公开(公告)号：DE112012000272B4

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：DE112012000272

申请日：2012-02-02

Applicant: IBM

Inventor： LAVOIE CHRISTIAN ,  FLETCHER BENJAMIN LUKE ,  MAURER SIEGFRIED LUTZ ,  ZHANG ZHEN

IPC: H01L21/20 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06

Abstract: Verfahren zum Bilden eines Silicids, Germanids oder Germanosilicids in einer dreidimensionalen Silicium-, Germanium- oder Silicium-Germanium-Struktur, wobei die Struktur einen Nanodraht aufweist wobei das Verfahren die Schritte aufweist: Implantieren von wenigstens einem Element in die Struktur; Abscheiden von wenigstens einem Metall auf die Struktur; und Tempern der Struktur, um das Silicium, Germanium oder Silicium-Germanium mit dem Metall zu durchsetzen, um das Silicid, Germanid oder Germanosilicid zu bilden, wobei das implantierte Element dazu dient, morphologischen Verfall des Silicids, Germanids oder Germanosilicids zu verhindern, wobei durch das Implantieren eine entsprechende Bildungstemperatur des Silicids, Germanids oder Germanosilicids und eine entsprechende Temperatur, die für den morphologischen Verfall des Silicids, Germanids oder Germanosilicids erforderlich ist, erhöht werden.

公开(公告)号：DE112012000272T8

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE112012000272

申请日：2012-02-02

Applicant: IBM

Inventor： LAVOIE CHRISTIAN ,  FLETCHER BENJAMIN LUKE ,  MAURER SIEGFRIED LUTZ ,  ZHANG ZHEN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/265

公开(公告)号：DE112012000272T5

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：DE112012000272

申请日：2012-02-02

Applicant: IBM

Inventor： LAVOIE CHRISTIAN ,  FLECHTER BENJAMIN LUKE ,  MAURER SIEGFRIED LUTZ ,  ZHANG ZHEN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/265

Abstract: Es werden Verfahren zum Bilden von Silicid, Germanid oder Germanosilicid in extrem kleinen Strukturen bereitgestellt. Bei einer Erscheinungsform wird ein Verfahren zum Bilden eines Silicids, Germanids oder Germanosilicids in einer dreidimensionalen Silicium-, Germanium- oder Silicium-Germanium-Struktur mit extrem kleinen Abmessungen bereitgestellt. Das Verfahren weist folgende Schritte auf. Wenigstens ein Element wird in die Struktur implantiert. Wenigstens ein Metall wird auf der Struktur abgeschieden. Die Struktur wird getempert, um das Silicium, Germanium oder Silicium-Germanium mit dem Metall zu durchsetzen, um das Silicid, Germanid oder Germanosilicid zu bilden, wobei das implantierte Element dazu dient, morphologischen Verfall des Silicids, Germanids oder Germanosilicids zu verhindern. Das implantierte Element kann wenigstens eines von Kohlenstoff, Fluor und Silicium aufweisen.