公开(公告)号：DE112018000636T5

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE112018000636

申请日：2018-04-11

Applicant: IBM

Inventor： MIAO XIN ,  CHENG KANGGUO ,  ZHANG CHEN ,  XU WENYU ,  OLDIGES PHILIP JOSEPH

IPC: H01L21/336

Abstract: Ein Verfahren zur Verringerung der parasitären Kapazität einer Halbleiterstruktur umfasst Bilden einer Finnenstruktur über einem Substrat, Bilden einer ersten Source/Drain-Zone zwischen der Finnenstruktur und dem Substrat, Bilden erster Abstandhalter in Nachbarschaft zu der Finnenstruktur, Bilden zweiter Abstandhalter in Nachbarschaft zu der ersten Source/Drain-Zone und Aussparen der ersten Source/Drain-Zone in frei liegenden Bereichen. Das Verfahren umfasst ferner Bilden einer Zone einer flachen Grabenisolierung (STI) innerhalb der frei liegenden Bereiche der ausgesparten ersten Source/Drain-Zone, Abscheiden eines unteren Abstandhalters über der STI-Zone, Bilden eines Metall-Gate-Stapels über dem unteren Abstandhalter, Abscheiden eines oberen Abstandhalters über dem Metall-Gate-Stapel, Schneiden des Metall-Gate-Stapels, Bilden einer zweiten Source/Drain-Zone über der Finnenstruktur und Bilden von Kontakten, so dass sich die STI-Zone über eine Länge zwischen dem Metall-Gate-Stapel und der ersten Source/Drain-Zone erstreckt.

公开(公告)号：DE112018000636B4

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：DE112018000636

申请日：2018-04-11

Applicant: IBM

Inventor： MIAO XIN ,  CHENG KANGGUO ,  ZHANG CHEN ,  XU WENYU ,  OLDIGES PHILIP JOSEPH

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren zur Verringerung der parasitären Kapazität einer Halbleiterstruktur (50), wobei das Verfahren aufweist:Bilden (102) einer Finnenstruktur (12) über einem Substrat (10),Bilden (104) einer ersten Source/Drain-Zone (16) zwischen der Finnenstruktur und dem Substrat;Bilden (106) erster Abstandhalter (20) in Nachbarschaft zu der Finnenstruktur;Bilden (108) zweiter Abstandhalter (22) in Nachbarschaft zu der ersten Source/Drain-Zone;Aussparen (110) der ersten Source/Drain-Zone in frei liegenden Bereichen;Bilden (112) einer Zone einer flachen Grabenisolierung, im Folgenden STI genannt, (26) innerhalb der frei liegenden Bereiche (24) der ausgesparten ersten Source/Drain-Zone;Abscheiden (114) eines unteren Abstandhalters (28) über der STI-Zone;Bilden (116) eines Metall-Gate-Stapels (30) über dem unteren Abstandhalter;Abscheiden (118) eines oberen Abstandhalters (32) über dem Metall-Gate-Stapel;Schneiden (120) des Metall-Gate-Stapels;Bilden (122) einer zweiten Source/Drain-Zone (38) über der Finnenstruktur; undBilden (124) von Kontakten (40, 41, 42), so dass sich die STI-Zone über eine Länge zwischen dem Metall-Gate-Stapel und der ersten Source/Drain-Zone erstreckt.