公开(公告)号：WO2011064372A3

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：PCT/EP2010068435

申请日：2010-11-29

Applicant: IBM ,  IBM UK ,  ROSSNAGEL STEPHEN ,  CABRAL JR CYRIL ,  MURRAY CONAL EUGENE ,  WISNIERFF ROBERT LUKE ,  KOESTER STEVEN JOHN ,  RODBELL KENNETH PARKER ,  GORDON MICHAEL ,  YAU JENG-BANG

Inventor： ROSSNAGEL STEPHEN ,  CABRAL JR CYRIL ,  MURRAY CONAL EUGENE ,  WISNIERFF ROBERT LUKE ,  KOESTER STEVEN JOHN ,  RODBELL KENNETH PARKER ,  GORDON MICHAEL ,  YAU JENG-BANG

IPC: G01T1/02

CPC classification number: G01T1/026

Abstract: A system for determining an amount of radiation includes a dosimeter configured to receive the amount of radiation, the dosimeter comprising a circuit having a resonant frequency, such that the resonant frequency of the circuit changes according to the amount of radiation received by the dosimeter, the dosimeter further configured to absorb RF energy at the resonant frequency of the circuit; a radio frequency (RF) transmitter configured to transmit the RF energy at the resonant frequency to the dosimeter; and a receiver configured to determine the resonant frequency of the dosimeter based on the absorbed RF energy, wherein the amount of radiation is determined based on the resonant frequency.

Abstract translation: 用于确定辐射量的系统包括配置成接收辐射量的剂量计，剂量计包括具有谐振频率的电路，使得电路的谐振频率根据剂量计接收的辐射量而变化， 剂量计进一步被配置为吸收电路的谐振频率处的RF能量; 射频（RF）发射器，其被配置为将所述谐振频率处的所述RF能量发射到所述剂量计; 以及接收器，被配置为基于吸收的RF能量确定剂量计的谐振频率，其中基于谐振频率确定辐射量。

公开(公告)号：JP2007318132A

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：JP2007130825

申请日：2007-05-16

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： MURRAY CONAL EUGENE ,  LAVOIE CHRISTIAN ,  RODBELL KENNETH P

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53209 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and structure of reducing the contact resistance between a silicide contact and metallization on it. SOLUTION: A structure is provided with: a semiconductor substrate 12 including at least one field effect transistor arranged on the top and including silicide contact regions 16A, 16B, and 16C arranged adjacent to at least one field effect transistor; an insulating intermediate layer 18 that is arranged on the semiconductor substrate, extended onto at least one field effect transistor, and having contact opening parts 20 exposing the silicide contact regions; and a contact material 24 containing metal germanide in the contact opening parts. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供减少硅化物接触和金属化之间的接触电阻的方法和结构。 解决方案：一种结构设置有：半导体衬底12，包括布置在顶部上的至少一个场效应晶体管，并且包括与至少一个场效应晶体管相邻布置的硅化物接触区域16A，16B和16C; 布置在半导体衬底上的绝缘中间层18延伸到至少一个场效应晶体管上，并且具有暴露硅化物接触区域的接触开口部分20; 以及在接触开口部分中含有金属锗化物的接触材料24。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：DE112012005084B4

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：DE112012005084

申请日：2012-12-19

Applicant: IBM

Inventor： COHEN GUY ,  GUILLORN MICHAEL A ,  MURRAY CONAL EUGENE

IPC: H01L21/336 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/772

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Feldeffekttransistor(FET)-Einheit, aufweisend die Schritte: Bilden von Nanodrähten und Kontaktflecken in einer Silicium-auf-Isolator(SOI)-Schicht über einer Schicht vergrabenen Oxids (BOX), wobei die Nanodrähte in einer leiterartigen Konfiguration mit den Kontaktflecken verbunden sind und wobei die Nanodrähte über dem BOX aufgehängt sind; Abscheiden einer Hydrogensilsesquioxan(HSQ)-Schicht, welche die Nanodrähte umgibt; Vernetzen eines oder mehrerer Abschnitte der HSQ-Schicht, welche die Nanodrähte umgeben, wobei die Vernetzung bewirkt, dass der eine oder die mehreren Abschnitte der HSQ-Schicht schrumpfen, wodurch eine Spannung in den Nanodrähten induziert wird, wobei die in den Nanodrähten induzierte Spannung aufweist: a) eine in einem oder mehreren Abschnitten der Nanodrähte induzierte Zugspannung und b) eine in einem oder mehreren anderen Abschnitten der Nanodrähte induzierte Druckspannung; und Bilden einer oder mehrerer Gates, welche Abschnitte jedes der Nanodrähte umgeben, wobei die Gates die Spannung bewahren, die durch den Vernetzungsschritt in den Nanodrähten induziert wird, und wobei die Abschnitte der Nanodrähte, die von den Gates umgeben sind, Kanalzonen der Einheit aufweisen und Abschnitte der Nanodrähte, welche sich aus den Gates heraus erstrecken, und die Kontaktflecken Source- und Drain-Zonen der Einheit aufweisen.

公开(公告)号：DE112012005084T5

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：DE112012005084

申请日：2012-12-19

Applicant: IBM

Inventor： COHEN GUY ,  GUILLORN MICHAEL A ,  MURRAY CONAL EUGENE

IPC: H01L21/336

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer FET-Einheit bereitgestellt, welches die folgenden Schritte umfasst. Nanodrähte/Kontaktflecken werden in einer SOI-Schicht über einer BOX-Schicht gebildet, wobei die Nanodrähte über dem BOX aufgehängt werden. Es wird eine HSQ-Schicht abgeschieden, welche die Nanodrähte umgibt. Ein Abschnitt (Abschnitte) der HSQ-Schicht, welche die Nanodrähte umgibt (umgeben), wird (werden) vernetzt, wobei die Vernetzung bewirkt, dass der Abschnitt (die Abschnitte) der HSQ-Schicht schrumpft (schrumpfen), wodurch eine Spannung in den Nanodrähten induziert wird. Eine oder mehrere Gates werden gebildet, welche die in den Nanodrähten induzierte Spannung bewahren. Es wird auch eine FET-Einheit bereitgestellt, wobei jeder der Nanodrähte eine erste Zone (erste Zonen) aufweist, die so verformt ist (sind), dass eine Gitterkonstante in der ersten Zone (den ersten Zonen) kleiner als eine entspannte Gitterkonstante der Nanodrähte ist, und eine zweite Zone (zweite Zonen) aufweist, die so verformt ist (sind), dass eine Gitterkonstante in der zweiten Zone (den zweiten Zonen) größer als die entspannte Gitterkonstante der Nanodrähte ist.