公开(公告)号：JP2006108670A

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：JP2005286184

申请日：2005-09-30

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： ALVARADO SANTOS F ,  MEIJER GERHARD INGMAR ,  BENDNORZ GEORG

IPC: H01L27/105 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C13/0004 ,  G11C19/00 ,  G11C2213/31 ,  H01L27/24

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a miniature electronic device, such as a device including a memory device, for reversibly switching among a plurality of resistance states. SOLUTION: The memory device includes a first number of electrodes, and a second number of conductive channels between the subgroups of two electrodes. The channels exhibit electric resistance that can be switched reversibly among different states. The first number is larger than 2, and the second number is larger than a number obtained by dividing the first number by 2. The conductive channels are given in a transition metal oxide material and exhibit resistance that can be switched reversibly caused by a switching phenomenon at the interface between the electrode and the transition metal oxide material. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种微型电子装置，例如包括存储装置的装置，用于在多个电阻状态之间可逆地切换。 解决方案：存储器件包括第一数量的电极和在两个电极的子组之间的第二数量的导电通道。 通道表现出可在不同状态之间可逆地切换的电阻。 第一数大于2，第二数大于通过将第一数除以2而获得的数字。导电通道在过渡金属氧化物材料中给出并且表现出可由开关现象可逆地切换的电阻 在电极和过渡金属氧化物材料之间的界面处。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2005311356A

公开(公告)日：2005-11-04

申请号：JP2005108749

申请日：2005-04-05

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： ALLENSPACH ROLF ,  BEDNORZ JOHANNES G ,  MEIJER GERHARD INGMAR ,  LAM CHUNG HON ,  STUTZ RICHARD ,  WIDMER DANIEL

IPC: C23C16/40 ,  G11C11/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/101 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition method for a non-volatile resistance switching memory.
SOLUTION: The method for depositing a switching material can be switched between persistent conductive states. The microelectronic device is a non-volatile resistance switching memory comprising the switching material for storing digital information. The method comprises a step of depositing the switching material by a standard CMOS deposition technique at a temperature lower than 400°C.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于非易失性电阻切换存储器的沉积方法。 解决方案：用于沉积切换材料的方法可以在持续导电状态之间切换。 微电子器件是包括用于存储数字信息的开关材料的非易失性电阻切换存储器。 该方法包括通过标准CMOS沉积技术在低于400℃的温度下沉积开关材料的步骤。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：DE102021125848A1

公开(公告)日：2022-05-25

申请号：DE102021125848

申请日：2021-10-05

Applicant: IBM

Inventor： MEIJER GERHARD INGMAR ,  WEBER VALERY ,  STAAR PETER WILLEM JAN

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Kation einer neuartigen Photosäure-Erzeuger-Verbindung, das ein Element aufweist, das für Photonen mit 92 eV (extremes Ultraviolett (EUV)) einen Absorptionsquerschnitt von zumindest 0,5 × 107·cm2/mol aufweist; das zumindest zwei stabile Oxidationszustände aufweist; und das aus den Elementen von Gruppe 1 bis Gruppe 15 des Periodensystems der Elemente ausgewählt ist. Darüber hinaus bezieht sich die vorliegende Erfindung auf einen Photosäure-Erzeuger, der das Kation der Photosäure-Erzeuger-Verbindung sowie ein Anion aufweist. Des Weiteren zielt die vorliegende Erfindung auf die Bereitstellung einer Photoresist-Zusammensetzung ab, die den Photosäure-Erzeuger und ein säurelabiles Polymer aufweist. Schließlich bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren zur Erzeugung einer Säure unter Verwendung der Photoresist-Zusammensetzung und auf ein Verfahren zur Bildung eines Merkmals aus strukturierten Materialien auf einem Substrat.