junction from the leakage/stop/implant, and the upper part of the separate junction is positioned completely under the trench. The leak control implant is self-aligned with the sidewall of the trench.

公开(公告)号：DE102012222504A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：DE102012222504

申请日：2012-12-07

Applicant: IBM

Inventor： LOGAN LYNDON R ,  NOWAK EDWARD J ,  ROBISON ROBERT R ,  WINSLOW JONATHAN K

IPC: H01L21/66 ,  G01R27/14 ,  G01R31/28 ,  H01L23/544

Abstract: Innerhalb einer integrierten Schaltungsstruktur werden mehrere Diode/Widerstands-Einheiten gebildet, wobei eine Herstellungsanlage benutzt wird, die operativ mit einer computergesteuerten Maschine verbunden ist. Jede der Diode/Widerstands-Einheiten weist eine Diodeneinheit und eine Widerstandseinheit auf, welche in einer Einzelstruktur integriert sind. Der Widerstand jeder der Diode/Widerstands-Einheiten wird während des Testens der integrierten Schaltungsstruktur gemessen, wobei eine Testanlage benutzt wird, die operativ mit der computergesteuerten Maschine verbunden ist. Die Stromstärke durch jede der Diode/Widerstands-Einheiten wird ebenfalls unter Benutzung der Testanlage während des Testens der integrierten Schaltungsstruktur gemessen. Anschließend werden Reaktionskurven für den Widerstand und die Stromstärke als Funktion von Abweichungen von Eigenschaften von Transistoreinheiten innerhalb der integrierten Schaltungsstruktur und/oder Abweichungen von Herstellungsverfahren der Transistoreinheiten innerhalb der integrierten Schaltungsstruktur berechnet.