公开(公告)号：GB2499318B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：GB201302000

申请日：2013-02-05

Applicant: IBM

Inventor： ZHANG ZHEN ,  SUN YANNING ,  SOLOMON PAUL MICHAEL ,  LAVOIE CHRISTIAN ,  RANA UZMA ,  SHIU KUEN-TING ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/18 ,  H01L21/441 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66

公开(公告)号：GB2499318A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：GB201302000

申请日：2013-02-05

Applicant: IBM

Inventor： ZHANG ZHEN ,  SUN YANNING ,  SOLOMON PAUL MICHAEL ,  LAVOIE CHRISTIAN ,  RANA UZMA ,  SHIU KUEN-TING ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/18 ,  H01L21/441 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66

Abstract: Techniques for fabricating self-aligned contacts in III-V FET devices are provided. A method for fabricating a self-aligned contact to III-V materials includes the steps of depositing at least one metal on a surface of a III-V material 102, the metal is reacted with an upper portion of the III-V material to form a metal III-V alloy layer 106 which is the self-aligned contact, an etch is used to remove any unreacted portions of the metal, at least one impurity is implanted into the metal III-V alloy layer, the impurity implanted into the metal III-V alloy layer is diffused to an interface between the metal III-V alloy layer and the III-V material to reduce the contact resistance of the self-aligned contact. The reaction may involve an annealing step.

公开(公告)号：DE112012000272B4

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：DE112012000272

申请日：2012-02-02

Applicant: IBM

Inventor： LAVOIE CHRISTIAN ,  FLETCHER BENJAMIN LUKE ,  MAURER SIEGFRIED LUTZ ,  ZHANG ZHEN

IPC: H01L21/20 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/265 ,  H01L21/283 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06

Abstract: Verfahren zum Bilden eines Silicids, Germanids oder Germanosilicids in einer dreidimensionalen Silicium-, Germanium- oder Silicium-Germanium-Struktur, wobei die Struktur einen Nanodraht aufweist wobei das Verfahren die Schritte aufweist: Implantieren von wenigstens einem Element in die Struktur; Abscheiden von wenigstens einem Metall auf die Struktur; und Tempern der Struktur, um das Silicium, Germanium oder Silicium-Germanium mit dem Metall zu durchsetzen, um das Silicid, Germanid oder Germanosilicid zu bilden, wobei das implantierte Element dazu dient, morphologischen Verfall des Silicids, Germanids oder Germanosilicids zu verhindern, wobei durch das Implantieren eine entsprechende Bildungstemperatur des Silicids, Germanids oder Germanosilicids und eine entsprechende Temperatur, die für den morphologischen Verfall des Silicids, Germanids oder Germanosilicids erforderlich ist, erhöht werden.

公开(公告)号：DE102013201076A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：DE102013201076

申请日：2013-01-24

Applicant: IBM

Inventor： LAVOIE CHRISTIAN ,  RANA UZMA ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHIU KUEN-TING ,  SOLOMON PAUL MICHAEL ,  SUN YANNING ,  ZHANG ZHEN

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Es werden Techniken zum Herstellen selbstjustierter Kontakte in III-V-FET-Einheiten bereitgestellt. Gemäß einem Aspekt weist ein Verfahren zum Herstellen eines selbstjustierten Kontakts zu III-V-Materialien die folgenden Schritte auf. Mindestens ein Metall wird auf einer Oberfläche des III-V-Materials abgeschieden. Das mindestens eine Metall wird mit einem oberen Teil des III-V-Materials zur Reaktion gebracht, um eine Metall-III-V-Legierungsschicht zu bilden, die den selbstjustierten Kontakt darstellt. Ein Ätzprozess wird angewendet, um alle bei der Reaktion nicht umgesetzten Teile des mindestens einen Metalls zu entfernen. Mindestens eine Verunreinigung wird in die Metall-III-V-Legierungsschicht implantiert. Die mindestens eine in die Metall-III-V-Legierungsschicht implantierte Verunreinigung wird zu einer Grenzfläche zwischen der Metall-III-V-Legierungsschicht und dem darunterliegenden III-V-Material diffundiert, um einen Kontaktwiderstand des selbstjustierten Kontakts zu verringern.

公开(公告)号：GB2493413B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：GB201207210

申请日：2012-04-25

Applicant: IBM

Inventor： JIA BIN ,  LIU YING ,  LU E FENG ,  ZHANG ZHEN ,  WU JIA

IPC: G10L15/065

公开(公告)号：DE112012000272T8

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE112012000272

申请日：2012-02-02

Applicant: IBM

Inventor： LAVOIE CHRISTIAN ,  FLETCHER BENJAMIN LUKE ,  MAURER SIEGFRIED LUTZ ,  ZHANG ZHEN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/265

公开(公告)号：DE112012000272T5

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：DE112012000272

申请日：2012-02-02

Applicant: IBM

Inventor： LAVOIE CHRISTIAN ,  FLECHTER BENJAMIN LUKE ,  MAURER SIEGFRIED LUTZ ,  ZHANG ZHEN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/265

Abstract: Es werden Verfahren zum Bilden von Silicid, Germanid oder Germanosilicid in extrem kleinen Strukturen bereitgestellt. Bei einer Erscheinungsform wird ein Verfahren zum Bilden eines Silicids, Germanids oder Germanosilicids in einer dreidimensionalen Silicium-, Germanium- oder Silicium-Germanium-Struktur mit extrem kleinen Abmessungen bereitgestellt. Das Verfahren weist folgende Schritte auf. Wenigstens ein Element wird in die Struktur implantiert. Wenigstens ein Metall wird auf der Struktur abgeschieden. Die Struktur wird getempert, um das Silicium, Germanium oder Silicium-Germanium mit dem Metall zu durchsetzen, um das Silicid, Germanid oder Germanosilicid zu bilden, wobei das implantierte Element dazu dient, morphologischen Verfall des Silicids, Germanids oder Germanosilicids zu verhindern. Das implantierte Element kann wenigstens eines von Kohlenstoff, Fluor und Silicium aufweisen.

公开(公告)号：GB2493413A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：GB201207210

申请日：2012-04-25

Applicant: IBM

Inventor： JIA BIN ,  LIU YING ,  LU E FENG ,  ZHANG ZHEN ,  WU JIA

IPC: G10L15/065

Abstract: A method of maintaining and supplying a plurality of speech models comprises storing a plurality of speech models and metadata for each stored speech model, receiving from a source a query for a speech model, the query comprising one or more conditions, determining the speech model with metadata most closely matching the supplied condition(s), supplying to the source the determined speech model, receiving from the source a refined speech model and storing the refined speech model. The condition can identify an environment at the source.