公开(公告)号：GB2484448B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：GB201202317

申请日：2010-06-01

Applicant: IBM

Inventor： HIBBELER JASON D ,  MAYNARD DANIEL N ,  OGG KEVIN N ,  RASSEL RICHARD J

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/3745

公开(公告)号：GB2484448A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：GB201202317

申请日：2010-06-01

Applicant: IBM

Inventor： HIBBELER JASON ,  MAYNARD DANIEL N ,  OGG KEVIN N ,  RASSEL RICHARD J

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/3745

Abstract: A pixel structure for an image sensor includes a semiconductor material portion (30) having a coplanar and contiguous semiconductor surface and including four photodiodes (30A, 30B, 30C, 30D), four channel regions (31A, 31B, 31C, 31D), and a common floating diffusion region (32). Each of the four channel regions is directly adjoined to one of the four photodiodes and the common floating diffusion region. The four photodiodes are located within four different quadrants (1Q_O1, 2Q-01, 3Q_01, 4Q_01) as defined employing a vertical line passing through a point (01) within the common floating diffusion region as a center axis. The common floating diffusion region, a reset gate transistor (RG), a source follower transistor (SF), and a row select transistor (RS) are located within four different quadrants (1Q_O2, 2Q_02, 3Q_02, 4Q_02) as defined employing a vertical line passing through a point (02) within one of the photodiodes (30A) as an axis.

公开(公告)号：DE112010003239B4

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE112010003239

申请日：2010-06-01

Applicant: IBM

Inventor： HIBBELER JASON ,  MAYNARD DANIEL ,  OGG KEVIN N ,  RASSEL RICHARD J

IPC: H01L27/146

Abstract: Bildsensor-Pixelstruktur, welche ein Halbleitersubstrat umfasst, das eine Struktur flacher Grabenisolierungen und einen Halbleitermaterialabschnitt umfasst, wobei die Struktur flacher Grabenisolierungen seitlich den Halbleitermaterialabschnitt umschließt, der Halbleitermaterialabschnitt eine zusammenhängende Halbleiterfläche aufweist und vier Photodioden, vier Kanalzonen und eine gemeinsame schwebende Diffusionszone umfasst, die zusammenhängende Halbleiterfläche sich über den gesamten Halbleitermaterialabschnitt erstreckt und jede der vier Kanalzonen direkt an eine der vier Photodioden und die gemeinsame schwebende Diffusionszone angrenzt, wobei eine erste und eine dritte der vier Kanalzonen an einer ersten Linie von einer ersten zu einer dritten der vier Photodioden liegen und eine zweite und eine vierte der vier Kanalzonen an einer zweiten Linie von einer zweiten zu einer vierten der vier Photodioden liegen, welche erste und zweite Linien sich in der gemeinsamen schwebenden Diffusionszone kreuzen.

公开(公告)号：DE112010003239T5

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：DE112010003239

申请日：2010-06-01

Applicant: IBM

Inventor： HIBBELER JASON ,  MAYNARD DANIEL ,  OGG KEVIN N ,  RASSEL RICHARD J

IPC: H01L27/146

Abstract: Eine Pixelstruktur für einen Bildsensor umfasst einen Halbleitermaterialabschnitt (30), welcher eine planare und zusammenhängende Halbleiterfläche aufweist und vier Photodioden (30A, 30B, 30C, 30D), vier Kanalzonen (31A, 31B, 31C, 31D) und eine gemeinsame schwebende Diffusionszone (32) umfasst. Jede der vier Kanalzonen grenzt direkt an eine der vier Photodioden und die gemeinsame schwebende Diffusionszone an. Die vier Photodioden sind in vier verschiedenen Quadranten (1Q_O1, 2Q_O1, 3Q_O1, 4Q_O1) angeordnet, die dadurch definiert werden, dass eine vertikale Linie, die durch einen Punkt (O1) innerhalb der gemeinsamen schwebenden Diffusionszone führt, als Mittelachse verwendet wird. Die gemeinsame schwebende Diffusionszone, ein Rücksetz-Gate-Transistor (RG), ein Source-Folger-Transistor (SF) und ein Zeilenauswahltransistor (RS) sind in vier verschiedenen Quadranten (1Q_O2, 2Q_O2, 3Q_O2, 4Q_O2) angeordnet, die dadurch definiert werden, dass eine vertikale Linie, die durch einen Punkt (O2) innerhalb einer der Photodioden (30A) führt, als Achse verwendet wird.