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    CMOS IMAGER OF ELIMINATING HIGH REFLECTIVITY INTERFACES
    4.
    发明申请
    CMOS IMAGER OF ELIMINATING HIGH REFLECTIVITY INTERFACES 审中-公开
    消除高反射性界面的CMOS图像

    公开(公告)号：WO2006071540A3

    公开(公告)日：2007-04-12

    申请号：PCT/US2005045328

    申请日：2005-12-14

    Applicant: IBM ,  ADKISSON JAMES W ,  GAMBINO JEFFREY P ,  JAFFE MARK D ,  LEIDY ROBERT K ,  RASSEL RICHARD J ,  STAMPER ANTHONY K

    Inventor： ADKISSON JAMES W ,  GAMBINO JEFFREY P ,  JAFFE MARK D ,  LEIDY ROBERT K ,  RASSEL RICHARD J ,  STAMPER ANTHONY K

    IPC: H01L29/04

    CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683

    Abstract: An image sensor (20) and method of fabrication wherein the sensor includes Copper (Cu) metallization levels (135a, 135b) allowing for incorporation of a thinner interlevel dielectric stack (130a-130c) to result in a pixel array (100) exhibiting increased light sensitivity. The image sensor includes structures having a minimum thickness of barrier layer metal (132a, 132b) that traverses the optical path of each pixel in the sensor array or, that have portions (50) of barrier layer metal selectively removed from the optical paths of each pixel, thereby minimizing reflectance. That is, by implementing various block or single mask methodologies, portions of the barrier layer metal are completely removed at locations of the optical path for each pixel in the array. In a further embodiment, the barrier metal layer (142) may be formed atop the Cu metallization by a self-aligned deposition.

    Abstract translation: 一种图像传感器（20）及其制造方法，其中传感器包括铜（Cu）金属化水平（135a，135b），允许结合更薄的层间电介质堆叠（130a-130c）以产生呈现增加的像素阵列（100） 光敏感。 图像传感器包括具有穿过传感器阵列中的每个像素的光路的阻挡层金属（132a，132b）的最小厚度的结构，或者具有从每个的光路中选择性地去除的阻挡层金属的部分（50） 像素，从而最小化反射率。 也就是说，通过实现各种块或单掩模方法，在阵列中的每个像素的光路的位置处完全去除了阻挡层金属的部分。 在另一个实施例中，阻挡金属层（142）可以通过自对准沉积形成在Cu金属化之上。

    Strukturen, Entwurfsstrukturen und Verfahren zur Herstellung von Pixelsensorzellen mit globaler Blende
    6.
    发明专利
    Strukturen, Entwurfsstrukturen und Verfahren zur Herstellung von Pixelsensorzellen mit globaler Blende 未知

    公开(公告)号：DE112010003704B4

    公开(公告)日：2015-10-22

    申请号：DE112010003704

    申请日：2010-09-02

    Applicant: IBM

    Inventor： ADKISSON JAMES W ,  ELLIS-MONAGHAN JOHN ,  JAFFE MARK ,  RASSEL RICHARD J

    IPC: H01L27/146 ,  G06F17/50

    Abstract: Pixelsensorzelle, welche das Folgende umfasst: einen Photodiodenkörper in einer ersten Zone einer Halbleiterschicht; einen schwebenden Diffusionsknoten in einer zweiten Zone der Halbleiterschicht, wobei eine dritte Zone der Halbleiterschicht zwischen der ersten und zweiten Zone angeordnet ist und an diese angrenzt; eine dielektrische Isolierung in der Halbleiterschicht, wobei die dielektrische Isolierung die erste, zweite und dritte Zone umgibt, die dielektrische Isolierung an die erste, zweite und dritte Zone und den Photodiodenkörper angrenzt und die dielektrische Isolierung nicht an den schwebenden Diffusionsknoten angrenzt, wobei Abschnitte der zweiten Zone zwischen der dielektrischen Isolierung und dem schwebenden Diffusionsknoten angeordnet sind; und eine vergrabene Elektronenabschirmung in der zweiten Zone, wobei die vergrabene Elektronenabschirmung an die dielektrische Isolierung in der zweiten Zone und eine untere Fläche des schwebenden Diffusionsknotens angrenzt, wobei sich die vergrabene Elektronenabschirmung nicht bis zu einer oberen Fläche der Halbleiterschicht erstreckt, wobei Abschnitte der zweiten Zone zwischen der vergrabenen Elektronenabschirmung und der oberen Fläche der Halbleiterschicht angeordnet sind.

    Image sensor pixel structure employing a shared floating diffusion
    8.
    发明专利
    Image sensor pixel structure employing a shared floating diffusion 未知

    公开(公告)号：GB2484448A

    公开(公告)日：2012-04-11

    申请号：GB201202317

    申请日：2010-06-01

    Applicant: IBM

    Inventor： HIBBELER JASON ,  MAYNARD DANIEL N ,  OGG KEVIN N ,  RASSEL RICHARD J

    IPC: H01L27/146 ,  H04N5/3745

    Abstract: A pixel structure for an image sensor includes a semiconductor material portion (30) having a coplanar and contiguous semiconductor surface and including four photodiodes (30A, 30B, 30C, 30D), four channel regions (31A, 31B, 31C, 31D), and a common floating diffusion region (32). Each of the four channel regions is directly adjoined to one of the four photodiodes and the common floating diffusion region. The four photodiodes are located within four different quadrants (1Q_O1, 2Q-01, 3Q_01, 4Q_01) as defined employing a vertical line passing through a point (01) within the common floating diffusion region as a center axis. The common floating diffusion region, a reset gate transistor (RG), a source follower transistor (SF), and a row select transistor (RS) are located within four different quadrants (1Q_O2, 2Q_02, 3Q_02, 4Q_02) as defined employing a vertical line passing through a point (02) within one of the photodiodes (30A) as an axis.

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