公开(公告)号：DE112010003239B4

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE112010003239

申请日：2010-06-01

Applicant: IBM

Inventor： HIBBELER JASON ,  MAYNARD DANIEL ,  OGG KEVIN N ,  RASSEL RICHARD J

IPC: H01L27/146

Abstract: Bildsensor-Pixelstruktur, welche ein Halbleitersubstrat umfasst, das eine Struktur flacher Grabenisolierungen und einen Halbleitermaterialabschnitt umfasst, wobei die Struktur flacher Grabenisolierungen seitlich den Halbleitermaterialabschnitt umschließt, der Halbleitermaterialabschnitt eine zusammenhängende Halbleiterfläche aufweist und vier Photodioden, vier Kanalzonen und eine gemeinsame schwebende Diffusionszone umfasst, die zusammenhängende Halbleiterfläche sich über den gesamten Halbleitermaterialabschnitt erstreckt und jede der vier Kanalzonen direkt an eine der vier Photodioden und die gemeinsame schwebende Diffusionszone angrenzt, wobei eine erste und eine dritte der vier Kanalzonen an einer ersten Linie von einer ersten zu einer dritten der vier Photodioden liegen und eine zweite und eine vierte der vier Kanalzonen an einer zweiten Linie von einer zweiten zu einer vierten der vier Photodioden liegen, welche erste und zweite Linien sich in der gemeinsamen schwebenden Diffusionszone kreuzen.

公开(公告)号：DE112010003239T5

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：DE112010003239

申请日：2010-06-01

Applicant: IBM

Inventor： HIBBELER JASON ,  MAYNARD DANIEL ,  OGG KEVIN N ,  RASSEL RICHARD J

IPC: H01L27/146

Abstract: Eine Pixelstruktur für einen Bildsensor umfasst einen Halbleitermaterialabschnitt (30), welcher eine planare und zusammenhängende Halbleiterfläche aufweist und vier Photodioden (30A, 30B, 30C, 30D), vier Kanalzonen (31A, 31B, 31C, 31D) und eine gemeinsame schwebende Diffusionszone (32) umfasst. Jede der vier Kanalzonen grenzt direkt an eine der vier Photodioden und die gemeinsame schwebende Diffusionszone an. Die vier Photodioden sind in vier verschiedenen Quadranten (1Q_O1, 2Q_O1, 3Q_O1, 4Q_O1) angeordnet, die dadurch definiert werden, dass eine vertikale Linie, die durch einen Punkt (O1) innerhalb der gemeinsamen schwebenden Diffusionszone führt, als Mittelachse verwendet wird. Die gemeinsame schwebende Diffusionszone, ein Rücksetz-Gate-Transistor (RG), ein Source-Folger-Transistor (SF) und ein Zeilenauswahltransistor (RS) sind in vier verschiedenen Quadranten (1Q_O2, 2Q_O2, 3Q_O2, 4Q_O2) angeordnet, die dadurch definiert werden, dass eine vertikale Linie, die durch einen Punkt (O2) innerhalb einer der Photodioden (30A) führt, als Achse verwendet wird.