Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pixel array in an image sensor, the image sensor and a digital camera including the image sensor. SOLUTION: The image sensor includes a pixel array with colored pixels and unfiltered (color filter-free) pixels. Each unfiltered pixel occupies one or a plurality of array locations. The colored pixels may be arranged in uninterrupted rows and columns with unfiltered pixels disposed between the uninterrupted rows and columns. The image sensor may be of a CMOS type with the unfiltered pixels reducing low-light noise and improving low-light sensitivity. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
Abstract:
A reference pixel sensor cell (e.g., global shutter) with hold node for leakage cancellation, methods of manufacture and design structure is provided., A pixel array includes one or more reference pixel sensor ceils (5') dispersed locally throughout active light sensing regions (5). The one or more reference pixel sensor cells provides reference signal (Vdd or REFERENCE) used, to correct for photon generated leakage signals which vary by locality within the active light sensing regions.
Abstract:
An image sensor (20) and method of fabrication wherein the sensor includes Copper (Cu) metallization levels (135a, 135b) allowing for incorporation of a thinner interlevel dielectric stack (130a-130c) to result in a pixel array (100) exhibiting increased light sensitivity. The image sensor includes structures having a minimum thickness of barrier layer metal (132a, 132b) that traverses the optical path of each pixel in the sensor array or, that have portions (50) of barrier layer metal selectively removed from the optical paths of each pixel, thereby minimizing reflectance. That is, by implementing various block or single mask methodologies, portions of the barrier layer metal are completely removed at locations of the optical path for each pixel in the array. In a further embodiment, the barrier metal layer (142) may be formed atop the Cu metallization by a self-aligned deposition.
Abstract:
A reference pixel sensor cell (e.g., global shutter) with hold node for leakage cancellation, methods of manufacture and design structure is provided., A pixel array includes one or more reference pixel sensor ceils (5') dispersed locally throughout active light sensing regions (5). The one or more reference pixel sensor cells provides reference signal (Vdd or REFERENCE) used, to correct for photon generated leakage signals which vary by locality within the active light sensing regions.
Abstract:
Pixelsensorzelle, welche das Folgende umfasst: einen Photodiodenkörper in einer ersten Zone einer Halbleiterschicht; einen schwebenden Diffusionsknoten in einer zweiten Zone der Halbleiterschicht, wobei eine dritte Zone der Halbleiterschicht zwischen der ersten und zweiten Zone angeordnet ist und an diese angrenzt; eine dielektrische Isolierung in der Halbleiterschicht, wobei die dielektrische Isolierung die erste, zweite und dritte Zone umgibt, die dielektrische Isolierung an die erste, zweite und dritte Zone und den Photodiodenkörper angrenzt und die dielektrische Isolierung nicht an den schwebenden Diffusionsknoten angrenzt, wobei Abschnitte der zweiten Zone zwischen der dielektrischen Isolierung und dem schwebenden Diffusionsknoten angeordnet sind; und eine vergrabene Elektronenabschirmung in der zweiten Zone, wobei die vergrabene Elektronenabschirmung an die dielektrische Isolierung in der zweiten Zone und eine untere Fläche des schwebenden Diffusionsknotens angrenzt, wobei sich die vergrabene Elektronenabschirmung nicht bis zu einer oberen Fläche der Halbleiterschicht erstreckt, wobei Abschnitte der zweiten Zone zwischen der vergrabenen Elektronenabschirmung und der oberen Fläche der Halbleiterschicht angeordnet sind.
Abstract:
A pixel structure for an image sensor includes a semiconductor material portion (30) having a coplanar and contiguous semiconductor surface and including four photodiodes (30A, 30B, 30C, 30D), four channel regions (31A, 31B, 31C, 31D), and a common floating diffusion region (32). Each of the four channel regions is directly adjoined to one of the four photodiodes and the common floating diffusion region. The four photodiodes are located within four different quadrants (1Q_O1, 2Q-01, 3Q_01, 4Q_01) as defined employing a vertical line passing through a point (01) within the common floating diffusion region as a center axis. The common floating diffusion region, a reset gate transistor (RG), a source follower transistor (SF), and a row select transistor (RS) are located within four different quadrants (1Q_O2, 2Q_02, 3Q_02, 4Q_02) as defined employing a vertical line passing through a point (02) within one of the photodiodes (30A) as an axis.
Abstract:
Eine Referenzpixel-Sensorzelle (z. B. Global-Shutter) mit Halteknoten für die Leckunterbindung, Herstellungsverfahren und eine Gestaltungsstruktur werden bereitgestellt. Ein Pixel-Array beinhaltet ein oder mehrere lokal über aktive Lichterfassungsregionen (5) verteilte Referenzpixel-Sensorzellen (5'). Die eine oder mehreren Referenzpixel-Sensorzellen stellen ein Referenzsignal (Vdd oder REFERENZ) bereit, das zum Korrigieren von durch Photonen erzeugten Lecksignalen verwendet wird, die ortsabhängig innerhalb der aktiven Lichterfassungsregionen variieren.